"Ti deposition" 검색결과 41-60 / 204건

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  화학ppt

  An ore is a mineral deposit concentrated enough to allow economical recovery of a desired metal. ... (s) CaO (s) + CO2 (g) 2PbS (s) + 3O2 (g) 2PbO (s) + 2SO2 (g) Chemical Reduction TiCl4 (g) + 2Mg (l) Ti

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.12.06

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  반도체 입문교제(Metal)

  TDMAT : Ti(N[CH3]2)4. ... PVD(Physical Vapor Deposition) : 물리적 기상 도포, 플라즈마를 이용하거나 금속 재료를 가열하여 금속 막을 웨이퍼에 deposition하는 방식. 2. ... 다음 sputter 방식으로 Ti이나 Co를 증착한후, RTP(Rapid Thermal Process) 열처리를 실시하면 Ti이나 Co가 Si과 접촉한 부위에서만 Silicide(TiSi2

  리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08

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  deposition 방법

  ) PVD 공정은 생성하고자 하는 박막과 동일한 재료(Al, Ti, TiW, W, TiN, Pt 등)의 입자를 진공 중에서 여러 물리적인 방법에 의하여 기판 위에 증착시키는 기술. ... PVD(Physical Vapor Deposition)와 CVD(Chemical Vapor Deposition)다. ... )의 정의 기상증착법(Vapor Deposition)들은 크게 두 가지로 분류된다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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  RF sputtering

  sputtering 공정에서 이온 충돌 효과는 저 에너지 이온(200V 이하)에 의한 것이 주 관심사이다. (7) bias potential 함수에 따른 증착속도, 이온 전류밀도, 이온 대 Ti원자비 ... The deposition time, t, is shown. ④ 기판 온도와 negative bias에 따른 조직 Figure . ... °, deposition rate R=1 ㎚/s, and growth temperatures Ts of (a)350K, (b)420K, and (c)450K.

  리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17

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  NMOS 트렌지스터의 공정에 관한 설계 각각의 단위공정 전부 나와있음

  Deposition 저는 TiSiO2 를 Silicide로 사용 하고자 Ti을 얇게 Deposition했습니다. 31.SALICIDE 형성 ..PAGE:40 설계 과제 rf P- ... Gate Oxide Deposition 18. ... Gate Oxide Source Drain rf P- type Si wafer STI STI n+ Poly Gate Oxide Source Drain 30.SALICIDE를 위해 Ti

  리포트 | 46페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.03.01

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  TiN-TiC코팅에 따른 절삭 성능향상

  Ti-N Cam Shaft Chemical Vapor Deposition Ti-N의 결정구조 -5- ※가스로서 공급되는 성막의 구성 재료에 대하여 열·빛·전자기파 등의 에너지를 가하여 ... 높은 경도 강성이 크며 탄성계수가 강의 3배 350kg/cm²의 높은 응력에서도 소성유동 없음 강에 비하여 열팽창이 적음 열전도도가 높음 하드코팅 CVD Chemical Vapor Deposition ... 하드코팅 CVD Ti-N, Ti-C의 제조공정 Ti-N, Ti-C의 가공성 결 론 -2- 개 요 -3- 절삭공구들은 가혹한 마모조건 하에서 사용되기 때문에 우수한 내마모성 필요 경도가

  리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.08

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  수직자기기록 방식(HDD 구조부터 수직자기기록방식의 모든것)-발표용 PPT `Perpendicular Magnetic Recording` 자성물질,하드디스크,고밀도기록

  : 박막의 미세 조직 및 성분의 조절이 용이, 양산성 우수 Sputtering Deposition 원리 Sputtering Deposition Perpendicular Recording ... Sb 등 Magnetic moment 갖지 않음 - up, down Spin 쌍에 의해 상쇄 외부자기장과 반대방향으로 자화 Paramagnetism (상자성) Al, Cr, Na, Ti ... 부분 확대 사진 Perpendicular Recording 수직자기 기록방식의 기록매체 기록층 횡단면 왼쪽: TEM / 오른쪽: SEM 자성박막의 형성 방법 Sputtering Deposition

  리포트 | 24페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.15

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  Mitral Stenosis(승모판막 협착증), MS, 승모판 협착증, 승모판 협착증 원인,증상,치료

  . - valve leaflet(편막편)이 fibrous tissue(섬유성 조직) and/or calcific deposit(석회침착)으로 두꺼워진다. ① - mitral commissure ... 발생. not fatal MS가 점차 심해지고, pul. vascular resistance가 증가하거나 TS(삼천판협착증) or TR(Tricuspid Regurgitation= TI

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.12.04 | 수정일 2016.09.09

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  표면개질공학-2

  Ti, Nb, Mo, Cr은 탄화물 형성을 촉진한다. ... CVD (Chemical Vapor Deposition) 는 저온에서 기화한 금속화합물 염과 고온으로 가열된 기판 (제품) 에서 열화학적인 반응으로 금속 또는 금속화합물 층을 증착하는

  시험자료 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.06.24 | 수정일 2022.10.17

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  진공 및 박막 실험 최종 보고서

  Ti등)사이에 직류전압을 가하여,　이온화시킨 아르곤을 Target에 충돌시켜서 튕겨서　날아가 Target물질을 기판에 막이 형성되는 방법이다. ... High energy deposition이므로 박막의 불균일과 d경우와 마찬가지로 특별한 도구 없이 손쉽게 얻을 수 있는 글로 방전 플라즈마를 이용하였다. ... 발생시키는 소위 Microwave CVD기술이 DLC(Diamond - like carbon), c-BN 등의 박막 증착에 활용되고 있다. 1) 열 CVD (Chemical vapor deposition

