"RF Sputtering" 검색결과 41-60 / 329건

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  [재료공학실험]투명전극재료의 합성 및 물성 평가

  마그네트론 Sputtering 법에 의한 ITO 박막의 합성 1) RF, DC, Pulse DC-Sputtering System으로 건조시킨 glass 기판 사용하여 합성 다. ... Plasma 및 Sputtering 제조공정 학습을 통한 공정설계 능력 배양. 다. ... 스퍼터링 방법에는 DC 스퍼터링과 RF 스퍼터링 두 종류가 있는데, 우로 가속되어 가면서 carrier gas인 Ar 입자를 만나 Ar을 양이온으로 만들고, 양이온이 된 Ar이 타겟

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.02.20 | 수정일 2022.02.22

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  [2019최신 공업화학실험] 패터닝 결과보고서

  하지만 C2F6를 60% 이상 넣게 되면 C2F6가 형성한 polymer가 오히려 Sputtering 을 방해하고, 식각 속도가 감소하는 것이다. ... 하지만 일정량 이상의 주입은 형성한 polymer가 오히려 Sputtering 을 방해하기 때문에 식각 속도가 감소하는 것이고, 우리 실험 역시 C2F6을 66% 이상으로 주입했다면 ... [Figure 1] [Figure 2] 위 두 그래프는 가스 조성과 압력은 고정시키고 RF Power 만 변화시켜 RF Power 에 따른 식각 속도를 나타낸 그래프이다.

  리포트 | 15페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.01.31 | 수정일 2020.02.10

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  film deposition issue

  하지만 전압의 방향을 계속해서 바꿔주는 RF Sputtering은 대전이 되지 않기 때문에 도체와 부도체 모두 이용 가능하다. ... Sputtering방식은 target을 음극 전극위에 두고 wafer를 양극 전극위에 두고 가스(주로 Ar)를 주입한다. ... 걸어주는 전기장이 일정한 방향인 DC Sputtering은 부도체를 사용하면 음극에 점점 이 쌓여서 대전되어 제대로 동작을 할 수 없기 때문에 도체만 이용이 가능하다.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.11.13

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  반도체 공정 관련 내용 정리 리포트

  metal both 가능 but insulator RF만 가능 -> dipole SF6 etching plasma => Ar additive => N2,O2 SF6 + Si => ... 불순물 제거 위해 shutter 닫아줌) 이후 sputtering 진행 FPP 균일도 측정 면저항 = 비저항(물질 고유 특성)/두께 Power supply target에 따라 DC/RF ... Thin film (PVD) : Sputtering Direct(Ti) vs Reactive(TiN) => 면저항값 측정 비교 Direct -> target에 존재 , Reactive

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.12

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  카이스트(한국과학기술원) KAIST 일반대학원 반도체시스템공학과 자기소개서 연구계획서

  Magnetron Sputtering 법으로 제조된 LaFeO3 박막의 가스감지특성 연구, 미세먼지 포집 강화를 위한 자기 분극 나일론 11 나노섬유를 사용한 광투과성 공기 필터 ... 형상 변형 효과를 이용한 기존 SOT와 STT-SOT 쓰기 방식의 스위칭 성능 비교 연구, SnakeByte: GPU에서 적응형 및 재귀적 페이지 병합을 사용한 TLB 설계 연구, RF

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.03.23

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  ITO Film 제조 및 특성 평가 결과보고서

  진공이 유지된 Chamber내에서 Sputtering 기체로 불활성 물질인 아르곤(Ar)가스를 흘려주면서 Target에 교류 전원(RF)을 인가하면(㎠당 1W정도), 증착하고자 하는 ... Sputtering법 : Sputtering이란 간단히 말해 금속판에 아르곤 등의 불활성 원소를 부딪쳐서 금속 Sputtering은 분자를 쫓아낸 후 표면에 막을 부착하는 기술이다. ... 실 험 방 법 -ITO 제작 - Roll Sputter (Sputtering 방법) -저항 측정 - 4-Point Probe -투과도 측정 - UV-Vis Spectrometer

