"GMR" 검색결과 101-120 / 151건

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  JFET증폭기 실험보고서(과정)

  --gmR'L Vout와Vgs는 180?의 위치상을 나타낸다. 2)CD증폭기 드레인공통(common drain)접속을 FET에 대한 또다른 기본적인 증폭기 구성이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.20

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  나노기술

  -자성재료의 결정립이 작아지면 거대자기저항(giant magneto-resistance GMR )을 띤다 -강자성이 아닌 결정립의 나노결정립 재료에서 입계는 강자성을 띄는 경우(ferromagnetic

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.30

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  한전KPS 회사상식 및 면접 대비

  ① 인도 GMR그룹과 인도 내 화력발전소 건설계획체결 ② 호주 맥콰리 제너레이션사가 운영하는 베이스워터 3 판매 등 부품개발 R&D 사업추진을 2011년 내 계획하고 있다. ⑤ 태양광

  자기소개서 | 34페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.15

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  [전자회로]하틀레이,콜피츠회로

  콜핏츠 발진기의 공진주파수는 식 1 이고, 이 공진주파수는 탱크회로의 공진주파수와 일치하는데 실수부를 영으로 놓은 다음 식1을 이용하여 C2/C1=gmR이 얻어짐을 알 수 있다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.01.06

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  [비휘발성 메모리] 비휘발성 메모리중 FRAM과 MRAM의 비교

  MR박막재료는 MR현상이 나타나는 재료 및 메카니즘에 따라 AMR, GMR, TMR, CMR 등으로 분류되며, 특히 GMR 및 TMR 박막재료는 실용화에 가장 근접한 재료로 알려져

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.05

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  [전자회로실험] 공통-이미터 증폭기의 고주파 응답

  ´_S R´_L) + s^2 C_π C_μ R´_S R´_L} (21.4)식의 Ii(s)를 (21.7) 식에 대입 Vo(s)overVs(s) =-{gmR_S R_L}OVER {R_S ... + r_x}{1-s{C_μ} over gm} over {1+s(CμR_ L +CπR_S + CπR_S + CμR_S + CμgmR_S R_L) + s^2 CπCμR_S R_L} ( ... Cμ를 통해 흐르는 전류를 무시 출력 전압 Vo Vo -gmVπR´L (21.10) Cμ의 양쪽 단자 사이의 전압비(K=Vo/Vπ = -gmR´L)를 알고 있으므로, 우리는 이제 밀러의

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.03.13

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  스핀밸브 소자의 측정 및 재료의 자기적 특성 (예비레포트)

  세 번째는, 인접한 자성층 사이를 전도 전자가 통과할 때 스핀 방향 차이에 따른 스핀 의존 산란에 기인한 거대 자기저항(GMR:Giant Magneto Resistance)이 있다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.23

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  [재료공학, 전자공학] MRAM과 FRAM

  MR박막재료는 MR현상이 나타나는 재료 및 메카니즘에 따라 AMR, GMR, TMR, CMR 등으로 분류되며, 특히 GMR 및 TMR 박막재료는 실용화에 가장 근접한 재료로 알려져 ... 최근 정보기기의 고속도 및 고밀도, 휴대화가 진행됨에 따라 거대 자기저항(Giant Magnetoresistance, GMR)을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 MR헤드에 관한 연구가 ... TMR재료는 다른 자기 저항(GMR, CMR 등) 재료에 비해 자기 저항비가 크고, 포화자계도 작으며, 전류가 CPP (current perpendicular to plane) mode로

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.16

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  [전자회로실험] 공통-이미터 증폭기의 고주파 응답

  일반적으로 gmR'L>>1이므로, ωp2는 ωp1보다 매우 높을 것이다. ... } over {1+s(CμR'L+CπR's+CμR's+CμgmR'sR'L)+s2CπCμR'sR'L } 를 구할 수 있다. ... gmR'L>>1이므로, 큰 밀러 커패시턴스 Ceq1은 트랜지스터의 Cπ에 직접 더해지고 그 결과로 증폭기의 주파수 응답을 열화시킬 것이다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.03.13

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  고급전자회로실험 - 소신호 MOSFET 증폭기

  전압이득 Av는 Av=vds/v1=-gmR=-2RD(KID)^(1/2)=-2IDRD(K/ID)^(1/2)가 된다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.04 | 수정일 2019.04.11

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  [벤처,기술]나노기술

  미국의 경우, IBM이 1997년 11월 거대자기저항(GMR) 나노 소재로 컴퓨터 하드디스크를 세계 최초로 제작해 선을 보인 바 있다. ... IBM사는 이 GMR 소재를 이용한 하드디스크를 내놓은 지 일년도 안돼서 하드디스크 시장의 판도를 바꿔놓았다. 우리의 실생활에서 나노기술로 사용되는 예가 많다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.10

