"PAPVD" 검색결과 1-17 / 17건

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  이온빔스퍼터링 or 스퍼터링

  표면에서의 충격 효과 입자충돌에 의해 영향받는 구역 표면 ,표면 영역 ,표층영역 , 심층영역 PAPVD 소개 이온빔을 타겟 표면에 조사함으로써 스퍼터링 현상을 유도할 수 있으며, 이온빔의

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.08

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  마이크로 표면 측정 레포트

  1000℃ 정도의 고온에서 이루어 진다. (2) PVD(Physical Vapor Deposition) Plasma-assisted physical vapour deposition (PAPVD

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.05.02 | 수정일 2018.08.04

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  플라즈마 공정

  PECVD PAPVD 플라즈마의 정의 기체 입자, 즉 기체분자나 원자에 에너지가 가해지면 최외각 전자가 궤도를 이탈함으로써 자유전자가 되어 양전하를 띄게 되며 분자 혹은 원자와 음전하를 ... 함 자기장 근처에서의 선택적인 스퍼터링에 의한 타겟의 소모가 크다 자성 재료의 스퍼터링이 용이하지 않다 Plasma-assisted Physical Vapor Deposition(PAPVD

  리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.16

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  PACVD

  PAPVD (Ion-plating) 1. ... 개요 Plasma-assisted physical vapour deposition (PAPVD) 은 박막의 성질을 향상시키기 위하여 glow discharge를 이용하는 물리증착과정의 ... 이런 높은 에너지를 가진 입자와의 충돌 때문에 ion-plating법은 기존의 물리적인 증착공정에 비해 다음과 같은 장점을 가진다 * PAPVD에 의한 코팅의 장점 1) 이온과 중성입자의

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04

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  이온 플래팅

  대부분의 실제적인 PAPVD계어서 물증기는 심각한 수화이온 오염물을 만들어 박막의 접착성에 나쁜 영향을 끼친다. 3. ... 현재 TiN의 증착에는 EB-RIP, BMS, UBMS, CAD 등의 PAPVD와 PACVD 기술이 모두 이용되고 있다. ... 특히 PAPVD 공정에서 충분한 이온충돌 효과를 통해서 제조한 TiN 박막은 심한 압축응력을 받고 있기 때문에 사용 중 인장응력을 받는 절삭공구에 응용할 경우에 사용수명이 배가되는

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.27

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  진공 및 박막 실험 최종 보고서

  또한 PAPVD에서와 마찬가지로 플라즈마의 효율을 높이기 위해서 여러 가지 다양한 형태의 플라즈마 소스를 적용하기 위한 연구가 활발히 이루어져 왔다. ... PACVD 기술은 Thermal CVD에서의 1000‘c 이상에서 가능했던 공정을 500’c 이하에서 가능하게 함으로써 PAPVD와의 경쟁이 가능하게 되었다.

  리포트 | 53페이지 | 6,000원 | 등록일 2012.11.24

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  이온 플레이팅

  이상으로 현재의 PAPVD 기술을 알아보았다. ... 따라서 PAPVD란 결국 스퍼터링과 이온 플레이팅을 의미한다. 2. 이온 플레이팅(Ion Plating)이란? ... 특별히 이것을 활성화시키고 이용하는 경우는 이온 플레이팅(Ion plating)으로 분류되므로, 엄밀한 의미에서 증발은 플라즈마 PVD(Plasma assisted PVD, 이하 PAPVD

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

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  이온플레이팅

  이상으로 현재의 PAPVD 기술을 알아보았다. 이를 바탕으로 향후 PAPVD 기술의 발전 방향은 기술의 복합화로 이어질 것이라 예측할 수 있다. ⅲ.