  리포트 | 53페이지 | 6,000원 | 등록일 2012.11.24

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  다층 박막 분석 및 평가

  재료설계 및 평가실험 Ⅱ Ti/Si 다층박막의 열처리에 따른 형성 평가 및 분석 실험 1.실험목적 -PVD(Physical Vapor Deposition) 방법 중의 하나인 E-Beam ... Error range Si/Ti x5 Si/Ti x10 표 5 Ti/Si를 면저항을 비저항으로 환산 3)XRD 그림 2 Si/Ti x5 그림 3 Si/Ti x10 그림 1 Si/Ti ... 찍은 사진 x 600℃ 700℃ Si/Ti x5 800℃ 900℃ 표 2 Ti/Si x5의 표면을 FESEM으로 찍은 사진 x 600℃ 700℃ Si/Ti x10 800℃ 900℃

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.17

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  전기화학 리포트[고려대 A+ 받은것]

  To improve the adhesion of the gold film to the slide glass, 10 nm of a Ti film was evaporated prior ... to the Au deposition. ... As expected, when the deposition potential was set at 0.1V, Pb wasn’t deposited as shown in Figure 1.

  리포트 | 6페이지 | 5,000원 | 등록일 2010.12.16

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  나노와이어 에대한 조사보고서Total of Nanorods (or Nanowires)

  (접착제 역할) ZnO ALD(Atomic Layer Deposition) 방법으로 ZnO Rod 합성 산과 전압조건에 따라 Pore크기 조절 Al template 제작 ZnO Rod ... 성장 Appl, phys, lett. 90, 033104(2007)참고 2) Porous rod 제작 Ti, Si Si, Ti Si substrate Si Form Zn2SiO4, ... Zn2TiO4 Si, Ti Decompose to Zn O2 Hole Si substrate ZnO nanowire Zn2SiO4, Zn2TiO4 Layer Ti와 Si가 승화 1300

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.03.26

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  금속재료실험 과제물

  (a) 물리적 박막 증착 방법(PVD, Physical Vapor Deposition)과 화학적 박막 증착 방법 (CVD, Chemical Vapor Deposition)을 비교 설명하시오 ... TiN 과 Al2O3 박막을 증착하는 장비를 꾸미려 한다. sputtering target을 Ti target 과 Al2O3 target 을 사용할 경우 장비는 어떻게 꾸밀 것인가?

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.02.12

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  반도체 공정 실험

  ●PLD(Plused Laser Deposition) - PLD는 그림과 같이 외부에서 Target으로 주입되는 Laser Source를 이용해 Target의 조성의 변화 없이 기판가지 ... ●Electron-beam Evaporator - 각종 금속 (Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 다양한 유전체박막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비로 고융점에서 증착이 가능하고

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.12.04 | 수정일 2020.12.31

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  Atomic _badtags Deposition

  Barrier Metal and Glue Layer TiN, TaN, Ti High k Capacitor , , , STO Laminate films Capacitor Electrode ... ※ ALD(Atomic Layer Deposition) Technology ALD기술은 반도체 제조 공정 중 화학적으로 달라붙는 단 원자층의 현상을 이용한 나노 박막 증착 기술이다. ... 또한 CVD 보다 저온 공정이므로 CVD에 비해 불순물이 함유될 가능성이 높다. ※ ALD 장비 특성 ALD는 ALCVD(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.31

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  연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)

  , TiN, Al, Co, W, …… WSix, W, TiN, Ti, Al, …… SiO2, Si3N4, SiON, BPSG, PSG PVD PVD는 thermal evaporation ... process Good step coverage 단점 Bad step coverage High impurity Using toxic gas Hardware complexity 적용공정 Ti ... ZrN SiC,TiC,MoS,FeSi,InP Ion-plating DC ion plating RF ion plating HCD법 Arc Discharge법 ICB 법 금속 Cu,Al,Ti

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17

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  화강암에 대한 조사

  또한 풍화가 진전됨에 따라 LOI는 증가하고 Mn, Mg, Fe, Ti 등은 풍화의 마지막 단계에서 증가하는 경향을 보인다. ... LOI, Fe, Ti의 증가는 점토광물의 형성과 관련이 있다. 특히 LOI는 잔류토에 포함된 유기물 함량의 영향을 받기도 한다. ... 화강암질 암석(화강암, 화강섬록암 등)의 결정성 심성암과 이와 동질의 편마암이 풍화되어 그 곳에 잔류하는 잔적토(residual soil),s 이로부터 발생된 붕적토(colluvial deposit

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.18

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  ETCHING

  하여 wafer 표면의 박막에 가스나 산과 알칼리 같은 화학 물질을 통해 필요 없는 부분을 제거하고 미세한 회로 패턴을 형성 시켜 주기 위해 가공하는 단계의 공정 Substrate Deposition ... 포토레지스트 (CHF3) 이나 탄소 같은 식각 가스에 폴리머를 추가 plasma Cl 2  Cl + Cl Cl + Al  AlCl 3 Cl + TiN  TiCl 4 + N Cl + Ti

  리포트 | 56페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17

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  CVD 와 PVD 코팅

  아크 전력 공급장치를 이용 음극과 양극으로 작용하는 Ti 타겟 사이에 아크 방전시키면 Ti+가 방출되고 모재에 충돌된다. ... ) PVD(Physical Vapor Deposition) CVD 상압CVD 감압CVD HT CVD MT CVD ☞ Plasma CVD 분류상 CVD법에 속해 있으나 CVD법과 PVD법 ... 1 ] coated 초경 초미립 합금 초경 써메트 세라믹스 다이아몬드 이송 절삭 속도 코팅공구 적용 영역 내마모 (경도) 인성(취성) [ 2 ] CVD(Chemical Vapor Deposition

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.05

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