전자기사 기출문제 1,2회 (2020.06.06)

자격시험 기사 전자기사category

전자기사 기출문제 2020년 1,2회 (2020.06.06)

1. 자격요약

□자격명 :: 전자기사
□영문명 :: Engineer Electronics
□관련부처 :: 산업통상자원부
□시행기관 :: 한국산업인력공단
□응시자격 :: 제한있음
□자격분류 :: 국가기술자격증
□홈페이지 :: www.q-net.or.kr
□자격증 관계도: 전지기기기능사, 전자산업기사, 전자기사

2. 자격정보

□ 전자기사 기출문제

○ 응시자격을 갖추고 한국산업인력공단에서 시행하는 전자기사 자격시험에 합격하여 그 자격을 취득한 자를 말함.

○ 전자산업의 발전으로 각종 전자기기를 설계, 시공, 분석할 수 있는 전문기술인력을 양성하기 위하여 제정됨.

□ 주요특징

○ 전자에 관한 공학 기초지식을 바탕으로 전자기기 및 전자회로의 설계업무를 담당.

○ 기술기초이론을 가지고 부품가공 및 조립, 검사 등의 작업 전반을 관리하며 부분적으로 기계 기구의 설치와 보수작업을 수행.

□ 진로 및 전망

○ 취업

- 가전제품생산업체, 통신장비생산업체, 음향기기 및 방송 장비 생산업체, 컴퓨터·사무 자동화기기 관련 장비 제조업체, 전자제품 수리전문업체 등 전자제품이 이용되는 관련분야로 취업 가능.

- 전동차, 비행기, 선박 등의 검사 요원으로 활동 가능.

○ 우대

- 국가기술자격법에 의해 공공기관 및 일반기업 채용 시 그리고 보수, 승진, 전보, 신분보장 등에 있어서 우대받을 수 있음.

○ 가산점

- 6급 이하 및 기술직 공무원 채용시험 시 가산점.

- 공업 직렬의 항공우주, 전자, 물리 직류, 해양수산직렬의 수로, 해양교통시설 직류, 방송통신직렬의 전 직류에서 채용계급이 8·9급, 기능직 기능 8급 이하와 6·7급, 기능직 기능 7급 이상일 경우 모두 5%의 가산점.

- 다만, 가산 특전은 매 과목 4할 이상 득점자에게만, 필기시험 시행 전일까지 취득한 자격증에 한함.

3. 시험정보

□ 시험일정 ( 원서접수 첫날 10:00부터 마지막 날 18:00까지 )

구분	필기원서접수 (인터넷)	필기시험	필기합격 (예정자)발표	실기원서접수	실기시험	최종합격자 발표일
2024년 기사 1회	2024.01.23 ~ 2024.01.26	2024.02.15 ~ 2024.03.07	2024.03.13	2024.03.26 ~ 2024.03.29	2024.04.27 ~ 2024.05.12	2024.06.18
2024년 기사 2회	2024.04.16 ~ 2024.04.19	2024.05.09 ~ 2024.05.28	2024.06.05	2024.06.25 ~ 2024.06.28	2024.07.28 ~ 2024.08.14	2024.09.10
2024년 기사 3회	2024.06.18 ~ 2024.06.21	2024.07.05 ~ 2024.07.27	2024.08.07	2024.09.10 ~ 2024.09.13	2024.10.19 ~ 2024.11.08	2024.12.11

□ 수수료

○필기 : 19,400원
○실기 : 44,800원

□ 출제경향

○ 필기 : 출제기준을 참조

○ 실기 : 작업형으로 시행되며 출제기준 및 공개문제를 참조

- 전자제품의 회로스케치, 패턴설계, 회로설계 및 조립작업 등으로 아날로그 및 디지털회로를 이해하여 설계 및 조립할 수 있는지의 능력을 평가

□ 출제기준

○ 전자기사 출제기준(2015.1.1~2019.12.31).hwp 다운로드

○ 전자기사 출제기준(2020.1.1~2022.12.31).hwp 다운로드

○ 전자기사 공개문제.zip 다운로드

□ 취득방법

○ 응시자격

- 관련학과 : 대학의 전자공학, 전자물리학, 전자계산학, 전자전기공학 등 관련학과

- 기술자격 소지자 : 동일직무분야 기사 이상 / 산업기사 이상+1년 / 기능사+3년

- 순수경력자 : 실무경력 4년

- 동일직무분야 : 경영·회계·사무 중 생산관리, 문화·예술·디자인·방송 중 방송, 건설, 기계, 재료, 정보통신, 안전관리, 환경·에너지

○ 시험과목

- 필기

1) 전기자기학
2) 회로이론
3) 전자회로
4) 물리전자공학
5) 전자계산기일반

- 실기

1) 전자회로설계 및 응용

○ 검정방법

- 필기 : 객관식 4지 택일형, 과목당 20문항(과목당 30분)

