"Ti deposition" 검색결과 101-120 / 204건

• 

  [반도체공학]SET(Single Electron Transistor) and Quantum Mechnism

  Structure Ti deposition on Si/SiO2 Insert insulator layer using STM Tip GaAs/AlGaAs Structure GaAs/AlGaAs ... current density Now, low temperature for operation (T 1K) Co-tunneling effect Researches of SET Si/SiO2/TI ... Researches of SET Using CNT and Quantum dot Multi-wall nanotubes(MWNTs) Metallic contact : Ag-Au alloy or Ti

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.02.02

  다운로드 장바구니
• 

  SPUTTER

  TiN, AlN, Si3N4 - Carbides : TiC, WC, SiC - Sulfides : CdS, CuS, ZnS - Oxycarbides and oxynitrides of Ti ... Sputter Intro 2009년3월20일 유균경 Thin Film Deposition Chemical Process Physical Process Evaporation Sol-Gel ... , Ta, Al, Si 그래프 자료: Parameter Optimization in Pulsed DC Reactive Sputter Deposition of Aluminum Oxide

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

  다운로드 장바구니
• 

  [공업화학공학] 광촉매결과 리포트

  이러한 원인으로 생각할 수 있는 것은 일단 Ti를 500℃에서 2시간 구워 TiO2를 만들었는데 Ti가 완변하 게 산화되었는가를 의심해 볼 수 있고 또한 실험에 사용 한 TiO2금속이 ... 그 고체를 아주 오랫동IS층을 증착하고 그 위에 n-type CdS를 주로 화학적 용액성장법 (chemical bath deposition, CBD 또는 "Dip-Coating")으로 ... Closed-Spaced Sublimation, CSS), 진공증착법, 전착법, screen printing, spray pyrolysis, metallorganic chemical vapor deposition

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.01.28

  다운로드 장바구니
• 

  Evaporator 원리및 설명, 진공의 종류및 응용

  Physical Vapor Deposition(PVD): 물리적 기상 증착 Chemical Vapor deposition(CVD): 화학적 기상 증착 PVD방법은 기판위에 박막을 증착하기 ... E-beam/Thermal evaporator는 각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비이다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.06

  다운로드 장바구니
• 

  <반도체 공정>설계프로젝트 DNA CHIP

  Deposition이 끝난 후 에는 RCA cleaning을 하여 불순물을 제거한다. ... 기본 반도체 공정인 Deposition, Lithography와 Etching을 사용하고 마지막으로 DNA strand를 Immobilization시키는 공정으로 마무리한다. ... Step 8 (Lithography Process) Step 8은 Au와 Ti층을 pattering하기 위한 lithography 단계이다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.17

  다운로드 장바구니
• 

  [재료실험][DH실험] 반도체단위공정, 증착, 식각

  )가 많이 사용 되고 있다. 1) PVD (Physical Vapor Deposition) : PVD(물리 기상 증착) 공정의 정의는 생성하고자 하는 박막과 동일한 재료(Al, Ti ... Deposition(증착) 3. Etching(식각) 1. Semiconductor Unit Process 2. ... Sputter deposition의 장단점을 보면 (장점) -. 여러 가지 다른재료에서도 성막속도가 안정되고비슷하다. -.

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.05.11

  다운로드 장바구니
• 

  ZnO 나노와이어 제작 및 바이오센서 활용

  Formation of an omega-shaped Au/Ti gate electrode Top-gathow} ... Development of PR and HMDS layers Fabrication of the omega-shaped-gate ZnO nanowire-based FET Ti Au Step ... Metal deposition by thermal evaporator Fabrication of the omega-shaped-gate ZnO nanowire-based FET Al2O3

  리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.04.14

  다운로드 장바구니
• 

  HEMT의 정의와 기술 동향 모든것[High Electron Mobility Transistor, 통신용 초고속 반도체 소자]

  (growthrate = 1.0um/h) ② Ti/Al/Pt/Au를 E-beam을 이용하여 deposition하고, 850℃에서 30초간 annealing한다. ③ 여러 proton ... Heterojunction구조의 소자를 만들기 위한 epitaxial층의 성장 기술로 주로 MBE(Molecular Beam Epitaxy)와 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.02.17

  다운로드 장바구니
• 

  sputter deposition에 대한 이해

  Sputter Deposition 1. Basic aspects of sputtering 1.1. ... sputtering 공정에서 이온 충돌 효과는 저 에너지 이온(200V 이하)에 의한 것이 주 관심사이다. (7) bias potential 함수에 따른 증착속도, 이온 전류밀도, 이온 대 Ti원자비 ... Structure-zone diagram showing schematic microstructures of films deposited by cylindrical magnetron

  리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.09.07

  다운로드 장바구니
• 

  분진의 크기에 따른 입자의 농도 분포

  운반되는 도중 퇴적 작용 (wet & dry deposition)에 의해 발생 지역에서 멀어짐에 따라 그 농도가 감소한다. ... 보편적으로 거대입자군에는 대륙의 토양입자와 대양의 해염입자로 구성되어 있기 때문에, 대륙에서 발견되는 거대입자군의 주요원소 는 Si, Al, Ca, Fe, K, Ti 및 Sr 이며, ... 이와 같이 분진이 지구 환경에 미치 는 또 다른 영향은 아직 분진에 대한 연구가 동아시아와 태평양으로의 deposition (wet & dry)에 머물고 있는 지금, 좀더 다양하면서도

