"FeRAM" 검색결과 41-60 / 79건

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  ITRS

  MOSFET을 위한 front end 플라즈마 에칭뿐만 아니라 DRAM의 stack, trench 캐패시터를 위한 재료 및 공정, flash메모리의 게이트 구조, 상변화 메모리, FeRAM저장 ... 저장 소자, 메모리 타입 개발 -6F2을 넘는 DRAM 저장 캐패시터의 scaling -Flash memory interpoly와 터널 oxide 두께의 scaling을 더 함 -FeRAM

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.30

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  [전공면접] 삼성전자 하이닉스 취업, PT면접대비 반도체 정리 자료

  electron의 회전 방향에 따라 한방향의 자계만 통과함 열에 의한 자화 요동과 TMR 두께가 균일하지 못해 신뢰성이 떨어짐 크기가 줄어들면 큰 전류가 필요해서 전력소모가 S커짐 - FeRam

  자기소개서 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.05.19 | 수정일 2017.10.10

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  결과보고서. 압전 세라믹스를 통한 일반적인 세라믹 공정의 이해

  첨단 응용으로는 강유전체 기억소자(FeRAM) 응용을 위한 박막 연구가 지난 20년 정도 활발히 진행되었으나 최근에는 조금 주춤해진 상태이다. ... FeRAM은 DRAM의 기억 세포에 강유전체 재료를 넣어서 외부 전원이 없더라도 정보가 사라지지 않는 비휘발성의 특성을 가지며, 강유전체의 자발 분극을 이용하므로 우주선에도 강하다는

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.07.21

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  [반도체]강유전체의 FRAM에서의 활용방안

  강유전체의 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)에서의 활용방안 2005年 月 日 목 차 제 1 장. 서 론 ?????????????????????? 4 제 2 장. 문 헌 조 사 ?????????????????????? 6 2.1 ..

  리포트 | 37페이지 | 5,000원 | 등록일 2005.12.06

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  [물리학 콜로퀴엄]무연계 강유전체 박막 소재 연구

  MRAM, PRAM에 비해 대량생산 기술이 더욱 성숙되어 있는 것이 FeRAM의 장점이다. ... FeRAM은 DRAM의 기억 세포에 강유전체 재료를 넣어서 외부 전원이 없더라도 정보 온도를 상전이 온도라고도 부른다. ... 첨단 응용으로는 강유전체 기억소자(FeRAM) 응용을 위한 박막 연구가 지난 20년 정도 활발히 진행되었으나 최근에는 조금 주춤해진 상태이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.11

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  인 메모리 컴퓨팅의 도입이 기업 경영에 미칠 영향과 기술적 개선 방향

  또한 IBM에서는 DBMS의 가장 큰 성능 저하의 원인들 중 하나인 디스크 로깅을 대체하기 위해 로그 저장소로 PRAM, MRAM, FeRAM 등과 같은 바이트 단위 접근 가능한 비

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.04.18

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  스마트결제

  Bus Bus는 ROM, EEPROM, FeRAM과 같은 모든 내부 요소들을 ROM, CPU에 연결시켜 주는 역할을 하며, 모든 Bus는 정보의 위치를 찾아주는 어드레스 Bus와 실질적인

  리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.12.05

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  스마트결제보안

  Bus Bus는 ROM, EEPROM, FeRAM과 같은 모든 내부 요소들을 ROM, CPU에 연결시켜 주는 역할을 하며, 모든 Bus는 정보의 위치를 찾아주는 어드레스 Bus와 실질적인

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.12.05

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  SRAM과 DRAM의 공통점, 차이점 분석

  memory에는 SRAM, DRAM, PSRAM 등이 있고, Non-volatile memory는 Mask ROM, EPROM, EEPROM, FLASH Memory, PRAM, FeRAM

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.18

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  스마트카드의 개념, 스마트카드의 구성요소, 스마트카드의 종류, 스마트카드의 초기화, 스마트카드와 공공부문, 스마트카드와 학생증, 스마트카드의 활용, 스마트카드의 응용

  BUS BUS는 ROM, EEPROM, FeRAM 과 같은 모든 내부 요소들을 ROM, CPU에 연결시켜주는 스마트 카드의 골격이다.

