ZnO thin films co-doped with MgandGa (MxGyZzO, x+y+z=1, x=0.05, y=0.02 and z=0.93) were preparedon ... phase with the preferred orientation on the c-axis without secondary phases such as MgO, Ga2O3, orZnGa2O4 ... in terms of the carrierconcentration (4.71×1020cm−3), charge carrier mobility (10.2cm2V−1s−1) and a
Norton은 Mn과 Sn을 co-doping 한 ZnO 박막이 ~250K까지 강자성을 갖는 Ok, and T. Y. Seong, Appl. Phys. ... Fukumura31)는 PLD 법을 이용하여 만든 Mn-doped ZnO(Zn0.64Mn0.36O)의 자성을 조사한 결과 다른 Ⅱ-Ⅳ DMSs보다 높은 Curie-Weiss 온도를 ... 또한, ZnO는 Zn 와 O의 강한 결합력으로 인해 2000°C 정도의 높은 융점을 가지며 외부 압력에 대한 저항성이 우수하고 radiation damage에 대해서도 안정한 장점을