"금속박막 두께" 검색결과 161-180 / 1,610건

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  Carbon nanotube의 화학적 산 처리 예비 [A+ 레포트]

  이에 반해 두께가 충분히 두껍다면 schottky 장벽이 형성 되는 금속성-반도체성 튜브의 접합 보다 schottky 장벽이 형성되지 않는 금속-금속성 접합 혹은, 반도체-반도체성 ... 또한 percolation threshold보다 낮은 두께에서는 금속성 튜브와 반도체성 튜브가 만났을 경우 접합면에서 생기는 schottky 장벽이 접촉 저항으로 작용하기 때문에 높은 ... Single walled Carbon Nanotube (SWNT) 강하고 유연한 코드나 케이블의 제조, 트랜지스터, 투명 전도성 박막, 수소 저장 장치, 부분 방전 검출용 가스센서

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.06.01

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  [신소재공학과/화학야금실험] Cu 도금 실험 사전 및 결과 보고서 (논문 형식)

  "전해액온도에의한구리박막의표면형상과물성변화." 대한금속재료학회07 ... 전류밀도 2배 조건에서 도금층 두께의 오차율은 40.4%로 가장 높게 나왔다. ... 도금 두께 오차 #1 #2 #3 #4 #5 오차(%) 30.4 40.4 8.7 4.3 8.7 Ⅳ.

  리포트 | 9페이지 | 3,500원 | 등록일 2021.09.15 | 수정일 2022.03.04

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  반도체 공정 레포트 - front end process(학점 A 레포트)

  이 층은 산화막층의 두께를 증가시키고 높은K 유전체 사용으로 인해 발생하는 모든 장점을 저하시킨다.지스터 구조에 새로운 재료들이 결합되어서 엄청난 과제를 만들어 냈다. ... 열/박막 Gate 유전체는 미래 소자의 확장에 있어서 가장 어려운 과제 중 하나이다. ... Gate 유전체의 단기적인 솔루션은 초박형 실리콘 질화물 박막의 제조와 사용을 필요로 할 것이다.

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.29 | 수정일 2023.01.03

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  SK하이닉스 면접 자기소개서와 직무역량입니다.

  누설전류 방지, 소자 간 분리, 불순물 확산 방지 등 다양한 목적으로 사용된다. 3.박막증착 웨이퍼 위에 특정한 물질을 부낮 또는 원자 단위로 일정한 두께를 가지도록 입히는 과정이다 ... Q)반도체 8대 공정 반도체 전공정 : 웨이퍼 제조, 산화, 박막증착, 포토, 식각, 이온주입, 금속배선 반도체 후공정 : EDS, 패키징 및 최종검사 1.웨이퍼 제조 고순도의 실리콘 ... 세정공정은 웨이퍼 표면에 부착된 미세입자나 유기오염무르 금속 불순물을 제거하여 이로 인한 불량이 생기지 않도록 방지하는 기술이다.

  자기소개서 | 73페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.03.24 | 수정일 2024.04.01

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  [2019최신 공업화학실험] 패터닝 결과보고서

  결론 반도체의 8대 공정은 웨이퍼 생산, 산화, 포토, 식각, 박막, 금속 배선, EDS, 패키징 공정으로 이루어진다. ... 적당량의 C2F6 주입은 식각이 일어나는 박막의 경사면에 polymer를 형성하여 보호하기 때문에 식각 속도를 증가시킨다. ... C2F6는 식각이 일어나는 박막의 경사면에 polymer를 형성하여 보호하기 때문에 수직 이방성 식각을 진행하는 개선된 식각 특성을 보여주기 때문이다.

  리포트 | 15페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.01.31 | 수정일 2020.02.10

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  중앙대 교양 반도체 이해하기 pbl 보고서

  반도체 소자의 집적화로 인해 박막의 두께가 점점 얇아짐에 따라 게이트 절연막으로 쓰인 기존의 SiO2 박막이 한계에 도달빨리 통과할 수 있음을 의미합니다. ... 도움이 됩니다. 10주차 (1) 0.5m CMOS 공정에서는 SIO2와 poly-si을 각각 게이트 절연체와 게이트 전극 물질로 사용하는데 반해 최신 공정에서는 high-k 절연체와 금속을 ... 그리고 산소 분압과 산화막의 성장속도는 비례관계이므로 산소분압을 조절하여 산화막의 두께를 조절할 수 있습니다. 6-1.

  리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.03.22

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  Post annealing effect of BaTiO3-based MIM capacitors for high capacitance 실험 레포트

  이는 누설전류가 상하부 전극의 morphology, 박막의 미세구조에 크게 의존하기 때문이다. ... 두께 약 0.5um 정도이다. ... MLCC 의 구조와 동작 등가 회로 MLCC의 용량은 유전체 재료의 유전율과 유효전극면적, 유전체 두께 그리고 적층수에 의해 결정된다.