- 실기 : 작업형(6시간 30분정도)

○ 합격기준

- 필기 : 100점을 만점으로 하여 과목당 40점 이상, 전과목 평균 60점 이상

- 실기 : 100점을 만점으로 하여 60점 이상

○ 제한시간

- 필기 : 150분

- 실기 : 390분

1 과목 : 전기자기학

1. 자기유도계수 L의 계산 방법이 아닌 것은? (단, N:권수, ø: 자속(Wb), I:전류(A), A:벡터 퍼텐셜(Wb/m), i:전류밀도(A/m²), B:자속밀도(Wb/m²), H:자계의 세기(AT/m)이다.)

①
②
③
④

2. 20℃에서 저항의 온도계수가 0.002인 니크롬선의 저항이 100Ω이다. 온도가 60℃로 상승하면 저항은 몇 Ω이 되겠는가?

①	108
②	112
③	115
④	120

3. 면적이 S(m²)이고 극간의 거리가 d(m)인 평행판 콘덴서에 비유전율이 ε_r인 유전체를 채울 때 정전용량(F)은? (단, ε₀은 진공의 유전율이다.)

①
②
③
④

4. 유전율이 ε₁, ε₂(F/m)인 유전체 경계면에 단위 면적당 작용하는 힘의 크기는 몇 N/m²인가? (단, 전계가 경계면에 수직인 경우이며, 두 유전체에서의 전속밀도는 D1=D2=D(C/m²)이다.)
5. 그림과 같이 내부 도체구 A에 +Q(C), 외부 도체구 B에 -Q(C)를 부여한 동심 도체구 사이의 정전용량 C(F)는?
6. 반지름 r(m)인 무한장 원통형 도체에 전류가 균일하게 흐를 때 도체 내부에서 자계의 세기(AT/m)는?
7. 자기 인턱턴스와 상호 인턱던스와의 관계에서 결합계수 k의 범위는?
8. 전계 및 자계의 세기가 각각 E(V/m), H(AT/m)일 때, 포인팅 벡터 P(W/m²)의 표현으로 옳은 것은?
9. 자기회로에서 자기저항의 크기에 대한 설명으로 옳은 것은?
10. 전위함수 V=x²+y²(V)일 때 점(3,4)(m)에서의 등전위선의 반지름은 몇 m이며, 전기력선 방정식은 어떻게 되는가?
11. 자속밀도 B(Wb/m²)의 평등 자계 내에서 길이 l(m)인 도체 ab가 속도 v(m/s)로 그림과 같이 도선을 따라서 자계와 수직으로 이동할 때, 도체 ab에 의해 유기된 기전력의 크기 e(V)와 폐회로 abcd 내 저항 R에 흐르는 전류의 방향은? (단, 폐회로 abcd 내 도선 및 도체의 저항은 무시한다.)
12. 비유전율 ε_r이 4인 유전체의 분극률은 진공의 유전율 ε0의 몇 배인가?
13. 정전계 해석에 관한 설명으로 틀린 것은?
14. 진공 중 3m 간격으로 두 개의 평행한 무한 평판 도체에 각각 +4C/m², -4C/m²의 전하를 주었을 때, 두 도체 간의 전위차는 약 몇 V인가?
15. 10mm의 지름을 가진 동선에 50A의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간 동안 동선의 단면을 통과하는 전자의 수는 약 몇 개인가?
16. 공기 중에 있는 무한히 긴 직선 도선에 10A의 전류가 흐르고 있을 때 도선으로부터 2m 떨어진 점에서의 자속밀도는 몇 Wb/m²인가?
17. 평등자계 내에 전자가 수직으로 입사하였을 때 전자의 운동에 대한 설명으로 옳은 것은?
18. 면적이 매우 넓은 두 개의 도체 판을 d(m) 간격으로 수평하게 평행 배치하고, 이 평행 도체 판 사이에 놓인 전자가 정지하고 있기 위해서 그 도체 판 사이에 가하여야 할 전위차(V)는? (단, g는 중력 가속도이고, m은 전자의 질량이고, e는 전자의 전하량이다.)
19. 반자성체의 비투자율(μ_r) 값의 범위는?
20. 그림에서 N=1000회, l=100cm, S=10cm²인 환상 철심의 자기 회로에 전류 I=10A를 흘렸을 때 축적되는 자계 에너지는 몇 J인가? (단, 비투자율 μ_r=100이다.)