  리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.07.03

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  반도체

  현재 TiN의 증착에는 EB-RIP, BMS, UBMS, CAD 등의 PAPVD와 PACVD 기술이 모두 이용되고 있다. ... TiAlN은 기본적으로 Ti0.5Al0.5N과 Ti0.75Al0.25N의 조성이 가장 널리 활용되고 있으며, 주로 BMS, UBMS, CAD 등의 PAPVD 기술로 제조된다. ... 지금까지 PAPVD, PACVD를 비롯한 여러 가지 방법이 시도 되었는데 현재까지 가장 가능성이 있는 기술은 IBAD(Ion Beam Assisted Deposition)이라고 생각된다

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.02.06

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  화공실험 보고서

  PAPVD는 다시 Target(증착재료)의 증기를 생성하는 방법에 따라 1) Sputtering 과 2) Ion Plating 으로 나뉩니다. ? ... 물리증착은 크게 두가지로 나뉘는데 1) 플라즈마를 사용하지않는 일반적인 PVD 즉 Evaporation이라고 하는 저항가열식 증착방법과 2) 플라즈마를 사용하는 PAPVD(Plasma

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.21

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  cvd

  Ⅰ. CVD(Chamical Vapor Deposition) 의 정의와 원리 1. CVD의 정의 박막과학과 기술은 중요한 산업으로 성장해 왔으며, 많은 연구의 대상이 되어왔다. 이유는 박막이 반도체의 제조에 중요하기 때문이다. 박막은 물리기상증착(Physical Vap..

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16

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  Thermal evaporation system

  PAPVD는 다시 Target(증착재료)의 증기를 생성하는 방법에 따라 1) Sputtering 과 2) Ion Plating 으로 나뉜다. ... 물리증착은 크게 두가지로 나뉘는데 1) 플라즈마를 사용하지않는 일반적인 PVD 즉 Evaporation이라고 하는 저항가열식 증착방법과 2) 플라즈마를 사용하는 PAPVD(Plasma

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16

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  [반도체]진공증착

  PAPVD는 다시 Target(증착재료)의 증기를 생성하는 방법에 따라 1)Sputtering 과 2)Ion Plating으로 나뉩니다... ... 물리증착은 크게 두가지로 나뉘는데 1)플라지마를 사용하지 않는 일반적은 PVD 즉 Evaporation이라고하는 저항가열식 증착 방법과 2) 플라즈마를 사용하는 PAPVD(Plasma ... 초기의 플라즈마 CVD(Plasma - assisted CVD, 이하 PACVD)는 PAPVD의 경우와 마찬가지로 특별한 도구 없이 손쉽게 얻을 수 있는 글로 방전 플라즈마를 이용하였다

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.26

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  반도체공학의 공정

  지나치게 가속 에너지가 크면 증착 원자들의 스퍼터링 현상이 심해지므로 현대의 PAPVD에서는 기판의 바이어스를 10∼300V 정도로 제어한다.

  리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.09

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  [공학기술]박막 공정,PVD,증착,진공증착,스퍼터링 보고서

  지나치게 가속 에너지가 크면 증착 원자들의 스퍼터링 현상이 심해지므로 현대의 PAPVD에서는 기판의 바이어스를 10 ~ 300V 정도로 제어한다.

  리포트 | 70페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.08.16

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  [Chemical Vapor Deposition ] CVD

  PAPVD와 PACVD의 기본적인 공정 특성을 Table 1에 비교하여 나타내었다. 재료의 수명을 좌우하는 요인 중에서 실제로 수명에 가장 큰 영향을 주는 것이 부식과 마모이다. ... 특히 PAPVD 공정에서 충분한 이온충돌 효과를 통해서 제조한 TiN 박막은 심한 압축응력을 받고 있기 때문에 사용 중 인장응력을 받는 절삭공구에 응용할 경우에 사용수명이 배가되는 ... 잘 알려진 바와 같이 PAPVD 또는 PACVD로 제조한 TiN 박막은 2,000∼3,500kg/mm2의 높은 경도를 나타내며 표면 마찰계수가 작아서 절삭공구 등의 표면처리에 광범위하게

  리포트 | 26페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.11.21

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  [반도체]CVD 화학증착

  초기의 플라즈마 CVD(Plasma - assisted CVD, 이하 PACVD)는 PAPVD의 경우와 마찬가지로 특별한 도구 없이 손쉽게 얻을 수 있는 글로 방전 플라즈마를 이용하였다

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.26

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