  리포트 | 20페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.03.01 | 수정일 2022.12.03

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  [신소재공학실험]박막 실험

  결과 분석 RF - Magnetron Sputtering system의 값은 다음과 같이 나타났다. ... Sputtering Target AZO Rotate speed 3 Temperature 상온 Pre-sputtering 1min Gas type Ar 20sc㎝ sputtering ... Time 20min Power 100W Base Pressure 2.7× 10 ^{-6}torr Sputtering을 하여 이런 결과 값이 나왔다. target가 Ti가 아닌 AZO를

  리포트 | 9페이지 | 3,600원 | 등록일 2022.08.28

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  반도체공정 기말정리

  Sputtering 구 전극에 고전압을 걸어주면 전기장에 의해 Ar gas가 플라즈마로 변해 Ar+이온을 형성한다. ... 가해주면 RF power에 의해 + - 로 순식간에 바뀐다. ... RF AC power source 부도체는 금속이 아니어서 DC에서는 Ar이 표면에 가속시킬 수 없어서 특정한 주파수로 계속 + - 로 바꿔줘여한다.

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.10.22 | 수정일 2024.04.30

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  2019 상반기 LG 디스플레이 R&D 자기소개서

  실험에서 사용한 장비는 DC/RF Sputter입니다. 이 장비에서 에너지를 공급하는 방법은 크게 두 가지로 RF Power와 기판 온도입니다. ... 이에 RF Power를 변경하여 광투과도를 70%까지 향상했습니다. 여기서 실험을 종료하지 않고, 더 높은 광투과도를 위해 기판 온도도 변경했습니다.

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.18

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  2017하 ASML(Customer Support Engineer) 서류합격자소서

  st T urning point [ 실험 설계 부터 데이터 정리 / 분석까지 ] 학부 연구생 #FTO 전극소자 #Fluorine Tin Oxide #Thermal CVD #DC/RF ... Sputtering #UV-Vis #Hall Measurement #Rhino # Origin #Excel 1 st Turning point 01 Thermal CVD 를 이용한

  자기소개서 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.06.16

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  2019 상반기 온세미컨덕터 공정 기술 자기소개서

  첫 번째는, RF Power입니다. RF Power가 증가하면 Sputter 된 ITO가 높은 에너지를 가질 것으로 예상했습니다. ... 문제는 RF Power가 300W일 때 발생했습니다. 광투과도는 향상했지만 300W부터는 전기적 성질이 감소하는 것을 발견했습니다. ... 원인은 Re-sputtering으로 예상했고, 이에 RF Power를 증가하지 않고, 에너지를 공급할 두 번째 방안을 생각했습니다. 두 번째는, 기판 온도입니다.

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.18

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  Applied Materials 합격 자소서~

  신소재공학도로 4년이라는 시간 동안 Sputter와 CVD를 활용한 증착에 관한 이론적 공부와 실습을 진행해왔습니다. ... 주로 사용하던 FCC 구조인 구리 기판 위에 그래핀과 같은 HCP 구조의 코발트를 RF magnetron sptter로 증착시킨 후 그 위에 그래핀 생산에 들어갔습니다. ... 또한 Sputter, TCVD와 같은 증착장비를 실습에서 사용하고 MEMS 반도체 실습에서는 fab 내에서 트랜지스터 제작을 통해 반도체 공정에 대해 경험적으로 배워왔습니다.