2 과목 : 회로이론

21. 다음 중 쌍대관계(dual)가 아닌 것은?
22. 1H인 인턱터에 그림과 같은 전류가 흐를 때 전압 파형으로 옳은 것은?
23. 다음 회로를 루프해석법으로 풀기 위해 형태의 방정식으로 정리하였을 때 행렬 A는? (단, V₁=10V, V₂=4V 이다.)
24. 함수 x(t)=2e^-2(t-3)·u(t-3)의 라플라스 변환식 X(s)는?
25. 차단 주파수에 대한 설명으로 틀린 것은?
26. 시정수가 τ인 RL 직렬회로에 직류 전압을 가할 때 시간 t=3τ에서 흐르는 전류는 최종치의 몇 %인가?
27. 다음 그림에서 단자 a-b에 나타나는 전압(V_ab)는 약 몇 V인가?
28. 단위 계단함수 u(t-a)의 파형으로 옳은 것은?
29. 다음 회로에서 단자 a, b 왼쪽 회로의 테브난 등가 전압원(V_th=V_ab)은 몇 V인가?
30. 다음의 회로망 방정식에 대하여 s평면에 존재하는 극점은?
31. RL 직렬회로에서 L=40mH, R=10Ω일 때, 회로의 시정수는 몇 s인가?
32. π형 회로망의 어드미턴스 파라미터 관계가 틀린 것은?
33. 일 때 유효 전력은?
34. 저항 1Ω과 리액턴스 2Ω을 병렬로 연결한 회로의 역률은 약 얼마인가?
35. 공진회로에서 공진의 상태를 설명한 것으로 옳은 것은?
36. 다음 회로에서 합성 인덕턴스는 몇 H인가? (단, L₁=6H, L₂=3H, M=3H 이다.)
37. 임피던스 인 2단자 회로에 직류 전류 20A를 인가할 때 단자 전압은 몇 V인가? (단, R=10Ω, L=20mH)
38. 회로에서 4단자 정수 A, B, C, D 는?
39. 라플라스 변환에 관한 설명 중 틀린 것은?
40. 분류기를 사용하여 전류를 측정하는 경우 전류계의 내부저항이 0.1Ω, 분류기의 저항이 0.01Ω이면 그 배율은?

3 과목 : 전자회로

41. 다음의 진리표를 갖는 조합회로의 구성은? (단, A, B, C는 입력이고, D는 출력이다.)
42. 어떤 연산 증폭기의 SR(slew rate)이 0.5V/μs이라면, 정현파 출력의 peak 전압이 5V인 경우 대신호 동작 시 일그러짐이 발생되지 않는 최대 주파수는 약 몇 kHz인가?
43. 어떤 RC 미분회로에 진폭이 5V이고 펄스폭이 100μs, 주기가 200μs인 펄스파 전압을 가했을 때, 펄스폭에서 시정수의 5배 시간에 순간적으로 R 양단에 측정되는 전압은 약 몇 V인가? (단, 시정수는 10μs보다 작다.)
44. 연산증폭기회로에서 부귀환의 장점으로 틀린 것은?
45. 다음 정류회로에서 리플 전압은 콘덴서와 부하저항과 어떤 관계를 가지는가?
46. 다음 중 트랜지스터 증폭회로에서 높은 주파수에서 이득이 감소하는 이유로 적합한 것은?
47. 수정 발전기의 주파수 안정도가 양호한 이유가 아닌 것은?
48. 다음 연산증폭기회로에서 페루프이득(lAVl)이 110 이 되기 위해 Rf는?
49. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
50. 다음 555타이머 회로의 출력 발진 주파수는 약 몇 kHz인가?
51. 이미터 저항을 가진 이미터 접지 증폭기 회로에서 이미터 바이패스 콘덴서가 제거되면 어떤 현상이 생기는가?
52. 공간전하용량 변화에 따라 가변용량콘덴서로 사용되는 다이오드는?
53. 다이오드 검파회로에서 AGC 전압의 크기는 다음 어는 것에 따라 커지는가?
54. 다음 회로에 대한 설명으로 틀린 것은?
55. 다음 중 차동 증폭기에서 동상신호제거비(CMPR)를 크게 하기 위한 방법으로 옳은 것은?（단, Ad는 차동신호 전압이득이고 Ac는 동상신호 전압이득이다.)
56. 다이오드의 순방향 바이어스가 이루어 질때에 잔류흐름에 대한 설명으로 적절한 것은?
57. 다음 T 플립플롭의 특성표에서 출력 Q(t+1)은?
58. RC 결합 증폭 회로에서 증폭 대역폭을 4배로 하려면 증폭 이득은 약 몇 dB로 감소시켜야 하는가?
59. MOSFET의 포화영역 동작모드와 유사한 BJT의 동작모드는?
60. 연산증폭기의 개루프(open loop)이득과 부궤환시 폐루프(close loop)이득의 관계로 옳은 것은?

