"RF Sputtering" 검색결과 181-200 / 329건

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  리소그라피와 패터닝

  패턴을 얻기가 쉽지 않음 레이저 패터닝 Motivation - CVD PVD PVD : Physical Vapor Depostion Thermal evaporation DC or RF ... Sputtering – 충남대학교 표면처리 연구실 참고자료 감사합니다 2009.11.05.Thu 화학문헌학 {nameOfApplication=Show} ... 패턴에 따른 mold 의 크기를 변화시켜 각종 패턴형성가능 향후전망 반도체 제작공정 – 동아대학교 신소재공학과 재료공학실험실 web.skku.edu/~std/ newpages /Sputter.htm

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.05

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  스퍼터링(sputtering deposition)의 이론 및 원리

  교환하여 표면에서 밖으로 튀어 나오는 현상 [충돌 전] [충돌 후] Sputtering (장치) Ar g a s DC/RF 전원 MFC 기판전극 기판 plasma Rotary pump ... (RF sputtering) • 원리 - 고주파의 주파수 영역 : 공업용 해당 주파수인 13.56 MHz - 고주파 전위를 전극에 걸어주었을 때 음의 반주기 동안은 양이온을 끌어들여 ... Sputtering techniques Sputtering (특성) 거의 모든 원소를 sputtering 할 수 있으며 합금이나 화합물도 조성을 유지하면서 증착이 가능 증착시 증착물의

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24

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  PVD Evaporation & Sputtering 종류 및 원리,

  Sputtering 일반 Ion Beam Sputtering Magnetron Magnetron 일반 DC Sputtering VHF/RF Sputtering Reactive Ion ... (라) 고주파 스퍼터링 기술 (RF Sputtering) 직류 전원 대신에 임피던스 정합회로를 매개한 고주파(13.56MHz) 전원을 사용하여 플라즈마를 발생시키는 방식. ... (다) 직류 2극 스퍼터링 기술 (DC Sputtering) 직류 글로우 방전을 이용한 가장 기본적인 방법으로, 음극에 타겟, 양극에 기판을 놓는다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.28

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  Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu-Ti 박막의 후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과 비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험

  즉 물질에 따라서 수 10nm/분 ~ 200nm/분의 두께이다. - 타깃은 판상으로 해야 한다. - 기판이 과열되기 쉽다. 2) RF Sputtering DC sputtering에서는 ... RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의 sputtering이 가능하다. ? ... 이러한 현상을 "Sputtering 현상" 이라고 한다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25

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  진공증착 (Sputtering)_re

  Data 및 Data 계산 1) 증착질량 증착질량= Sputtering 후 glass plate 질량 - Sputtering 전 glass plate 질량 2) 몰수 금(Au) m.w ... ㆍPlasma CVD : RF Glow Discharge에서 전기 에너지에 의해 반응을 촉진시켜 박막형성 을 행하는데, 이 과정에서는 열을 필요로 하지 않으므로 저온화가 가능하다. ... Sputtering Ⅰ Abstract 이번 실험은 스퍼터링에 대해 이해하고 그와 관계된 압력계, 펌프등에 관해 이해하는 실험이었다.

  리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.06.10

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  DRY ETCHING

  RIE 는 그림에 표시된 것처럼 웨이퍼가 RF 가 인가되는 전극 (cathode)벽 특성을 만들어낸다 . 애노드에는 스퍼터링이 없다 . ... 이 좋음 , Gas 사용으로 습식식각에 비해 상대적으로 깨끗하고 안전 단점 : 물리적 충돌에 의한 식각도 일어나므로 완벽하게 특정 물질의 선택적 식각이 어려움 건식 식각의 분류 Sputter

  리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.05.21

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  [박막공학]이온빔의 원리와 스퍼터링

  플라즈마 발생원리 + 고주파 가열 플라즈마 (RF) 전자파의 진동 전계에서 흔들린 전자가 기체 분자와 충돌하고 전리가 진행하여 방전이 유지 왜 RF를 이용하는가? ... Sputtering 원리 투사입자 방출입자 그림4. ... 그래서 플라즈마에서 RF는 절연파괴를 위해 사용한다. 정의 : 강력한 투사입자들의 충격에 의한 고체 Target 으로 부터 입자의 방출 Target 그림3.

