"silvaco" 검색결과 1-20 / 27건

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  silvaco 태양전지 만들기

  go athena set thick=30 line x loc=0 spac=0.1 line x loc=1.875 spac=0.1 line y loc=0 spac=1 line y loc ... thick=0.05 depo material=oxide thick=0.05 IF.END structure mirror right set number=2 set i=-1 loop steps ... pearson diffuse temp=950 time=80 press=1 #소자 뒤집기 structure flip #N+ BSF 생성 depo material=silver thick

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.03.04

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  반도체공정설계 silvaco TCAD NMOS설계 및 변수에 따른 최적화(코딩포함, A+보고서)

  outfile=polypattern.str #tonyplot polypattern.str #---low doping(source,drain,gate) implant phosphor ... c.boron=1e17 two struc outfile=mesh.str #tonyplot mesh.str # ---- oxidation & etch diffuse time=30 temp ... 코드 go athena #-----mesh gneraion line x loc=0 spac=0.5 line x loc=4.4 spac=0.1 line x loc=5 spac=0.25

  리포트 | 16페이지 | 3,900원 | 등록일 2020.05.13 | 수정일 2022.09.26

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  매그나칩반도체 Power Device 합격자소서

  소자와 부품들의 스펙을 정확히 체크하지 않아 최대허용전류가 초과되어 전원 short된 것이 원인이었습니다. ... 성격의 장단점 # 뚜렷한 목표의식 수학과에 진학하여 순수학문을 공부하던 도중 수치해석 수업에서 Matlab을 통해 프로그래밍을 접했습니다. ... 성장과정 # 공정이론 + Tcad 시뮬레이션 + 실습 반도체공정 수업에서 이상적인 Mosfet Modeling을 목표로 Silvaco TCAD 프로젝트를 진행한 경험이 있습니다.

  자기소개서 | 5페이지 | 3,300원 | 등록일 2021.11.22 | 수정일 2024.04.23

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  삼성전자 2020 메모리사업부 평가및분석 최종합격 자기소개서

  Essay 1 삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오. [지원 이유] 내가 가진 역량을 가장 자신 있게 표현할 수 있는가? 라는 물음이 회사를 선택하는 가장 중요한 기준입니다. OOO에서 인턴을 하면서, 압연공정에 대한 데이터 분석 그..

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.01.13

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  SK하이닉스 Maintenance 신입 합격자기소개서+면접자료(진행방식+족보)

  1. 스스로 높은 목표를 세워서 달성한 경험에 대해 써 주십시오. 목표를 세운 과정, 목표를 달성하기 위해 자신이 기울인 노력, 어려웠던 점, 실제 결과를 구체적으로 작성 바랍니다. (500자 이상) [프로젝트 성공을 통해 얻은 자신감과 책임감] 설계팀으로써 혼자 해외..

  자기소개서 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.04.17

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  아주대학교 반도체실험 기말프로젝트 보고서, 측정 데이터 (A+)

  elements of short channel MOSFET ... semiconductor engineering-To understand the difference between theory and simulation-To understand the ... Purpose-To become a good engineer with the ability to handle simulations-To test our knowledge about

  리포트 | 82페이지 | 5,000원 | 등록일 2019.03.13 | 수정일 2021.08.11

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  아주대학교 반도체실험 MOSFET 보고서, 측정데이터 (김상배 교수님 A+)

  1. 실험 목표 - MOSFET의 전류 전압 특성을 직접 측정, 분석하여 SPICE 모델 변수를 추출한 다음, SPICE 시뮬레이션 결과와 실험 결과를 비교함으로써 추출된 변수의 타당성을 검증한다. 또한 SPICE 모델 변수들이 소자 특성에 미치는 영향을 분석해본다.-..

  리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.03.15 | 수정일 2021.08.11

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  15년 하반기 대유위니아 합격(품질)자소서+면접질문

  조별로 silvaco라는 프로그램을 이용해 태양전지를 설계하는 프로젝트 때 저는 조장을 맡았습니다. ... 면접질문 제품수명주기이론을 설명해 보시오. 3정5S에 관해 말해보시오 TPS(도요다 시스템)에 관해 말해보시오 PL법에 관해 아는대로 말해보시오 7T 미래핵심 산업으로 무엇이 있나

  자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.10.10

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  Tcad (athena) 로 nmos 반도체 설계 시뮬레이션 보고서

  loc=10 spac=0.1 line y loc=0.0 spac=0.05 line y loc=3 spac=0.05 init silicon c.boron=5.0e17 orientation ... auger fldmob surfmob method cl ... x=0.5 Electrode name=drain x=9 structure outfile = end.str [설명] implant 명령어를 사용하여 Phosphrus 이온을 주입하여

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.02 | 수정일 2017.11.06

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  T-CAD를 이용한 PN diode 구조 설계

  mesh infile=electrode.str models srh conmob temp=300 print contact name=anode workf=4.8 solve vcathode ... go atlas #-------------- forward bias mesh infile=electrode.str models srh conmob temp=300 print contact ... electrode name = anode x=7 electrode name = cathode x=3 struc outfile=electrode.str tonyplot electrode.str

