"항공대 전회실" 검색결과 1-11 / 11건

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  한국항공대 전회실 전자회로실험

  1. 실험 목적1) 다이오드와 같은 비선형 소자의 근사적 해석에 사용되는 소신호 모델의 개념을 이해하고 실험을 통 해 얻어진 결과치와 소신호 해석의 결과치와의 차이를 비교한다.2) 제너 다이오드의 특성과 이를 사용한 정전압 회로의 동작을 이해하고 실험으로 확인한다.2..

  리포트 | 6페이지 | 11,000원 | 등록일 2021.01.06 | 수정일 2021.03.14

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  Mosfet 다단 증폭회로

  실험 결과: (앞서 진행한 실험의 경우 tr에 너무 작은 전류가 흘러 2~3mA의 전류가 흐르도록 저항을 수정하여 추가로 진행하였다, ) Tr1 : 2.24mA, Tr2: 2.24mATarget 전류를 2~3mA로 조절하자 출력전압이 입력전압에 대하여 증폭된 것을 확..

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.05 | 수정일 2022.03.04

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  OP-AMP 기초 실험

  1 [VP]의 입력전압 대비 출력전압이 14[VP]가 나온 것을 확인 할 수 있다. 즉, 입력 전압에 대하여 약 14배 가량 증폭하였다는 것을 알 수 있다. 또한 구형파의 모습을 보이며 입력에 대하여 반전 된 위상을 가지는 출력 파형을 보인다. 시뮬레이션의 경우 – 2..

  리포트 | 42페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.05 | 수정일 2021.07.13

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  공통소스 및 축퇴공통소스 증폭회로

  Drain 전류의 크기에 따라 동작점 Q가 부하선을 따라 이동한다. 따라서 n channel의 경우 대략 0.1~ 0.9[VPP] 이내의 입력 사인파를 가할 경우 왜곡된 출력파형이 관찰될 것이다. 왼쪽의 파형 사진의 경우 200mVP, 100kHz를 인가하였을 때 공통..

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.05 | 수정일 2022.03.04

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  Diode 기본 회로

  시상수는 커패시터가 방전시 37%가 될 때 까지 걸리는 시간이다. 시상수는 RC의 곱으로 나타낼 수 있으며 R,C가 클수록 37%가 되는데 시간이 걸려 그만큼 방전이 느려진다. 이로 인해 리플 전압의 기울기가 완만해 지는 것을 확인 할 수 있었다. 즉, RC값을 높..

  리포트 | 54페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.05 | 수정일 2022.03.04

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  Diode의 소신호 특성

  1.부하저항에 오실로스코프의 프로브 접지를 연결하자 입력전압이 반파되었다. 오실로스코프의 검정색 프로브에 내장된 Ground에 의해 다이오드(D3)의 양단에 접지가 연결되어 다이오드가 short되는 현상이 발생되었다. 이로 인해 입력 전압이 반파되는 형상이 일어났다고..

  리포트 | 32페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.05 | 수정일 2022.03.04

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  공통게이트 및 공통드레인 증폭회로

  1. 지금까지의 실험 결과를 바탕으로 Mosfet 사용시 전압 이득이 낮고 전류 용량이 BJT에 비해 작아 powersupply 전류 limit을 50mA로 걸어주고 실험을 진행했지만 동작 해석이 간단하며 전압을 사용하여 전류를 조절하기 때문에 시뮬레이션과 비슷한 수치..

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.05 | 수정일 2022.03.04

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  BJT 다단 증폭회로(예비 보고서)

  회로의 forward active mode를 관찰하기 위해서는 EBJ에 forward bias가 걸리기 위해 n에 (-) 전압을 p에 (+)전압을 인가해주어야 하며 CBJ에 reverse bias가 걸리기 위해 n에 (+)전압을 p에 (-) 전압을 인가해 주어야한다. ..

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.07.05 | 수정일 2022.03.04

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  BJT의 특성 및 바이어스 회로

  실험 진행 주의사항실험하기전에 power supply 전류 limit을 100mA에 설정해 놓아야 한다.: 트랜지스터에 과전류가 흐르는 것을 방지하기 위해 powersupply에 전류 limit을 걸어준다.사진과 같이 power supply 는 전압과 전류를 설정할 수..

  리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.05 | 수정일 2022.03.04

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  Mosfet 특성 및 바이어스 회로

  . → VA는 무한대에 가까울 수록(=saturation 영역에서 Drain 전류가 상승하지 않을 수록)좋기 때문에 더 큰 전압 이득이 필요할 경우 mosfet에 비해 bjt가 적합하다는

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.05 | 수정일 2022.03.03

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  공통에미터 및 축퇴 공통에미터 증폭회로

  1. 공통에미터 증폭회로 – 실험 결과 (파형의 왜곡 원인 및 소거 방법)(2)~(3). Ch6에서 구한 BJT DC 특성 실험 결과를 바탕으로 왜곡 원인을 파악한다.: Base 전류가 3µ,4µA 일 경우를 추가하여 그래프로 나타낸다. 결과:Base 전류의 크기에 따..

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.05

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