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.27

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  플라즈마 공정

  RF스퍼터링 RF스퍼터링 (RF Sputtering) →플라즈마를 DC전력공급장치가 아닌 AC전력공급장치로 얻는 방식으로, 비전도성 표적재료의 경우 DC전력공급장치를 사용할 경우 피처리물 ... Sputtering : ion등을 전계로 가속시켜 대상물질에 입사시 키면, 대상물질에서 이온등의 입자가 방출되 고 이것들을 기판에 증착 또는 코팅시킴. ... - 부도체 박막 증착시키는 방법 - 장점 : RF전원입력을 사용하여 부도체 재료를 스퍼터링 할 수 있음.

  리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.16

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  Color TFT

  Heater 기판 Sputtering Target 기판 RF-Power 13.56MHz Vacuum Chamber Ar+ Plasma SiNx/a-Si/n+a-Si 증착 (PECVD ... MASK4) SiNx 증착 보호막 에칭(MASK5) n+ a-Si Etch-Back n+a-Si/a-Si/SiNx 증착 ITO 증착 S/D Metal 증착 Gate (MASK 1) Sputtering ... ) ⑤ n+ a-Si ⑦Data배선 (Cr) ⑦ Source (Cr) ④ E/S (SiN) Etch-Stopper type TFT-Array Cr증착(2000Å) Glass 기판 Sputtering

  리포트 | 87페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.12.09

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  건식식각공정

  Dry Etch에 영향을 미치는 요인 RF파워 : 플라즈마의 발생 비율, 밀도, 충돌 에너지 등에 따라 식각 속도 변화 기판온도 : 식각대상 물질의 온도에 따라 식각 속도 변화 가스종류 ... PHYSICAL(SPUTTER) ETCH 방식 - 물리적 반응 식각 주로 불활성 이온이 외부에서 인가된 에너지를 가지고 웨이퍼 표면에 물리적 충돌을 일으켜 막질의 결정 구조를 깨트리며

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.21

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  [LCD실험] TFT-LCD 분석

  증착(Deposition) 1) Sputtering: DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착 하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는

  리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  [LCD실험] Color filter 제작 및 분석

  A=log(1/T)=εcl로 정의하여 그 관계를 설명한다. ( ε : 몰 흡광계수, c : 몰농도, l : 샘플의 길이 ) 공정 process 1)증착(Deposition) 1) Sputtering ... : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착 하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 공정이다. 2) Evaporation: evaporation의

  리포트 | 9페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  PVD와 CVD의 비교 및 분석

  Sputtering 증착법 - 기본 Sputtering 과정 진공상태에서 금속 화합물로 만들어진 Target에 고전압을 공급하여 주면 Target 주위에 Plasma방전이 발생되고, ... 유입된 반응가스를 분해시키는데는 열, RF전력에 의한 Plasma 에너지, 레이져 또는 자외선의 광에너지가 이용되며, 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 ... 방전영역에 존재하고 있는 양이온들이 전기적인 힘에 의해 Target 표면에 충돌하여 Target에서 떨어져 나온 원자들을 기판위에 증착시켜 박막을 제조하는 방법 Sputtering법은

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.15

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  [발광디스플레이 실험] CNT 성장을 위한 기본 기판 만들기

  ⑤ Strip 마지막으로 photoresist가 제거된다. wafer위에는 pattern 대로 생성된 산화막 만이 남음으로써 photolithography 과정이 완성된다. 2) Sputter의 ... RF 발생기를 직접 ground를 연결하고나 챔버벽 또는 기판 고정 장치에 ground를 시켜서 작은 크기의 coupied electrode를 만들 수 있다. ... RF스퍼터링을 이용하면 금속, 합금, 산화물, 질화물, 탄화물 등 거의 모든 종류의 물질을 스퍼터 증착할 수 있지만, 생성된 막이 target의 조성과 반드시 일치하지 않기 때문에

