"F doping Sno2 증착" 검색결과 1-14 / 14건

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  전자기적특성평가_면저항 결과보고서

  FTO는 불소(F) 원자가 도핑된 산화주석(SnO2)으로 구성된다. ... 산화인듐(In2O3)과 산화주석(SnO2)의 혼합물로 구성되어 있다. ... 이 증착공정에는 크게 물리적 기상 증착방법(PAD)와 화학적 기상 증착방법(CVD)이 있다. ?

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.01.11

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  전자기적특성평가_UV 결과보고서

  FTO는 불소(F) 원자가 도핑된 산화주석(SnO2)으로 구성된다. 여기서 불소의 도핑은 산화주석막의 전기전도성을 향상시키는 데 도움을 준다. ... Glass 시편 같은 경우 절연체, ITO, FTO 시편 같은 경우는 전기 전도성 있는 박막을 유리에 증착시킨 것이다. ... FTO FTO(Fluorine-doped Tin Oxide) 또는 불소 도핑 주석 산화물은 ITO와 유사하게 투명하고 전기전도성이 있는 박막이다.

  리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.01.10

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  [반도체공학] Transparent conducting oxide

  , SnO2, ZnO 등이 대표적이다. ... 일례로 CdO와 SnO2의 alloy인 Cd2SnO4 (Cadmium stannate)의 경우엔 지금까지TCO 연구에서 보고된 mobility중에 가장 높은 80cm2/Vs 를 보였다 ... 있는 것이 Sn doped In2O3, ITO이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.14

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  sputtering

  FTO는 SnO2에 F를 도핑한 것으로 Sn-doped In2O3 (ITO), ZnO에 비해 온도 안정성이 높기 때문에 염료감응 태양전지에 범용 적으로 사용되는 투명전도성 물질은 F-doped ... 또한 SnO2 박막은 결정화 온도가 다른 TCO 박막에 비하여 높기 때문에 유기 EL 등에 사용되는 플라스틱 기판에 증착하는 것은 거의 불가능하다. ... 주로 비화학량론성에의해서 도핑되지 않은 SnO2는 n-type 전도도를 나타내지만 박막이 염화물로부터 증착된 경우 Cl- 이온이 격자 내부로 침투하여 전도도에 기여하기도 한다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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  TCO,ITO

  FTO는 SnO2에 F를 도핑한 것으로 Sn-doped In2O3 (ITO), ZnO에 비해 온도 안정성이 높기 때문에 염료감응 태양전지에 범용 적으로 사용되는 투명전도성 물질은 F-doped ... 또한 SnO2 박막은 결정화 온도가 다른 TCO 박막에 비하여 높기 때문에 유기 EL 등에 사용되는 플라스틱 기판에 증착하는 것은 거의 불가능하다. ... 주로 비화학량론성에의해서 도핑되지 않은 SnO2는 n-type 전도도를 나타내지만 박막이 염화물로부터 증착된 경우 Cl- 이온이 격자 내부로 침투하여 전도도에 기여하기도 한다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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  ZnO를 이용한 TTFT와 그 활용

  투명 전도 산화물의 종류 투명전도산화물 (TCOs)는 Cd metal 박막을 첫 보고한 1907년 이래로 Al-doped ZnO, GdInOx, SnO2, F-doped In2O8 ... SnO2, In2O8와 같은 이성분계 화합물로 이루어진 투명전도산화물 (TCOs) thin film은 오래 전부터 CVD, PVD에 의해 발전되어 왔고 Cd2SnO4, CdSnO8 ... 사용되는 전극 을 증착시켜준다. 8.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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  스퍼터링

  염료감응형 태양전지에 범용적으로 사용되는 투명전도성 물질은 F-doped SnO2 (FTO)이다. 6)DSSC에서 TiO2가 하는 역할 -DSSC는 TiO2 나노 입자 전극 표면에 ... 우리 3조는 증착을 위한 타겟을 TiO2용액으로 사용하였으며 반대편에 유리기판을 놓아 박막을 형성시켰다. ... Sputtering공정 실험의 결과물을 통하여 전기저항 및 증착두께를 측정해보고, 저항과 두께의 차이에 어떠한 상하관계가 있는지 공정변수와 관련지어 알아보도록 한다. 2.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16

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  [재료공학] 초음파 분무 분해법의 종류와 박막증착

  a suppression of vorterties of SnO2 and F : SnO2 thin films obtained by spraying 0.2 M alcoholic solution ... { Spray pyrolysis 법의 종류 및 그에 의한 박막 증착 - Spray pyrolysis Technique and thin film deposition - I. ... The resistivity decreased to 6 10-4 for 1-8 wt.% doping range and increased above 8 wt.% five-fold.