  리포트 | 12페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.26

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  [공학기술]요즘 새로 나온 저장매체(2005년이후로)

  이렇게 FeRAM은 “1”이 보유되어 있을 때에 커패시터의 전하를 꺼내어 읽어 낸다고 한다. ... . - 기본적인 구조 및 동작원리 FeRAM(Ferroelectric RAM)은 DRAM의 연장선에 존재하는 메모리 아키텍처에서, DRAM 셀에 있어서 전하를 보유하고 있는 유전체 ... FeRAM의 셀로서는 현재, 2T2C(2 트랜지스터 2 커패시터) 셀은 이미 실용화 되어 있는 것으로, 한 방향의 커패시터에 예를 들면 “1”이라고 하는 데이터를 기억시켰을 경우,

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.22

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  전자재료

  비휘발성 기억소자의 주요원료인 PZT계 혼합 금속 산화물 박막 및 후막은 강유전성을 이용한 비휘발성 기억소자(FeRAM), 유전특성을 이용한 이동 통신기기의 핵심 소자부품, 압전성을

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.12

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  [전자상거래] 스마트카드 ( SmartCard ) 에 관한 모든것

  일반적인 스마트카드의 내부는 다음의 그림과 같다. 1) BUS BUS는 ROM, EEPROM, FeRAM 과 같은 모든 내부 요소들을 ROM, CPU에 연결시켜주는 스마트 카드의 골격이다

  리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.10.22

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  [e비즈니스와 마케팅]메모리 시장 분석 및 향후 전망

  강유전체 메모리(FeRAM)는 지금까지 상용화된 유일한 대체 비휘발성 메모리이다. 2T2C형 및 1T1C형의 1Mb 이하의 메모리 용량을 갖는 단체 메모리가 시판되고 있다. ... 시장 조사기관인 Web-Feet 리서치에 의하면, FeRAM 시장규모는 2004년 8,300만달러에서 2008년 1억 9,000만 달러 규모로 성장할 것으로 예측되고 있다. ... 또한 시스템 온 칩(SoC)에 적합한 내장형 FeRAM 기술이 개발되어 RFID 태그, IC 카드 및 스마트 카드의 내장형 메모리로도 사용되고 있다. 64M급 이상의 대용량 메모리를

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.10

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  [재료금속] 강유전체

  서낙영 nyseo@dt.co.kr 게재일자 : 04/18 FeRAM (PZT, SBT, BLT) 현재 산업적으로 많이 사용되고 있는 반도체 메모리 소자는 DRAM이나 SRAM과 같이

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.22 | 수정일 2017.07.17

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  반도체 제조공정의 이해

  빛이나 열 , 또는 불순물을 가해주면 전기가 통하고 또한 조절도 할 수 있는 물질 반도체의 종류 메모리 비메모리 DRAM SRAM Flash MRAM Mask ROM EPROM FeRAM

  리포트 | 54페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.10 | 수정일 2021.06.17

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  Multiferroics.다강체 관련 레포트

  콜로퀴엄은 강유전체와 FeRAM에 대해 설명하면서 시작되었다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.11

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  강유전체의 특성 및 원리

  이 현상이 현저해지면, 메모리 셀의 바꾸어쓰기 동작 회수가 제한됨은 물론, 파괴적 읽어내기 방식을 이용하는 capacitor형 FeRAM의 경우에는 읽어내기 동작의 회수도 동시에 제한된다

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.02.26

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  [반도체 제조공정] 반도체 제조공정

  1T FeRAM의 게이트 절연체(gate insulator)로서 응용된다. ... 메모리 분야는 크게 DRAM(dynamic random access memory)와 FeRAM(ferroelectric random access memory)에의 응용으로 나눌 수 ... DRAM에는 강유전체의 큰 유전율을 이용하여 커패시터(capacitor)로 응용되고, FeRAM에서는 1T/1C(one transistor/one capacitor)에서의 커패시터와

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.11

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  ReRam,RRAM,저항메모리 기능과메카니즘

  하지만, 앞에서 언급한 FeRAM, MRAM, PRAM에 비해 아직은 연구개발 단계로서 상용화에 이루어지는 재료개발부터 해결해야 할 문제가 많다.

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.03.07

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