"RF Sputtering" 검색결과 141-160 / 329건

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  Cu film의 전기적 특성 분석 실험

  (glow discharge) 충 돌 전충 돌 후 ② Sputtering의 특징 ? ... target 물질의 면적비와 대차가 없어 응용범위가 넓다. - 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다. - 전류량과 생성피막의 두께가 정비례하므로 두께의 조절이 쉽다. - RF ... 금속 target을 반응성 증착으로 절연막 형성 - 생성된 막이 target의 조성과 반드시 일치하지 않는다. Ⅲ) magnetron sputteringⅣ) Reactivity Sputtering

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.04.03

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  스퍼터링 실험실 설계

  않은 현상으로 인식 -박막작성의 응용연구 1963년 - Bell Lab., Western Electric (DC Sputtering) 1966년 - IBM , 고주파(RF)Sputtering ... – 압력은 막질( 응력등 ), 막두께분포, Rate등에 영향을 끼친다. • Cathode (Target)에 RF나DC전력을 투입, Plasma를 발생시킨다. – RF는 절연물의 성막 ... Sputtering 기본이론 Sputtering 구성 Sputtering기기 선정 Sputtering의 기본이론 -역사 -이온스퍼터링 -이온스퍼터링의 종류 -Sputtering의 성막과정

  리포트 | 54페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.28

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  ZrAlN/CrN Multilayer 와 Nano composite에 대한 비교연구

  실험 이론 RF Magnetron Sputtering XRD 원리 Bragg's law JCPDS RF Magnetron Sputtering XRD (X-Ray Diffractometer ... Magnetron Sputtering 으로 ZrAlN/CrN Multilayer 를 증착시킴 Multilayer와 Nano-Composite 비교분석 1. ... Number, Quality : ★, I, C, O, 無 분자량 시료의 결정 구조 및 격자 상수 측정 조건 시료의 명칭과 화학식 2θ값, 강도값 및 면지수 실험 방법 Si 기판위에 RF

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.11

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  ZnO의 성장 및 열처리 조건이 물질 특성에 미치는 영향

  시료제작 방법 (Sputtering) 4.

  리포트 | 48페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.12.18

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  thin file공정

  박막제조공정(Thin film process) 2-1 세척(Cleaning) 2-2 증착(Deposition) 1) Sputtering : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 ... CVD은 박막 증착 과정에 기체 성분들간에 화학결합이 수반된다는 점에서 PVD와 Sputtering과 다르다. ... polymer 등)을 수십~수천 두께로 특정 기판 상에 올리는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 Thermal evaporation, E-beam evaporation, Sputtering

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.04

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  금속 박막증착

  성장속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하며, RF sputtering에 비해 성장속도가 크다. ② RF 스퍼터 : DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 ... 실험장비는 DC 스퍼터, RF 스퍼터, 마그네트론 스퍼터, E-beam evaporator 등이 있다. ... 장 점 단 점 ㆍ비금속, 합금, 산화물, 질화물, 탄ve sputtering RF 보다 불리함 적합 ③ 마그네트론 스퍼터 : 플라즈마를 영구자석에서 발생하는 자속(flux)에 의해

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.24 | 수정일 2015.02.12

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  Sputter 장비 매뉴얼

  Sputter 1. R.V, M.V가 잠겨있는지 확인. 2. H.L.V Open (Purge) 3. ... RF Controll 0W → RF Controller/AC Power/RF Power Off 23. ... RF Power On 15. AC Power On 16. RF Controller On → 30W로 Control → Reflected Power 확인 17.

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.17

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  [A+] LCD 디스플레이 개념, 특성, 분류, 형대, 구동방식 및 동작방식, 제조공정 방법 구조 분석

  공정 ( 증착공정 ) Sputtering 은 RF power 나 DC power 에 의해 형성된 plasma 내의 높은 에너지를 갖고 있는 gas ion 이 target 표면과 충돌하여 ... PECVD 와 sputtering 방식으로 증착함 PECVD 의 원리 : 플라즈마의 이온 분해 SiNx 와 a- Si:H 박막생성 Sputtering 의 원리 : 금속표면의 원자 이동현상 ... 제조공정 - TFT 공정 방법 및 종류 (1) 노광공정 (2) 시각공정 (3) Dry etch 공정 ( 식각공정 ) (4) Photolithography 공정 ( 현상공정 ) (5) Sputtering

  리포트 | 33페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.26

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  [진공과학] 진공증착

  Sputter etch(Back sputtering)에서는 기판에 -100V ～ -200V 정도의 RF 또는 DC (-) bias를 걸어주어, Ar+ ion을 기판에 충돌하게 함으로써 ... Plasma CVD : RF Glow Discharge에서 전기 에너지에 의해 반응을 촉진시켜 박막형성을 행하는데, 이 과정에서는 열을 필요로 하지 않으므로 저온화가 가능하다. ( ... 증착속도가 증가하는 효과 및 sputtering된 입자들과 방전가스와의 scattering이 알곤 압력의 증가에 따라서 더 심해져서 증착속도가 감소하는 효과가 동시에 나타남. * RF

  리포트 | 11페이지 | 4,000원 | 등록일 2004.11.14 | 수정일 2015.09.25

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  Cu film의 전기적 특성분석 실험

  스퍼터의 종류로는 DC sputtering과 RF sputtering이 있다. ... 일반적으로 1mΩ부터 10㏁Ω까지의 소자저항을 측정할 수 있으며 표준저항으로 측정해 본 결과 1% 이내의 측정정확도를 갖고 있다. 2. sputter : 스퍼터(Sputter)는 스퍼터링 ... RF sputtering은 고주파를 사용한 스퍼터링으로 저압에서도 플라즈마를 유지할 수 있다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.12