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  [나노] 나노 스핀트로닉스

  현재 상용화되고 있는 GMR 헤드로는 약 10∼20Gb/in2의 기록밀도가 가능하다. ... 이 현상이 발견된 후 채 10년도 안되어 96년부터 고기록밀도 GMR HDD가 대량생산 체제에 돌입하였다. ... 일례로 97년 IBM에서 HDD용 헤드에 본격적으로 채용된 이래, GMR 헤드는 2001년 현재 전세계 자기헤드의 97%를 차지하며 약 80억달러의 시장으로 성장했다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.19

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  인도의 물류시장 현황과 전망

  연 20% 이상 증가해 2004 년 118 만 톤 규모 ▶2006 년 1 월 인도정부는 델리와 뭄바이 공항 현대화를 계획 • 실시 뉴델리 공항 : 독일의 Fraport 와 제휴한 GMR

  리포트 | 33페이지 | 3,900원 | 등록일 2008.11.16

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  [과학기술]나노기술

  미국의 경우, IBM이 1997년 11월 거대자기저항(GMR) 나노 소재로 컴퓨터 하드디스크를 세계 최초로 제작해 선을 보인 바 있다. ... IBM사는 이 GMR 소재를 이용한 하드디스크를 내놓은 지 일년도 안돼서 하드디스크 시장의 판도를 바꿔놓았다. 우리의 실생활에서 나노기술로 사용되는 예가 많다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.07

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  [신소재과학] 생활속의 나노기술

  GMR을 우리말로 풀면 ‘거대 자기 저항이라는 뜻 이다.) ... 최근에 초고용량 하드디스크들이 많이 쏟아져 나오고 있는데 이러한 하드디스크들을 살펴 보면 GMR헤드라는 것을 가지고 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.13

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  차세대 비휘발성 메모리

  이와 같은 자기저항 현상으로는 이방성 자기저항 (AMR :anisotropic magnetoresistance), 거대자기저항 (GMR : Giant Magnetoresistance

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.20

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  [재료금속] Spintronics (스핀트로닉스)

  Parkin 그룹은 GMR head의개발을 위해 상온에서 큰자기저항값을 나타내며 작은보자력을 갖는 시스템을 집중적으로 연구하였다.[9] GMR head는 현재의 하드디스크용량한계를 ... 현재 GMR 현상은 학문적 관심뿐만 아니라 그응용성면에서 산업계에서도 비상한관심을 기울이고 있다. ... 극복하고 비약적인용량증대를 도모하는데 필수적이며, 그연구결과로 현재 GMR head 응용으로 가장각광받고 있는 스핀밸브구조(Spin Valve structure)를 개발하였다.[10

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.22 | 수정일 2017.07.17

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  [나노] 나노

  이러한 GMR 현상은 1988년에 Fert 등에 의하여 발견되었으며, 발견된 지 10년만인 1998년에 340억불에 이르는 컴퓨터의 HD 시장을 점유하였다. ... 또한, 고분자를 이용한 전자 시스템에서도 나노기술이 미치는 영향이 표면에 드러나고 있다. (1) 자기 분야 GMR 구조의 경우, 매우 감도가 높은 자계 센서에 응용될 수 있다. ... GMR 구조의 또 다른 응용 분야로서 1,000억불에 이르는 RAM(Random Access Memory) 시장을 놓고 경쟁을 벌일 MRAM(Magnetic RAM)을 들 수 있다.

  리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.28 | 수정일 2016.11.15

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  [나노] 나노분말재료

  Changwon National University Material Science Engineering 응 용 분 야 나 노 과 학 ◈ 전자 분야 거대자기저항(GMR) 소자 나노 크기를 ... 재료가 구리처럼 자성을 갖지 않는 재료와 함께 구조를 이루는 복합 재료에서는 외부에서 가해 주는 자장에 의해 재료의 전기 저항이 민감하게 변화하는데, 이러한 현상을'거대자기저항 (GMR

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.03

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  [반도체] Spintronics FET

  Spintronics Technology 개요 1) Spintronics 기술의 연구기관 및 기술수준 비교 GMR(Giant MagnetroResistance)에대한 기초 및 응용연구는 ... Spintronics technology { 2) Spintronics의 기술 동향 스핀전자재료 기술에서 가장 먼저 발견된 거대자기저항(Giant Magnetro- Resistance, GMR ... 같은 학회에서 Honeywell 사는 6인치 웨이퍼 상에 GMR 스핀밸브와 feature 크기 가 0.35㎛인 CMOS 반도체 공정기술을 이용하여 1 Mbit 급 MRAM의 시제 품을

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.01.16

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