Photolithography 결과보고서

목차

1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 실험 결과
4. 오차 원인
5. CONCLUSION
6. Reference

본문내용

1. 웨이퍼 대신 사용하는 유리기판을 증류수, 아세톤, 에탄올을 이용하여 세척해준다. (이 때 작은 기판 세 개, 큰 기판 한 개를 세척해준다.)
2. 옐로룸으로 이동하여 스핀코터 위에 유리기판을 올리고 PR(Positive PR)용액을 떨어뜨린다. 그 후 아래와 같은 조건으로 설정한 뒤 스핀코터를 작동시켜 유리기판 위에 PR용액을 코팅 시켜준다.
이 과정에서 PR용액이 빛에 매우 민감하기 때문에 옐로룸의 문을 열지 않았으며 큰 유리기판을 스핀코어가 잡아주지 못하여 4000Rpm은 실험에서 제외시켰다.
3. 130°, 90초 동안 soft bake를 진행하여 PR을 안정화시켜주고 UV 노광 장비로 노광을 진행한다. 이때 노광 장면은 눈에 해로우므로 과정이 끝날 때까지 직접 장비를 보지 않는 것이 좋다.
4. 노광이 끝난 후 현상액과 증류수를 이용하여 현상을 하고 hard bake를 통해 밀착력을 높여준다.
5. 20mA, 240초로 세팅된 sputter를 이용하여 웨이퍼를 금속과 증착한 후 아세톤을 사용하여 감광 물질을 걷어낸다.

참고 자료

CLARLES KITTEL, Introduction to Solid State Physics, TEXTBOOKS
WILLIAM D. CALLISTER, JR, 재료과학과 공학, WILEY
임준우, 반도체 공정장비 개론, 복두출판사
윤현민, 기초 반도체공학, 복두출판사