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  각종 진공 pump 원리 및 사용 방법

  Sputtering 증착법: RF Sputtering 증착법 v RF sputter의 구조 ⑺. ... Sputtering 증착법: DC sputtering 증착법 v DC sputter의 구조 ⑹. ... DC MAGNETRON SPUTTER 작동법 1) 맨아래 전원을 켠다. 2) 냉각수 밸브가 열려 있는지 확인 냉각수밸브가 열려 있지 않으면 알람이 작동 3) 로타리 펌프와 디퓨전펌프의

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.03

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  Diode-3주차 예비레포트

  plasma, and those methods which use RF plasma are called RF sputtering methods, while those using direct ... . ⓐ Sputtering method In a sputtering method, generally a film is formed by causing a glow discharge ... sputtering methods Sputtering methods are classified according to the method used to generate argon

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.03.18

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  SPUTTERING

  Sputtering 그림 5. simplified RF Sputtering system : RF Sputtering 은 금속 이외에도 비금속, 절연체 , 산화물, 유전체 등의 sputtering이 ... Sputter란 무엇인가? 스퍼터(Sputter)는 스퍼터링 방식으로 박막을 제조하는 장치이다. ... 목차 Sputter란 무엇인가?

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.18

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  [디스플레이공학 중간고사 정리]성균관대 이준신 교수님 중간고사 정리

  성장 단계(active step) PECVD이용 PECVD의 문제점 : 대면적 증착시 평판 전극의 면적을 늘리고 플라즈마의 체적을 크게 해야한다는 점과 성막 속도를 유지하고자하는 RF전력도 ... 장 : a-Si TFT보다 채널을 작게 만들어도됨 -> 화면의 개구율 증가 Sputtering은 기체의 Plasma에서 생성된 고 energy의 양이온이 전기적으로 음극인 Target ... 이온은 주입하는 단계에서 결정질 상태의 다결정 실리콘은 비정질화 되T와 gate, data line을 보호하는 목적 6) 화소전극 형성 공정(ITO step) Sputtering 방법으로

  시험자료 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.06.08

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  GDS 실험

  이용하여, 시료 중의 원소를 Sputtering하고, 원소의 발광스펙트럼을 이용하여 금속합금시료의 정성 및 정량분석(bulk analysis)와 반도체, 특수재료, 코팅합금, 박막시료 ... in RF than DC Population of excited levels higher in RF than DC Cu intensites higher in RF than DC, ... Electron impact ionization이 효과적으로 일어나며, 특히 RF에서만 발생되는 α 이온화는 ‘wave-riding’ electron으로부터 생기며 이 전자들은 RF의

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.06

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  신소재 실험

  반대 쪽에는 기판을 두고 둘 사이에 전압을 인가하되 직류(DC)와 라디오 주파수(rf), 중간주파수(mf)의 방식으로 한다. 2-2.Sputter 현상 Glow discharge를 ... √열적 특성: 활발한 열운동 에너지로 축적된 고온 Plasma를 열원으로 사용가능. 1-3.Plasma의 종류와 응용 ① Plasma의 종류 DC Plasma / RF Plasma ... 2-1.Sputter의 정의 Sputter는 Sputtering 방식으로 박막을 제조하는 장치로 진공 상태에서 아르곤 가스를 소량 주입하고 한편에는 재료 물질인 원반형 타겟을 두고

  리포트 | 13페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.03.01 | 수정일 2018.10.22

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  deposition 방법

  박막증착은 특히 반도체산업에서 핵심적인 분야인데 그동안 이온 빔(ion-beam), 전자 빔(electron-beam) 또는 RF(Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering ... Sputtering의 경우는 이온화된 원자(Ar)를 전기장에 의해 가속시켜 박막재료(source material)에 충돌시켜면, 이 충돌에 의해 박막재료의 원자들이 튀어 나온다. ... 금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착법 물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 Sputtering 증착법 - Atomic Layer Deposition(ALD) 진공증착

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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  ITO 증착에 관한 이론보고서

  공정 RF power나 DC power에 의해 형성된 plasma 내의 높은 에 너지를 갖고 있는 gas ion이 target 표면과 충돌하여 증착하 고자 하는 target 입자들이 ... Roll Sputter Front-door Sputter - Sputter 장치의 종류 ㄱ) Roll Sputter - Chamber 내에 Cathode가 ... 실 험 이 론 2.Sputtering 장치 현재 산업체에서 가장 보편적으로 이용되고 있는 박막제조 장치.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.22

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  박막증착

  Sputter etch(Back sputtering) 에서는 기판에 -100V ∼ -200V 정도의 RF 또는 DC (-) bias를 걸어주어, Ar+ ion을 기판에 충돌하게 함으로써 ... RF sputtering에 비해 성막속도가 크다. -. 박막의 균일도가 크다. -. 높은 에너지의 공정이므로 밀착강도가 높다. (단점)-. ... 기판 bias 전압결정 : -50∼-100W Sputtered 박막의 구조 Sputter deposition한 박막의ng하는동안 target보다 훨씬 작은 (-) bias를 기판에

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.24 | 수정일 2017.07.17

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  CIGS태양전지의 구조

  재료: ZnO 제조법: RF-Sputtering, 반응성 Sputtering, 유기금속화학증착법 6.반사방지막 Grid 반사방지막(AR layer) (앞면 투명전극)window layer ... 개방전압에 높게되어 높은 효율을 얻을 수 없으므로 기존의 CuInSe2(1.04eV)에 Ga원소를 첨가하여 밴드갭을 1.5eV로 높임 재료: Cu, In, Ga, Se 제조법 : Sputtering

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.23

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