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.01

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  TCO(Transparent Conductive Oxide) 의 종류 및 ITO 제조 공법에 따른 장, 단점 비교 분석

  미세 Pattern성은 Sputter 및 증착막 보다 좋지 못함. ... ○:음이온 O2- ITO의 결정 구조 1) 비저항의 낮음 2) 유리기판에 대한 강한 부착력 3) 투명도가 높음 4) 적절한 내약품성 5) 전기화학적 안정성 6) Magnetron Sputtering ... 스퍼터 CTO 90 16 1.2*1020 2*10-3 40 RF 스퍼터 ZO 80 30 1*1021 2*10-4 400 진공증착 ≥88 33.1 1.36*1021 1.38*10-4

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09

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  각종 진공 펌프 원리 사용방법 sputter

  Sputtering 원리 및 사용 방법 - 원리 : sputtering법은 sputtering 가스를 진공분위기로 이루어진 camber내로 주입하여 성막하고자 하는 target물질과 ... RF전원이 공급되면, 양(positive)의 반주기 동안에 전자가 음극으로 끌려가서 전자 전류가 흐른다. ... 떨어져 나간 물질들은 보통 3~10eV의 운동 energy를 갖고 있어 진공증착보다 더 좋은 기판 부착력을 보여준다. 2) RF-다이오드 스파터링 부도체 목표물이 음극판 위에 놓여

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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  Sputtering

  종류 DC sputtering - 직류 전원을 사용하여 전도체를 sputter RF sputtering - 고주파 전원을 사용하여 금속 뿐만 아니라 부도체 sputter 가능 Triode ... Sputtering Micromachining Process Sputtering 이란? ... 운동에너지로 충돌할 경우 입자 충격에 의해 물질의 격 자 간 원자가 다른 위치로 밀리게 되는데 이때 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상 Micromachining Process Sputtering

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.03

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  [재료 금속 박막 증착] PVD CVD(박막)

  이러한 system은 DC와 RF 모두에서 동작하게 된다. DC diode system에서는 cathode가 dual capacity로서 작용하게 된다. ... 이러한 Sputtering 현상을 이용하여 wafer 표면에 금속막, 절연막 등을 형성한다. ... ●Sputtering 고체의 표면에 고에너지의 입자를 충돌시키면 target 물질의 원자가 완전탄성 충돌에 의해 운동량을 교환하여 표면에서 밖으로 튀어나오게 된다.

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.09.12

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  PLD 타겟 제조방법에 관한 레포트

  물론 RF Sputter방법을 사용하여 산화물 형태를 증착시키기도 하지만 PLD를 사용하여 증착하면 보다 쉽게 박막을 얻을 수 있따. ... PLD와 Sputter의 차이점은 아래와 같다. ... 또한 Sputter방법은 산화물형태인 부도체(insulator)를 기판위에 증착시키는데 어려움이 있다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.27

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  [박막 공정] 박막공정(스퍼터링, CVD)

  Parallel flow 1 the horizontal of cold wall type : a classical configuration 2 the horizontal reactor with rf ... space로 되돌아와서 negative glow region에 진입되어 전자가 부가되는 에너지에 의해 cathode discharge에 의해 glow discharge를 유지 ▶ Sputtering의 ... 열전자 공급에 의한 가스 이온화율 향상 3 가스 압력 저하 4 스퍼터링 도금속도 향상 5 활성화가스 사용시 비효율적 6 축자장의 적용으로 플라즈마 손실 방지 ▶ Magnetron Sputtering

  시험자료 | 5페이지 | 6,900원 | 등록일 2004.06.15 | 수정일 2014.06.30

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