전자회로 설계 및 실험 6 MOSFET 소스 공통 증폭기의 특성 예비보고서

소개글

고려대학교 전기전자전파공학부 전자회로 설계 및 실험

목차

1. 실험 목적

2. 기초 이론

3. 실험 부품 및 장비

4. 실험 과정

본문내용

JFET와 마찬가지로 MOFSET도 드레인 전류 가 게이트 전압에 의해 제어되는 전계 효과 트랜지스터이다. MOSFET와 JFET은 물리적으로나 동작에 있어서 서로 다르다. MOSFET은 제작되는 방식에 따라 디플리션(Depletion)형 또는 인핸스먼트(enhancement)형으로 구분된다. MOSFET는 JFET보다 훨씬 더 큰 입력 임피던스를 갖는다.

인핸스먼트형 MOSFET(Enhancement MOSFET)

인핸스먼트형에서는 드레인과 소스 사이에 채널이 형성되어 있지 않고, N형 드레인과 소스는 오른쪽 그림에서 보는 바와 같이 P형 기판에 의해 분리되어 있다. 그림에서 보면 기판 위에 매우 얇은 막(절연막)을 형성하고, 그 위에 게이트로 작용하는 금속이 증착된다. 그리고 게이트, 드레인, 소스 및 기판에 전극용으로 오믹(Ohmic) 접촉이 형성된다. 기판이 내부적으로 소스와 연결되는 경우에는 기판 리드선이 불필요하다.
게이트가 FET의 기판으로부터 절연되어 있기 때문에, MOSFET는 절연 게이트 FET (IGFET)라고도 한다. 물리적인 채널은 존재하지 않지만, 그림 13-1의 MOSFET를 N채널 스먼트형이라고 한다.
게이트와 기판은 절연막에 의해 분리된 커패시터의 전극판 역할을 한다. 게이트가 기판에 접속된 소스에 대해 정(正)이면(그럼 13-2), 커패시터는 충전된다. 이때 게이트가 정이기 때문에 드레인과 소스 사이의 반도체 표면에는 음전하(전자)가 유도되어 채널이 형성되고, 소스-드레인 회로에 전류가 흐르게 된다.

N 채널 인핸스먼트형 MOSFET은 게이트가 소스에 대해 정일 때만 전류가 흐르고, 게이트-소스 바이어스가 0이면 차단 상태로 된다. 게이트는 기판으로부터 절연되어 있기 때문에, 비록 게이트가 기판에 대해 (+)일 지라도 직류 게이트 전류는 흐를 수 없다. 그러므로 MOSFET는 고임피던스 트랜지스터이다.
그림 13-3(a)와 (b)는 N과 P채널 인핸스먼트형 MOSFET에 대한 회로 기호를 나타난다. 여기서 점선으로 된 수직 채널선은 인핸스먼트형 MOSFET를 의미한다.

참고 자료

없음