"RF Sputtering" 검색결과 201-220 / 329건

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  ITO Glass

  ITO Glass 코팅 ① DC sputtering DC Sputtering은 LCD제조에 있어서 아주 중요한 공정 중의 하나이다.DC Sputtering시에는 전자의 이동을 용이하게 ... 하기 위해서 진공상태를 만들어줘야 한다. ② DC/RF sputtering ③ Ion plating 이온플레이팅은 은 박막의 성질을 향상시키기 위하여 glow discharge를 ... ITO Glass 의 생산 공정 ITO Glass의 경우 먼저 In2O3와 SnO2를 혼합, 소결하여 Sputtering용 타겟을 제조하게 되는데 그 공정은 세라믹스 생산 프로세스인

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.05.27

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  구리필름 전기적 특성

  정비례하므로 조절이 쉽다. - RF sputtering에 비해 성막속도가 크다. - 박막의 균일도가 크다 - Ta를 줄이도록 한다. ... DC Sputtering의 특징을 보면 - 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다. - 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다. - 전류량과 박막두께가 거의 ... 이러한 RC delay에 의한 신호지연 및 cross talk 문제의 해ity를 조절 할 수 있다. ①Sputtering Sputtering은 chamber내에 공급되는 gas cathode에서

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.14

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  MOS 소자 형성 및 전기적 성질 확인

  Sputtering(Reaction Ion)을 이용하여Oxidation을 형성한다. ... 정도 담궈 준다. (5) 마지막으로 다시 DI water로 행궈주고 질소 gas를 통해 표면에 있는 물기를 제거해준다. 2) Oxidation 형성 : 는 열산화법을, 물질 X는 RF

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.12

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  TFT LCD manufacturing, 생산공정, TFT 원리, Thin Film Transistor (TFT) 원리

  인(P)를 Doping하는 n+a-Si:H막의 경우는 PH3가 첨가되며, Rf Power, 증 착 온도, Gas 유입량 및 전극과 Substrate 간의 거리가 형성되는 막의 성질을 ... Reactive Sputtering은 증착 중에 Chamber내에 Reactive Gas를 주입시켜 Targ et으로 부처 Sputtering 되는 원자들과 주입된 Gas들이 반응하여 ... Sputtering된 원자들은 상호 충돌과 간섭을 통하여 가진 에너지를 소모하고 유리 기판 표면에서 상호 결합하여 박막 형태로 성장하게 된다. 　

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.23

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  Sputter

  ITO 박막의 특성을 결정하는 조건(증착압력, RF power 등등)에 대하여 알아보자. 3.실험기구, 장비, 재료 : -증착 장비 (RF-Sputter, 고진공 펌프, 저진공 펌프 ... 1.실험제목 :RF-Spuutter를 이용한 ITO 증착 2.실험목적 :1.Sputter를 이용하여 ITO박막을 증착해보자. 2.Sputter 장비의 증착 순서를 익히고, 각각의 부품 ... RF Sputtering DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다.

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.24

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  [발광디스플레이 실험] Sputtering

  Sputtering 고 에너지를 가진 입자를 이용해 증착 시키고자 하는 물질의 표면을 이온폭격 하였을 때에 재료의 원자가 증기상으로 방출 되게 된다. ... 증착 할 시간에 맞춰 10분, 20분, 40분 동안 증착 한 후 RF power를 꺼 플라즈마를 소멸시켜 증착을 종료한다. 18. ... 이 상태에서 controller의 RF power를 작동시켜 radio frequency power를 걸어 주어 +, -극을 바꿔가며 metal 과 glass 사이의 Argon 기체를

