"RF Sputtering" 검색결과 121-140 / 329건

• 

  Cu 박막 전기적 특성 분석

  DC sputtering RF sputtering Magnetron sputtering 3) Four Point Probe 4-point probe는 반도체의 resistivity, ... 원에 영구자석이나 전자석을 배열함으로써 전기장에 의해(RF 또는 DC)target로부터 방출되는 전자를 target 바깥으로 형성되는 자기장내에 국부적으로 모아 Ar 기체원자와의 충돌을 ... 두 번째로 Sputter장비에서의 진공상태에서 다른 불순물과의 반응으로 인해 오차 발생을 유추할 수 있다.

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.09.21 | 수정일 2015.09.17

  다운로드 장바구니
• 

  [금속공학실험]ZnO박막 실험

  이온빔 스퍼터링(Iom-beam Sputtering) ②RF(Radio Frequency) 과정 : RF 마그네트론 3. ... 과정 가) 다이오드 스퍼터링(Diode Sputtering) 나) 삼극 스퍼터링(Triode Sputtering) 다) 자기 스퍼터링(Magnetron Sputtering) 라) ... Sputter deposition의 단점 1) 성막속도가 낮다.(

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.25

  다운로드 장바구니
• 

  진공 및 박막의 전제척인 개념 및 박막의 3가지 성장모델, CVD & PVD 비교 정리

  RF 스퍼터링은 RF 주파수 13.56MHz를 걸어주어 플라즈마를 형성한다. ... PVD 증착방법에는 Sputtering, E-beam evaporation, Thermal evaporation, MBE 등이 있다. ... Evaporation Sputtering 고체 -> 액체 -> 기체 (분자, 원자) 고체 -> 고체입자, 이온원자, 분자 10^-6 Torr 이하의 고진공 10^-3 Torr 이상의

  리포트 | 8페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

  다운로드 장바구니
• 

  magnetron sputter를 이용한 박막 형성 실험레포트

  실험 결과 RF - Magnetron Sputtering system의 값은 다음과 같이 나타났다. ... Sputtering Target AZO Temperature 상온 Gas type Ar 20sccm Power 100W Rotate speed 3 Pre-sputtering 1min ... sputtering Time 20min Base Pressure 2.7×10-6torr Sputtering을 하여 이런 결과 값이 나왔다. target가 Ti가 아닌 AZO를 중심으로

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.18

  다운로드 장바구니
• 

  sputtering을 통한 metal deposition 및 I-V, C-V 측정

  , modified RF magnetron sputtering 다음 두 가지 방법이 기본이다. ① metallic cathode ? ... 과목명 마이크로팹설계 및 실험 실험제목 Sputtering을 통한 Metal deposition 및 I-V, C-V 측정 실험목적 Si wafer에 알루미늄을 Sputtering을 ... 불활성 기체로 Ar이 탁월 - 값이 싸고, 무거워서 sputtering yield가 높다. 2) reactive process DC diode, RF diode, triode, magnetron

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

  다운로드 장바구니
• 

  E-beam evaporator 원리

  DC, RF, DC MAGNETRON, RF MAGNETRON ION PLATING 구 분 장 점 단 점 CVD ? ... (SPRAY) 화학증착법(CVD) APCVD, SPCVD, PECVD, EPITAXY, MOCVD SOL-GEL DIPPING 물리적 박막 형성 진공증착법(evaporation) SPUTTERING

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2015.06.12

  다운로드 장바구니
• 

  15Etching

  Sputter Etching (5) DC 스퍼터링은 도체만 스퍼터 시킬 수 있으나 RF 스퍼터링은 유전체를 포함한 모든 종류의 고체 물질을 스퍼터할 수 있다. ... Sputter Etching (4) 1. ... 사용할 때 더 크다. * 입사각과의 관계 : 대부분 입사각이 증가함 에 따라 효율이 증가한다. (40˚~60˚ 영역에서 최대가 되었다 감소.) ② RF 스퍼터 식각 RF 전계에서 진동하는

  리포트 | 48페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 공정의 이해

  Generic logic + Analog( Mixed ) + RF ….. Low power logic( LP ) + Analog( Mixed ) + RF …. ... Low voltage logic( LV ) + Analog( Mixed ) + RF …. ... Sputtering : 진공챔버내에 Ar 같은 기체를 넣고 음극에 전압을 가하면 음극으로부터 방출 된 전자들이 Ar 원자와 충돌하여 Ar 을 이온화시킨다 .( glow discharge

  리포트 | 29페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.18

  다운로드 장바구니
• 

  Working Pressure에 따른 Ti의 증착율과 비저항의 변화

  실험방법 Ar 가스를 이용해 RF & DC 스퍼터링 방법으로 증착을 한다. ... 실험제목 Working pressure의 변화에 따른 Ti의 증착율과 비저항의 변화 (using Sputter) 실험날짜 2012년 4월 12일 목요일 실험조건 power: 100W

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.10.02

  다운로드 장바구니
• 

  투명전극의 광학적 전기적 특성

  금속과녁을 사용하고 RF Sputtering 에서는 유전체과 금속과녁을 사용한다. ... *glow discharge Sputtering - Sputtering은 glow discharge를 발생시키는 방법에 따라 DC와 RF Sputtering으로 분류하며 DC Sputtering에서는 ... ▶Sputtering 대형 유리의 반투명 코팅, 디스플레이용 유리의 무반사 무정전 코팅, 폭이 넓은 플라스틱 필름의 웹코팅 등에 사용하는 광학 박막은 Sputtering으로 증착된다

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.09.30

  다운로드 장바구니
• 

  LCD에 대한 모든 자료 입니다.(의미, 종류, 특징, 역사, 구조, 제조공정, 응용분야, 향후 연구개발 등)