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.12

  다운로드 장바구니
• 

  Al-Si 합금의 제조 에 관한 보고서

  [Ti 입자미세화] 1. 미리 만들어 놓은 Al-Si 합금을 다시 용융 시키고, Ti를 장입한다. 2. 약 20분 후 A 시편을 만들고, 조직사진을 관찰을 한다. [마운팅] 1. ... 그러므로, 과공정 Al-Si합금의 제조에 있어서는 급냉응고와 함께 가스분무법(Gas Atomization) 및 분무적충법(Spray Deposition)의 분말야금공정이 생산공정으로 ... 입자 미세화제로 Ti를 잘라 넣었고 800℃에서 녹인 후 710℃ 까지 낮아 졌을 때 750℃로 올려 녹였다.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.03

  다운로드 장바구니
• 

  [반도체 박막]E-beam Evaporator

  E-veam은 반대로 Cr, Ti등의 증착을 더욱더 쉽게 할 수 있는 장점이 있다. ? ... 물리적 증착(PVD : Physical Vapor Deposition) A ---> A 기판에 붙은 물질의 화학적 조성은 기판에 도착한 기테 상태의 물질의 조성과 동일 -Vacuum ... 화학적 증착(CVD : Chtmical Vapor Deposition)_ A + B ---> C -기체(무화)상탱의 화합물을 가열된 모재 표면에서 화학적 반응을 통하여 생성물을 모재

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.26

  다운로드 장바구니
• 

  박막 증착과 4-point probe 의 이해

  길이(mm) 넓이(mm2) 면저항(Ω/ㅁ) Ni 200 small 11.15 10.05 112.05 6.00102 big 17.55 15.88 268.69 5.68 Ni 200 +Ti ... 박막은 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)과 화학기상증착(Chamical Vapor Deposition)등의 다양한 방법으로 성장되며, 일단 형성된 박막은 ... 이러한 박막증착 방법중에서 무엇보다도 CVD (Chamical Vapor Deposition)가 가장 널리 쓰이고 있다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.09

  다운로드 장바구니
• 

  CVD&PVD

  PVD(물리 기상 증착) 공정의 정의는 생성하고자 하는 박막과 동일한 재료(Al, Ti, TiW, W, TiN, Pt 등)의 입자를 진공 중에서 여러 물리적인 방법에 의하여 기판 위에 ... PVD (Physical Vapor Deposition) PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 ... ◇반도체 증착공정의 꽃 `CVD'= 반도체 제조과정의 77%를 차지하는 전공정, 이 가운데 화학증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)공정은 13% 비율을 차지해

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.01

  다운로드 장바구니
• 

  [전자재료]E-beam operator와 Sputter

  →PVD(Physical Vapor Deposition)란? ... 각종 금속(Au, Al, Ti, Cr)등의 박막을 기판위에 증착할 수 있는 장비 E-beam evaporator의 모습 ->원리 E-beam evaporator의 작동원리 텅스텐 필라멘트를 ... PVD(Physical Vapor Deposition)의 하나로 물리적인 방법을 통하여 기판에 증착하고자 하는 물질을 증착하는 방법.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.09.10

  다운로드 장바구니
• 

  cvd 와 pvd의 특징과 비교

  PVD 공정의 개요 PVD(물리 기상 증착) 공정의 정의는 생성하고자 하는 박막과 동일한 재료(Al, Ti, TiW, W, TiN, Pt 등)의 입자를 진공 중에서 여러 물리적인 방법에 ... 하나는 PVD (Physical Vapor Deposition)이고 다른 하나는 CVD (Chemical Vapor Deposition)입니다. ... 박막은 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)과 화학기상증착(Chamical Vapor Deposition)등의 다양한 방법으로 성장되며, 일단 형성된 박막은

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.14

  다운로드 장바구니
• 

  [공학]플라즈마의 첨단기술 응용분야

  line etching - loading, microtrenching, electron shading Bromine reactions Metal etching - Al, Cu, W, Ti ... 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(plasma etch) 및 증착 (PECVD : Plasma Enhanceed Chemical Vapor Deposition ... Insulator etching - SiO2, Si3N4, Al2O3, Polyimide, etc. Ⅲ-Ⅴ, Ⅱ-Ⅵ and novel materials * Deposition PECVD

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.23

  다운로드 장바구니
• 

  표면처리기술의 이해와 종류,레이저의 개념

  sition의 약자로 기상에서 고 상을 석출하는 과정으로 화학적 증착법이라고 불리는 방법이며, 진공증착, 스파터링, 이온프 레팅등의 물리적 증착법(PVD: Physical Vapor Deposition ... 그 반응은 환원형은 캐리어가스와 환원성을 겸한 H가스를 이용해서, Ti를 기판표면에 석출시킨다. ... 가령 TiCl를 불활성의 Ar이나 He의 캐리어 가스로 반응용기에 보내어, 열분 해에 의해 Ti를 기판표면으로 석출시킨다.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.02.18

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 공정의 이해

  현행 사용 기술 AL,W (MONO/MULT) :CVD TiN/Ti PVD AL REFLOW 항목 물질 및 방법 64MD (C)이전 VER.에사용 64M LF 64M LE 256M ... Gas B → 생성막 +부산물 Si Wafer 생성막(A+B) A B B B A A A B 반응Gas B 반응Gas A LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition

  리포트 | 27페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.02.25

  다운로드 장바구니
• 

  Ohmic contact & Passivation(오믹접합, 패시베이션) - 대본

  of Ti. ... balling up(금게르가 홀로 증착될 때 발생하는 현상, poor contact resistance, poor morphology, irregular edges)을 방지한다. ③ Deposition

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17

  다운로드 장바구니