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  반도체 물성 과제요약(A+)

  불필요한 부분을 선택적 제거하여 회로 패턴을 만드는 공정이다. 5) 박막공정 ? CVD,PVD 등 얇은 두께의 막을 만드는 공정이다. 6) 금속배선 공정 ? ... -소스와 드레인으로 사용되는 As(비소)와 BF2+(이불화 붕소)중 As(비소)는 구리,금,납 등 금속을 생산하는 과정의 부산물로 얻어지며 쉽게 구할 수 있다. ... 전기가 잘 통하도록 금속선을 이어주는 공정이다. 7) EDS ? 모든 공정을 거친 후 테스트하는 과정이다. 8) 패키징 ? 사용되는 기기에 알맞은 형태로 맞춰주는 과정이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.01.11 | 수정일 2023.01.19

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  디스플레이공학 ppt 요약 과제 (마이크로프로세서 생산기업, 반도체칩 제조 공정, 에너지밴드, 점결합, 습식 산화공정의 반응 가스, 열 산화 공정의 성장 단계 모델)

  선형 성장 단계 시간 (t) 에 따른 산화막의 두께 (x) 의 관계가 선형적 * 대략 25nm 이 하에서 적용 포물선 성장 단계 시간 (t) 에 따른 산화막 두께 (x) 가 포물선 ... 웨이퍼를 목적에 따라 제조 물리적 , 화학적 잔 류물 제거 * 세정 박막을 반복적으로 표면 가공하는 과정을 형성 * 패터닝 절단한 표면 및 가장자리 정리 * 식각 도핑 불순물을 첨가하면서 ... 다르게 나타남 ※ 자유전자 : 전도대역의 전자 ※ 정공 : 가전대역 안의 전자 빈자리 절연체와 도체의 중간 성질 외부에서 에너지를 받으면 전자가 전도대역을 넘어 옮겨갈 수 있음 도체 금속

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.08.09

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  실험 6 (전자기파의 특성) - 결과 레포트

  금속판(또는 박막)은 전자기파를 반사시키고 차단하는 용도 외에도, 전자기파를 손실 없이 원하는 곳으로 보내는 데에도 사용된다. ... 통과하지 못한다. (2) 전자기파의 일종인 빛은 종이 몇 장의 두께를 투과하지 못하는데, 휴대폰 전자기파는 어떠한가? ... 알루미늄 박막과 전자기파 (1) 2.4 GHz 전파가 알루미늄 박막을 투과하는지, 또 얼마만한 틈이 있으면 통신이 가능해지는지 실험으로 확인해보라.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.12.20 | 수정일 2022.04.21

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  RF Sputter를 이용한 InGaZnO(IGZO) 박막증착 레포트

  형성하게 된다. electrodeposition, e-beam 등의 증착법과 달리 sputtering에 의한 박막은 박막의 두께가 균일하고, 큰 면적의 target 또한 이용 할 ... 실험 원리 a) rf sputtering rf sputtering은 dc sputtering과 달리 금속외에 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의 target에도 sputtering이 ... RF Sputter를 이용한 InGaZnO(IGZO) 박막증착 김OO 1. 실험 제목 : rf sputter를 이용한 InGaZnO(IGZO) 박막증착 2.

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.11.06

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  Nanofabrication by Polymer Self-Assembly

  주사 전자 현미경을 이용하면 주로 시료 표면의 정보를 얻을 수 있고, 정보를 얻는 데에 시료의 두께, 크기 및 준비는 결과에 크게 영향을 끼치지 않는다는 장점이 있다. ... 따라서 자기조립 된 블록 공중합체의 얇은 필름이 입혀진 표면에 금속 나노입자가 흡착된다면 이로부터 LSPR coupling에 의해 금속 나노입자의 LSPR 성질이 바뀌는데, 금 나노입자의 ... 고분자보다 금속 입자에 전자가 더 풍부하게 존재하는 것은 자명하다.

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.25

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  [신소재공학실험]면저항

  금속의 페르미 에너지( E _{f})는 0K에서 전자가 채워지는 가장 높은 에너지 준위를 나타내며, 금속에서 E _{f}는 온도에 관계없이 같다. ... 박막일 경우 비저항은 어느 기판에 증착하였는지 어떤 기판을 사용하였는지에 따라 다소 차이가 있다. 수 있다. ... 비저항을 구하는 방법은 4 point probe 방식의 면저항 측정기를 이용하여 구한 면저항에 두께를 곱해주면 값을 알 수 있다. 비저항의 단위는 Ω㎝이다.