  반도체막으로는 활성층을 이루는 비정질 실리콘(a-Si:H)과 접촉 저항층을 이루는 도핑된 비정질 실리콘막(n+ a-Si:H)이 있다. ☞ Sputtering공정(증착공정) Sputtering은 ... 증착에 필요한 조건은 진공상태, RF power, 기판온도, 반응gas, 반응 압력 등이다. ... RF power나 DC power에 의해 형성된 plasma 내의 높은 에너지를 갖고 있는 gas ion이 target표면과 충돌하여 증착하고자 하는 target 입자들이 튀어나와

  리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.01.03

  다운로드 장바구니
• 

  열화학기상증착법(Thermal-CVD)과 수열합성법(Hydrothermal solution)을 이용하여 각 기판위에 나노와이어 성장

  증착이 끝나면 셔터 닫고 RF 끄고 power 내리고 gas 끄고 온도 내리고 고진공 벨브 잠그고 전원 off하고 게이트 다 열고 30분 놔두고 40°C가 되면 Vent하고 꺼내고 ... Result and characterization Sputtering 방법을 이용하여 각각 spahire 기판에 Ar gas와 O2 gas를 증착시켜 SEM분석을 통해 형상을 얻었다

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.05.14 | 수정일 2017.05.29

  다운로드 장바구니
• 

  박막증착

  아마도 단원자들은 DC 스퍼터링에 반응하고 화합물은 RF/Pulsed DC Sputtering이나 반응성 DC Sputtering에 반응한다. ... Physical Vapor Deposition 주요한 PVD 기술은 Sputtering, E-Beam, Evaporation 그리고 Thermal Evaporation이다. 1) Sputtering ... 다른 예로, PECVD는 MOVCD와 비슷한 반면, 기체상에서 화학변화를 촉진하기 위해 마이크로파 또는 RF로 발생되는 plasma를 사용한다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

  다운로드 장바구니
• 

  ITO

  RF Sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의 Sputtering이 가능하다. sputtering DC sputtering RF sputtering ... 이러한 단점은 RF Sputtering함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar압력에서도 plasma가 유지될 수 있다. ... 전자와 기체의 충돌을 촉진시킴으로써 낮은 Ar압력하에 Sputter할 수 있게 하거나, magnetron방식을 사용하여 해결할 수 있다. 2) RF sputtering DC Sputtering에서는

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.05

  다운로드 장바구니
• 

  PVD 증착

  Thermal Evaporation E-Beam Evaporation DC Sputtering RF Sputtering Magnetron Sputtering PVD ┃ Introdution ... PVD ┃DC Sputtering 절연체의 박막을 증착 시키기 위하여 개발 PVD ┃RF Sputtering 장점 : 부도체 재료 sputter 가능 낮은 압력하에서 사용가능 단점 ... : 생성 막이 일부 target 의 조성과 반드시 일치하지 않음 PVD ┃RF Sputtering taget N S N S Ar plasma clamp Chuck/heater gas

  리포트 | 46페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.07.29

  다운로드 장바구니
• 

  [재료공학] Sputter의 원리와 종류

  Sputter etch(Back sputtering) 에서는 기판에 -100V -200V 정도의 RF 또는 DC (-) bias를 걸어주어, Ar+ ion을 기판에 충돌하게 함으로써 ... Sputter의 원리 와 종류 Sputtering은 chamber내에공급되는 gas cathode에서 발생되는 전자사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면-. ... 이러한 단점은 RF sputtering함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될수있다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.04.02 | 수정일 2017.07.17

  다운로드 장바구니
• 

  Introduction of ITO Sputter & Technology

  Vacuum Pump Technology of ITO 6 Sputtering Deposition Process  RF(Radio Frequency) Sputter Deposition ... (BaTiO3) Cathode Target Ar+ - - - - possible RF Sputter Deposition Insulating Materials (BaTiO3)  Good ... discharge Gas than DC  Less Ar entrapment  Possible of Insulating Materials Deposition  Merits of RF-Sputtering

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09

  다운로드 장바구니
• 

  ITO Glass

  기판이 과열되기 쉽다. 2) RF Sputtering : DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. ... , Pulsed laser deposition 등이 있는데, 가장 많이 사용되는 방법은 DC/RF Magnetron sputtering이다. * Magnetron Sputtering ... 그런데 Magnetron Sputtering은 target(cathode)의 뒷면에 영구자(CoSm, Alnoco)이나 전자석을 배열함으로써, 전기장에 의해(RF 또는 DC) cathode로부터

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.17

  다운로드 장바구니
• 

  금속재료실험 과제물

  RF Sputtering 방법이 부도체 박막을 증착하는데 사용될 수 있는 이유를 서술하시오. ... (DC Sputtering과 비교하되 정확한 메커니즘으로 설명할 것) RF 스퍼터링 장치는 절연체의 박막을 증착시키기 위하여 개발되었다. 5~30 MHz는 전형적인 RF 진동수 범위인데 ... RF 발생기를 직접 ground를 연결하거나 챔버벽 또는 기판 고정 장치에 ground를 시켜서 작은 크기의 coupled electrode를 만들 수 있다.

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  스퍼터링

  Sputtering 이란? 고체의 표면에 고에너지의 입자를 충돌시키면, 그 고체표면의 원자·분자가 그러한 고에너지 입자와 운동량을 교환하여 표면에서 밖으로 튀어나오게 된다. ... Sputter 된 원자의 first ionization potential 이 스퍼터링 가스의 metastable 에너지 보다 작은 경우 서로 충돌하여 sputter 된 원자는 이온화되어 ... 이러한 스퍼터링 방법을 RF 스퍼터링이라고 한다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.10

  다운로드 장바구니