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공통소스 및 축퇴공통소스 증폭회로
Drain 전류의 크기에 따라 동작점 Q가 부하선을 따라 이동한다. 따라서 n channel의 경우 대략 0.1~ 0.9[VPP] 이내의 입력 사인파를 가할 경우 왜곡된 출력파형이 관찰될 것이다. 왼쪽의 ..
공학/기술
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2021.07.05
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14페이지
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2,000원
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조회(95)
전자회로실험
,
항공대
,
공통소스
,
전회실
,
ㅅㅁㅎ
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Diode의 소신호 특성
1.부하저항에 오실로스코프의 프로브 접지를 연결하자 입력전압이 반파되었다. 오실로스코프의 검정색 프로브에 내장된 Ground에 의해 다이오드(D3)의 양단에 접지가 연결되어 다이오드가 short되는 현상이 발생되었..
공학/기술
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2021.07.05
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32페이지
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2,000원
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조회(29)
다이오드
,
전자회로실험
,
항공대
,
Diode
,
전회실
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Diode 기본 회로
시상수는 커패시터가 방전시 37%가 될 때 까지 걸리는 시간이다. 시상수는 RC의 곱으로 나타낼 수 있으며 R,C가 클수록 37%가 되는데 시간이 걸려 그만큼 방전이 느려진다. 이로 인해 리플 전압의 기울기가 완..
공학/기술
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2021.07.05
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54페이지
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2,000원
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조회(22)
다이오드
,
전자회로실험
,
항공대
,
Diode
,
전회실
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공통게이트 및 공통드레인 증폭회로
1. 지금까지의 실험 결과를 바탕으로 Mosfet 사용시 전압 이득이 낮고 전류 용량이 BJT에 비해 작아 powersupply 전류 limit을 50mA로 걸어주고 실험을 진행했지만 동작 해석이 간단하며 전압을 사..
공학/기술
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2021.07.05
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15페이지
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2,000원
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조회(78)
MOSFET
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전자회로실험
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항공대
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공통게이트
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OP-AMP 기초 실험
1 [VP]의 입력전압 대비 출력전압이 14[VP]가 나온 것을 확인 할 수 있다. 즉, 입력 전압에 대하여 약 14배 가량 증폭하였다는 것을 알 수 있다. 또한 구형파의 모습을 보이며 입력에 대하여 반전 된..
공학/기술
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2021.07.05
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42페이지
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2,000원
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조회(34)
OP-Amp
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전자회로실험
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항공대
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Mosfet 특성 및 바이어스 회로
실험 결과: Pinch off 상태가 되면 더 이상 전류는 상승하지 않는 Saturation 상태가 된다. 이후 Drain 전압을 상승시키면 Drain 쪽 채널이 점점 Drain 에서 멀어지는 길이 변조가 발생한다..
공학/기술
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2021.07.05
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19페이지
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2,000원
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조회(107)
보고서
,
전자회로실험
,
항공대
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,
바이어스 회로
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BJT 다단 증폭회로(예비 보고서)
회로의 forward active mode를 관찰하기 위해서는 EBJ에 forward bias가 걸리기 위해 n에 (-) 전압을 p에 (+)전압을 인가해주어야 하며 CBJ에 reverse bias가 걸리기 위해 n에..
공학/기술
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2021.07.05
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7페이지
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1,000원
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조회(21)
BJT
,
전자회로실험
,
항공대
,
다단증폭기
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Mosfet 다단 증폭회로
실험 결과 : (앞서 진행한 실험의 경우 tr에 너무 작은 전류가 흘러 2~3mA의 전류가 흐르도록 저항을 수정하여 추가로 진행하였다, ) Tr1 : 2.24mA, Tr2: 2.24mA Target 전류를 2~..
공학/기술
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2021.07.05
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14페이지
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2,000원
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조회(30)
MOSFET
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전자회로실험
,
항공대
,
전회실
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다단 증폭회로
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공통에미터 및 축퇴 공통에미터 증폭회로
1. 공통에미터 증폭회로 – 실험 결과 (파형의 왜곡 원인 및 소거 방법) (2)~(3). Ch6에서 구한 BJT DC 특성 실험 결과를 바탕으로 왜곡 원인을 파악한다. : Base 전류가 3µ,4µA 일 경우를..
공학/기술
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2021.07.05
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14페이지
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2,000원
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조회(33)
전자회로실험
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항공대
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공통에미터
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전회실
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공통에미터 증폭회로
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BJT의 특성 및 바이어스 회로
실험 진행 주의사항 실험하기전에 power supply 전류 limit을 100mA에 설정해 놓아야 한다. : 트랜지스터에 과전류가 흐르는 것을 방지하기 위해 powersupply에 전류 limit을 걸어준다. ..
공학/기술
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2021.07.05
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22페이지
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2,000원
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조회(65)
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