  리포트 | 8페이지 | 3,200원 | 등록일 2021.02.28

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  인하대 패터닝 예비보고서

  박막의 식각 및 증착 공정을 활용한 소자들에 대한 원리와 구조 OLED : 금속판 Cathode(-)과 Anode(+) 사이에 있는 형태로 Anode(+) 방향으로 전류를 흘러주면 ... 새겨 넣고, 필름 표면을 검사하고, etching 전후의 두께 변화를 측정하는 과정을 이해한다. ... 이산화규소 박막의 형태화 및 처리 Patterning and treatment of SiO2 thin films 실험 조: 작성자: 학번: 실험 일자 : 제출 일자 : 담당 조교

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.15

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  캐논쎄미콘덕터엔지니어링코리아 합격자소서

  반도체 증착 장비를 이용하여 박막을 증착하는 과정에서 플라즈마가 불안정한 문제가 발생했습니다. ... Adhesion layer는 두께 설정이 매우 중요하므로 직접 두께 최적화를 위해 XX을 촉매과 SiO2 사이에 1-5nm까지 1nm 차이로 증착하여 소자를 제작하고, 소자의 전기적 ... 반도체 소자를 제작하기 위해서 금속 촉매를 wafer에 증착해야 하는데 촉매와 SiO2 사이에 adhesion 문제가 발생했습니다.

  자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.06.14

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  전자기적특성평가_UV 결과보고서

  또한, FTO 박막은 ITO 박막보다 유연성이 좋아 곡면을 포함하는 부분에서 더 유용하게 사용된다. 3. 실험방법 ? ... I 는 투과광 분율, t는 유리판의 두께, alpha는 선형흡수계수이다. 따라서, 내부에서 흡수되고 남은 빛은 (1-R)I _{0} e ^{- alphat}로 나타낸다. ... R=( {n _{2} -n _{1}} over {n _{2} +n _{1}} ) ^{2} 유리를 예로 들어, 빛이 진공 혹은 공기 중에서 유리로 진행할 반대로 비금속 재료는 투명한

  리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.01.10

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  태양광발전시스템 실험레포트 A+ 자료입니다

  박막 태양전지 중 가장 처음으로 개발된 것은 비정질 실리콘으로 기존 결정질 실리콘 태양전지의 약 1/100에 해당하는 두께만으로도 태양전지의 제조가 가능하다. ... 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 방안으로 기판의 두께를 혁신적으로 줄이는 기술, 또는 유리와 같이 값싼 기판위에 박막형태의 태양전지를 증착시키는 기술이 주목을 받고 있다. ... 태양전지(Solar cell, Solar Battery) 1) 태양전지는 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환시켜주는 가장 작은 단위의 소자 2) 금속과 반도체의 접촉을 이용한 것으로는

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.06.17 | 수정일 2023.01.02

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  [A+] Cu도금 결과보고서 / 논문형식 / 신소재공학실험 화학야금 Cu도금실험 결과보고서

  도금 효율(%) 1 75.6 2 64.1 3 82.6 4 107.1 5 65.9 표준 조건에서 이론 도금층의 두께는 이론 도금층 질량, 0.76g과 금속의 밀도, 8.9g/cm3를 ... 전기도금 공정을 이용하여 Cu 박막을 제조하는 경우, 빠른 증착속도, 낮은 증착온도(상온 혹은 100℃ 이하), 두께 조절의 용이, 낮은 제조비용, 복잡한 형상의 물체에 증착가능성 ... FCCL을 제조하기 위하여 Cu 박막/후막을 PI에 증착시키는 방법으로 전기도금, 무전해도금 등 다양한 방법들이 사용되고 있다.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.11.25 | 수정일 2022.08.29

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  반도체 PVD 공정의 종류와 원리

  막 두께 균일도를 개선하기 위해, 타겟의 크기가 웨이퍼의 크기보다 크게 제작된다. 8인치 웨이퍼의 경우, 타겟 크기는 보통 14인치를 사용한다. ... Evaporation 금속을 고온으로 가열하여 기체 상태로 증발시켜서 금속 막을 입히는 방법이다. Deposition 금속 막을 웨이퍼 표면에 얇게 입히는 공정을 말한다. ... 입자들은 직선방향으로 나아가려는 경향이 있기 때문에 물리적 방법으로 도포되는 박막은 일반적으로 방향성을 가진 상태가 된다.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.09

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  하이닉스 기업 분석

  신뢰성을 동시에 만족시킴 - 증착 속도가 느림 - 원자 정도의 두께로 박막층을 한 층 한 층 형성해가는 표면처리 공법 - PVD나 CVD는 여러 입력 소스를 동시에 공급해 여러 분자들이 ... 하지만, PVD는 낮은 온도에서 가능 - PVD는 진공에서 공정 진행하고, 다른 화학물질과 섞이지 않아 불순물로 인한 오염이 CVD보다 낮음 - PVD는 물리적으로 알루미늄 같은 금속 ... 중간 좋음 공정 속도 빠름 빠름 느림 반도체 공정 Wafer 제작 -> 회로설계 -> 마스크 제작 -> Wafer 가공 -> 패키지 -> 검사 - Wafer 가공 : 노광 -> 박막증착

  자기소개서 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.12.11

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