4 과목 : 물리전자공학

61. 절대온도 0K에서 진성 반도체는 어는 것과 같은가?
62. BJT의 평형상태에 대한 설명으로 틀린 것은?
63. 낙뢰와 같이 급격한 서지 전압(Surge Voltage)으로부터 회로를 보호하기 위하여 전원이 인가되는 초단에 주로 사용되는 소자는?
64. 집적회로 내에서 전기적인 상호배선사이의 절연과 불순물 확산에 대한 보호층을 형성하는 반도체 공정은?
65. 다음 n형 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?
66. BJT가 증폭기로서 사용될 때 동작 상태는 어느 영역에서 일어나는가?
67. BJT에서 파라미터 α와 β의 관계는? (단, 그림참조 m1)
68. 상온 300K에서 페르미 준위보다 0.1eV만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은?
69. 두 전극판의 간격에 10cm이고, 전극간의 전위차가 100V일 때 전자의 가속도는? (단, 전자의 전하량과 질량은 각각 1.6×10^-19C, 9.11×10^-31kg)
70. 페르미(Fermi) 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?
71. 서로 다른 금속도선의 양끝을 연결하여 폐회로를 구성한 후, 온도를 가하면 양단의 온도차에 의해 두 접점 사이에 열기전력이 발생되는 효과는?
72. 어떤 도선의 1A의 전류가 흐르고 있을 때 임의의 단면적이 1s 동안에 1C의 전하가 이동한다면 이 단면적을 통과하는 전자의 개수는?
73. 반도체의 가전자대에서 에너지 Level(E)이 전자에 의해서 채워질 확률을 f(E)라 했을 때 정공에 의해서 채워질 확률은?
74. 펀치스로우(punch through) 현상에 대한 설명 중 틀린 것은?
75. 실리콘 제어 정류소자(SCR)에 관한 설명으로 틀린 것은?
76. 저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?
77. 광건 효과에 관한 설명으로 틀린 것은?
78. 금속과 P형반도체를 접촉한 경우 옴(Ohm)접촉이 발생하는 조건은?
79. Ge 트랜지스터와 비교하였을 때 Si 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
80. 자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채우는 과정을 무엇이라 하는가?

5 과목 : 전자계산기일반

81. 다음 중 결선 게이트의 특징이 아닌 것은?
82. 캐시 설계에 대한 설명으로 틀린 것은?
83. 레지스터 값을 2ⁿ으로 곱셈을 하거나 나누는 효과를 갖는 연산은?
84. 서브루틴과 연관되어 사용되는 명령은?
85. 16×8 ROM을 설계할 때 필요한 게이트의 종류와 그 개수는?
86. I/O 제어기의 주요기능에 대한 설명으로 틀린 것은?
87. 가상 기억체계에서 주소 공간이 1024K이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?
88. 10진수 255.875를 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?
89. 순서도 기호에 해당하는 설명으로 틀린 것은?
90. 다음 중 피연산자의 위치(기억장소)에 따라 명령어 형식을 분류할 때 instruction cycle time이 가장 짧은 것은?
91. 2진수 0101을 2의 보수로 변환 후 다시 1의 보수로 변환하는 과정 전체를 5번 수행하면?
92. 다음 프로그램의 출력은?
93. 아래 C프로그램의 출력 결과는?
94. 채널(channel)에 의한 입출력 방식에서 채널의 종류가 아닌 것은?
95. 다음 중 UNIX의 쉘(shell)에 대한 설명으로 옳은 것은?
96. 다음의 논리식을 간소화 시킨 결과는?
(Z = AㆍBㆍC + AㆍBㆍC + AㆍBㆍC + AㆍBㆍC + AㆍBㆍC)
97. 다음 중 에러 검출률이 가장 높은 것은?
98. 연산장치에 대한 설명으로 옳은 것은?
99. 마이크로 프로그래밍에 관한 설명으로 틀린 것은?
100. 상대 주소지정(Relative Addressing) 방식의 설명으로 옳은 것은?

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