  리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.01

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  lcd 개론

  (통상적으로 RF 방전 이용)• Magnetron Sputtering 방법: DC Plasma 이용. ... 시켜, Sputtering된 원자들은 상호 충돌과 간섭을 통하여 가진 에너지를 소모하고 유리 기판 표면에서 상호 결합하여 박막 형태로 성장. ... Sputtering금속막 및 투명전극의 박막 증착에 사용• 원리: Ar 가스에 플라즈마 방전을 일으켜 이 때 생성되는 Ar+ 이온으로 target 금속(증착 물질)을 sputtering

  리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.09.24

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  [공학기술]박막증착 기술보고서<스퍼터링&CVD>

  이론적으로 배웠던 스퍼터링의 종류에 DC planar diode 스퍼터링, Triode 스퍼터링, Magnetron 스퍼터링, RF 스퍼터링, Ion beam 스퍼터링 기술 등이 있다 ... 박막증착이 특히 핵심적인 분야인 반도체 산업에서는 RF 스퍼터링 혹은 Ion beam 스퍼터링 기술을 이용해왔으나 최근에 엑시머 레이저를 이용한 방법도 개발을 하고 있다. 3. ... Sputtering 스퍼터링(Sputtering)은 PVD에 해당하는 증착법 중의 하나이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.14

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  진공증착과 음극스퍼터링

  . ° Sputtering yield (Y) ; the number of atoms ejected from the target surface per incident ion ° Sputtering ... 도금이 된다. 6) 직류스퍼터링의 단점 1) 생성속도가 적다. 2) 타깃은 금속에 한정되어 있다. 3) 타깃은 판상으로 해야 한다. 4) 기판이 가열되기 쉽다. 7) 고주파 스프터링(RF ... 일반적으로 이온의 조사에 대해서 Ag 가 크고, C는 작다. ° Sputtering Yield 단결정의 결정면에도 영향 단결정의 최근접 원자의 방향.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.11

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  LCD 제작 공정

  Deposition Reference 1 Sputtering 공정 (증착공정) - 금속재료의 deposition Sputtering은 RF power나 DC power에 의해 형성된 ... 증착에 필요한 조건은 진공상태, RF power, 기판온도, 반응 gas, 반응 압력 등이다. ... Chemical Vapor Deposition) 반도체나 절연막의 deposition 진공을 이루는 Chamber 내부에 증착에 필요한 gas를 주입하여 원하는 압력과 기판 온도가 설정되면 RF

  리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.03

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  박막증착 공정과 식각 공정 자료입니다.

  Physical deposition (Evaporation and Sputtering) Evaporation The metal layers for all of the early semiconductor ... The RF induces eddy currents in the charge, causing it to heat. ... When depositing insulating materials such as SiO2, an RF plasma must be used.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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  [공학기술]박막 공정,PVD,증착,진공증착,스퍼터링 보고서

  고주파 스퍼터링(RF sputtering)37p 4.4.3. 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)38p 4.4.4. ... 이온빔 스퍼트링(Ion Beam Sputtering)39p 4.4.5. Bias Sputtering39p 4.5. 이온도금40p 4.6. 이온 빔 증착40p 5. ... Sputtering의 가장 큰 특징은 momentum transfer process라는 점이다.

  리포트 | 70페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.08.16

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  진공증착 (Sputtering)_pre

  진공증착 (Sputtering) ⅠObject 진공시스템에 포함되어 있는 압력계의 펌프의 원리를 이해하고, 진공도에 따라 사용할 수 있는 압력계와 펌프의 종류를 알아본다. ... RF 바이어스는 노출된 웨이퍼를 식각하고 세척한다는 또 다른 정점을 준다. 바이어스 극성이 바뀔 때 아르곤 원자전하를 갖게 된다. ... 기체인 산소, 질소, N O 등도 사용할 수 있다. 2) 스퍼터링 방법 스퍼터링 방법 박막을 증착하기 위해서 사용되는 스퍼터링 방법에는 세 가지가 있다. ⅰ) 다이오드 DC 스퍼터링 RF

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.06.10

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  각종 진공 펌프 원리 사용 방법 sputter 1

  RF를 끈다. 전원을 내린다. ... 냉각수 및 공압 밸브를 잠근다. 3.Sputtering 방법으로 증착된 금속 박막의 surface profiler를 이용한 두께 측정 결과와 4-point probe로 측정된 두께측정결과 ... 증착조건 RF magnetron sputter를 이용하여 80 mA로 5분간 상온에서 증착 한다. (working pressuer torr) 3.