  리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.12.05

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  TCAD를 이용한 반도체 공정 Simulation

  Variable (변수의 지정) Implant species Asenic →Phosphorus Implant energy 50 keV 70 keV 90 keV 110 keV 130

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.03.22

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  [반도체공정설계] Silvaco사의 T-CAD를 이용한 C-MOS Inverter설계 (CMOS Inverter)

  # DC solve init solve vgnd=0 solve vvdd=5 solve vsub=0 log outfile=dc.log solve vgate=0 vstep=0.1 vfinal ... =0.2e-4 frequency=60 trans.analy cycles=2 log off tonyplot 60Hz.log # 1kHz solve init solve vgnd=0 solve ... =5.0 name=gate log off tonyplot dc.log # 60Hz solve init solve vgnd=0 solve vvdd=5 solve vsub=0 log outfile

  리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.12

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  Implant energy 변화에 따른 nMOSFET의 특성

  Light_field 04 Nitride etching 1500A +50% over, anisotropic 05 Resist strip 06 LOCOS oxidation O2flow ... (2) Variable Implant species Phosphorus Implant enegy 50 keV 70 keV 90 keV 110 keV 150 keV 200 keV 3 ... CONT 22 Contact photo CO mask, dark_field 23 Contact etching 5000A+50% over, anisotropic 24 Resist strip

  리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.03.22

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  CMOS

  ********************************************************** * MyAnalog V6.3 SPICE netlist generator * Cell Name :: OR3_Gate * Flatten Extraction for B..

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.26

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  영문 자소서, 경력, 연구개발

  I have been using the computer since 1989. ... Fairchild has been enjoying tremendous success and growth over the last few years. ... So I can support to resolve the Problems with process and physical weak point.

  리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.01.31

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  창업과법규 사업계획서 (태양광/태양열 발전 사업계획)

  SWOT분석 강점(strengths) 약점(weaknesses) - 低원가 및 기술혁신을 통한 가격경쟁력 - 공정 혁신을 통한 기술 제고 - 주요 부품 중심 생산을 통한 안정적 생산 ... : 다이오드, 트랜지스터 및 유사 반도체소자 제조업) 주제품 태양열전지 및 고효율 LED 자산규모 1억 2천 4백만원 결산일 12. 4. 30 종업원 수 9 명 웹사이트 www.solarsystem.co.kr

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.09

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  T-CAD를 이용한 NMOS 특성 향상

  V _{th} = {LEFT | Q _{sd} ^{prime } (max) RIGHT |} over {C _{o rm x it}} - {Q _{ss} ^{prime }} o트랜지스터의 ... 설계 순서 Mesh를 지정하고 1e17로 Boron을 도핑한다. line x loc=0 spac=0.5 line x loc=3.5 spac=0.1 line x loc=5 spac=0.25 ... line x loc=6.5 spac=0.1 line x xide start x=8 y=-10 etch cont x=8 y=1 etch cont x=9 y=1 etch done x=

  리포트 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.09.04

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  [반도체공정설계] Silvaco사의 T-CAD를 이용한 PN Diode 설계 자료입니다.

  spac=0.02 line y loc=5 spac=0.5 init silicon c.boron=1e17 two struc outfile=mesh.str tonyplot mesh.str ... 설계순서 loc=4 spac=0.1 line x loc=5 spac=0.25 line x loc=6 spac=0.1 line x loc=10 spac=0.5 line y loc=0 ... Reference [1] 마이크로 전자회로 sedra smith 한티미디어 [2] 반도체 소자공정 기술의 기초 michel quirk 청문각 [3] http://www.circuitstoday.com

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.12

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  T_CAD NMOS_구조 설계

  저장한다. struc outfile=electrode.str tonyplot electrode.str #Device simulation - Atlas를 이용해 Device의 특성을 ... 확인한다. # Atlas 실행 명령 go atlas # Athea에서 생성한 구조를 불러 드린다. mesh infile=electrode.str # Gate의 Workfuction을 ... # 특성 계산을 위한 기본 계산 Model을 정의한다. - 고정 models srh conmob temper=300 print #Id-Vgs 특성 분석- drain에 0.1v를 인가

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.12.05 | 수정일 2018.06.21

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  TCAD를 이용한 BJT 공정 설계 및 특성 개선

  =0.1 line x loc=20 spac=0.5 line y loc=0 spac=0.05 line y loc=5 spac=0.5 #P-substrate init silicon c.boron ... Making Mesh & P-Substrate go athena #Mesh line x loc=0 spac=0.5 line x loc=4 spac=0.1 line x loc=16 spac ... Making Buired Layer & Epitaxy layer #N+ buried layer deposit oxide thick=0.8 div=5 etch oxide start x

  리포트 | 119페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.10.30

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