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.05.02

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  투명전극(ITO)과 진공펌프 및 게이지와 스퍼터링의 종류들과 원리

  이온 펌프(ion pump) 특징 -이온화 과정을 이용하기 때문에(Sputter ion pump)라고 부르기도 한다. ... Reactive sputtering : RF보다 불리함 -RF sputtering- a. 전도체, 절연체, 비금속, 유전체 b. ... Reactive sputtering에 적합 ③DC/RF 마그네트론 스퍼터링 장치 기존 스퍼터링 방법에 자기장을 사용하면 마그네트론이라는 단어를 붙여 마그네트론 스퍼터링 방법의 특징을

  리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2019.07.03 | 수정일 2019.07.04

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  2019 상반기 앰코테크놀로지코리아 품질 관리 자기소개서

  첫 번째는, RF Power입니다. RF Power가 증가하면 Sputter된 ITO가 높은 에너지를 가질 것으로 예상했습니다. ... 이 지식을 활용하고자 학부생 연구프로그램에 참여하여 Sputtering 장비를 직접 조작했습니다.

  자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.18

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  2019 하반기 삼성 전자 설비 기술 합격 자기 소개서_합격 인증

  그 방법은, RF Power입니다. RF Power가 증가하면, Sputter 과정에서 많은 에너지를 부여하리라 생각했습니다. ... 온도를 250℃로 유지하며, RF Power를 증가한 결과, 광투과도에도 영향을 주지 않고 전기적 특성이 향상했습니다.

  자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.17 | 수정일 2020.05.19

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  현대자동차_자기소개서 (환경차 배터리개발)

  용액 공정은 현재 상업적으로 주로 사용되는 RF Sputter나 CVD등의 고가의 증착 방식보다 비교적 쉽게, 다양한 구성비를 조절하여 여러 물질을 합성 시킬 수 있는 것이 장점입니다

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.01.02

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  여천NCC 전기,전자직 합격자소서

  Magnetron Sputter로 성장한 ZnO 박막의 열처리에 따른 특성분석 연구에 팀장으로 참여했습니다. ... 행동과 그 행동이 갈등해결 및 단체에 어떤 영향을 주었는지 상세히 작성하시기 바랍니다. [500~1000 Byte 이내] [프로젝트 팀장으로서의 고민] 학부과정에서 교수님의 지도로 RF

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.11.05

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  2019 상반기 TES / 테스 설비 기술 합격 자기 소개서_합격 인증

  그 방법은, RF Power입니다. RF Power가 증가하면, Sputter 과정에서 많은 에너지를 부여하리라 생각했습니다. ... 온도를 250℃로 유지하며, RF Power를 증가한 결과, 광투과도에도 영향을 주지 않고 전기적 특성이 향상했습니다.

  자기소개서 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.17 | 수정일 2020.05.19

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  LG,삼성,외국계대기업합격한 어마한 PT자기소개서, 경력기술서 입니다 . 이거 하나면 끝입니다. 잘 참고 하시면됩니다.

  600매750매 ) (4) 장비 호기/Chamber간 Etching 편차 및 Recipe Tuning을 통한 GaN 잔류 개선 ⓐ Chamber 간 편차 개선 : 3%0.5% ⓑ RF ... 효과 2) 신규 모델 공정 조건 Sch Wafer) (1) Dry Etch (Oxide, Nitride) Set up  Pressure, GAP, Gas Flow 설정 (2) Sputter ... scratch 감소 (3) 신규 공법 추가  Die sorter set up 양산 적용 4) Capacity 관련 (1) Al lift off 공정 skip : 공정 비용 감소 : Sputter

  자기소개서 | 15페이지 | 6,000원 | 등록일 2020.03.22 | 수정일 2023.02.09

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  [시험자료] 반도체공정및응용 중간고사 정리 (족보)

  저압 할로겐이 풍부한 환경에서 RF 에너지가 기판에 적용되면, material can be removed by both chemical means and ion bombardment ... 높은 Selectivity를 가지며 높은 Etch Rate을 가진다. (2) Sputter etch(Physical Etch) : Plasma를 생성하면서 만들어진 Ar 이온을 이용하여

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.20 | 수정일 2019.12.02

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