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.12

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  TCO(Transparent Conductive Oxide) 의 종류 및 ITO 제조 공법에 따른 장, 단점 비교 분석

  스프레이 가시광투과율 (%) 이동도 (㎠/V.s) Carrier 밀도 (cm -3) 비저항 (Ω. cm) 성막온도 (℃) 제작방법 종류 ITO(Indium Tin Oxide, IFO(F-doped ... 온도 ITO막의 전기적 특성 SnO2는 ITO에 비해서 도전성이 낮지만 화학적으로 안정 2) SnO2 ZnO 막은 ITO에 비해 도전성은 약간 낮고 Al이 유효한 Dopant가 되나 ... 2*10-3 40 RF 스퍼터 ZO 80 30 1*1021 2*10-4 400 진공증착 ≥88 33.1 1.36*1021 1.38*10-4 350 RF 스퍼터 88 - - 2.8*10

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09

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  sputtering결과보고서

  FTO는 SnO2에 F를 도핑한 것으로 Sn-doped In2O3 (ITO), ZnO에 비해 온도 안정성이 높기 때문에 염료감응 태양전지에 범용 적으로 사용되는 투명전도성 물질은 FTO이다 ... 증착을 23분간 실시하고 Pd 증착을 100W에서 30초, 다시 TiO2 증착을 23분간 한다. ⑧ 장비를 끄고 증착기판을 꺼낸 후 진공테이프를 제거하고 알파스텝을 이용하여 증착부위의 ... 두께를 측정한다. ⑨ XRD 회절분석기를 이용하여 증착부위의 물질을 확인한다. 2.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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  산화물반도체,Oxide Semiconductor

  원소로 구성되어진 material을 말하며 ZnO, SnO2, In2O3가 여기에 속한다. ... SnO2 등의 산화물 반도체에 대해 조성 조절/도핑 치환 등을 통한 특성개선이 요구된다. ... F. Wager그룹에서는 ZnO기반의 TFT에 대한 Channelmobility에 대한 연구결과를 발표하였고, 포르투갈의 E.

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18

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  [나노] SnO2 나노 센서

  F. Zhang et al.은 낮은 온도에서 높은 결정성을 갖는 SnO2 nanorod를 형성하였다. ... 이렇게 되면 이 Sn nanowire는 산화를 통해 SnO2 nanowire가 된다. 이 후 Au/Ti electrode를 증착하여 sensor 회로를 만든다. ... (fig 14c) 얻어진 Sn nanowire는 SiO2/Si 기판에 증착시켜 열처리를 하게 된다.

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.19

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  [정밀]슈퍼캐패시터

  고가, 고난도 고급기술, 현재는 제한적용도 실용화 상태 비축전용량: 약750F/g RuO2/IrO2/Co3O4/MoO2/WO3/NiO/Mo2N 산화(탄화/질화)금속계 Doped Conducting ... 나노 입자 나노 탄소섬유 캐패시터 hv SnO2 e- Load Pt I- I3- e- e- TiO2 Light Pt glass electrode TCO-glass electrode ... Particle Metal Oxide + Carbon Composite 탄소계/산화금속계 복합재 Under Potential Deposition (Pb on Au, H on Pt) 증착금속계

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.11.30

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  [반도체] 스퍼터링

  각각의 반응성 가스를 이용해서 다음과 같은 박막들을 형성할 수 있다. ① O x i d e s ( o x y g e n ) : Al2O3, In2O3, SnO2, SiO2, Ta2O5 ... 이온 주입은 실리콘 웨이퍼(Si wafer)를 이용한 집적 회로 형성시 부분적인 도핑(doping)에 널리 이용된다. 또한 강(steel) 등의 . ... 절연체 target은 열전도성이 좋지 않아 열충격에 의하여 깨질 수 있기 때문에 제한된 증착 속도만 증착을 해야한다.

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.08

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