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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  Zn2GeO4 based phosphor 녹생형광체

  Fabrication methods of Zn2GeO4:Mn Phosphor (1) RF Sputtering 10/20 3. ... ACTFEL에 사용되는 이 형광체는 Pulsed Laser Deposition, RF Sputtering 으로 만들어진다.

  리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.11.05

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  증착법, 스퍼터링, 박막 공정 (THIN FILM PROCESS)의 기초

  글로우 방전은 DC 또는 AC(RF systems)에 의해 이루어 짐. 플라즈마 생성 과정 전압이 가해지지 않았을 때 가스는 중립의 원자 상태로 존재함. ... 물리 기상 증착법(Sputtering) 1. Sputtering 이란? ... 증착률 감소 열산화보다 밀도가 낮다. b) SiH4, N2O 사용 PECVD 법 이용 RF 장점 - Step coverage가 좋음 - 공백(void)이 없음 - 다공질(유전상수가

  리포트 | 41페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.10.17 | 수정일 2014.08.27

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  CVD 와 PVD 코팅

  법(DC, RF, Magnetron, Reactive) 진공 챔버내에 불활성 기체(Ar, He, Ne, Kr)을 채워 고전압내에서 방전시키면 이온화된 불활성 기체가 타겟에 충돌하게 ... 조건을 결정하는 인자를 독립적으로 변화시키는것이 어려움 2) 형성되는 막에 sputter gas가 포함됨 3) Sputter 속도는 증착법에 비해 일반적으로 느림 4) 고전압이 요구되며 ... 수 있음 3) 증발원으로부터 이물질 혼입이 없어 순도 관리가 용이 4) 증발재료의 교환빈도가 적어 연속화 작업이 용이 5) 반응성 가스를 혼합시켜 화합물의 증착이 가능 단점 1) Sputter

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.05

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  방사선 응용 및 실험 (Sputtering의 원리, HgI2, Diffusion Pump, Rotary pump, 진공, Magnetron sputtering)

  상태로 돌아가고 이온화 된 후 다시 충돌하는 과정을 반복함. [3] Magnetron sputtering - Target의 뒷면에 영구자석이나 전자석을 배열함으로써 전기장에 의해(RF ... 요오드화칼륨 수용액으로 요오드화수은(Ⅱ)착염을 만든다. [2] Sputtering의 원리 - 높은 에너지를 가진 입자들이 target에 충돌하여 target 원자들 에게 에너지를 전달해줌으로써

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.20

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  박막증착 (박막공정)

  DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판 상에 옮겨 붙이는 공정이다. ... 이 중 Sputtering의 경우 타겟에 박막의 원하는 물질 넣어주고 챔버 위에 이를 증착시킬 기판을 놓아둔다. ... Sputtering 전계에 의해 가속된 Ar+ ions에 의해 film source 물질을 때려 떨어져 나온 물질이 wafer위에 증착되게 하는 기술.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.13

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  스퍼터링(sputtering)

  Sputtering은 실로 많은 부분에 사용되어지는 없어서는 안 될 기술이라고 할 수 있다. ... Sputtering process의 가장 우수한 특성은 증착된 물질의 기상으로의 이동이 chemical, thermal process이 아니라 physical momentum exchange ... 직류 3극 스퍼터링 장치의 개략도 DC Sputtering의 특징을응성 스퍼터링법에서 가장 주의해야할 것은 반응가스의 분압을 정확히 조절해야 한다는 것인데, 이것은 정확한 화학양론비를

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.18

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