"Ti deposition" 검색결과 161-180 / 204건

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  [반도체 제조공정] 반도체 제조공정

  강유전체 커패시터 1) PZT PZT는 Pb(Zr,Ti)O3라는 식으로 나타내는데 ABO₃의 페롭스카이트 결정구조에서 Pb 금속이온이 A-site를 차지하고, Zr과 Ti가 적당한 ... PECVD SYSTEM CVD(Chemical Vapor Deposition)는 화학적 기상 성장을 이용하는 박막 성장 공정으로 현재 공업적으로 확산되어 지금은 여러 가지 박막 제작에 ... 가운데의 Ti 또는 Zr 이온이 결정의 중심에 위치하지 않고 "위(+Pr)" 혹은 "아래(-Pr)"쪽에 위치하여 분극(Polarization)을 가지고 있다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.11

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  [박막공정 졸겔법]Sol-Gel method

  용액의 제조 1) MOD(Metallo Organic Deposition)법 MOD(Metallo Organic Deposition)법이란 복잡한 조성의 화합물인 경우 가수분해 및 ... 일반적으로 알칼리 및 알칼리토금속이나 Al, Ti, Zr 등의 금속 알콕시드는 반응성이 크기 때문에 공기와의 접촉을 금지해야 한다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.01.27

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  [국제금융론] 국제금융론 노트

  토지와 Security Time Saving check cash 건물 유가증권 deposit deposit 0 1 M 1 M 2 M 3 Ⅱ. ... TI = $ 0.01 ∴ Rmp - tG ≤ R ≤ Rmp + tG ?gold import point ?

  리포트 | 38페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.05

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  금속간화합물

  따라서 금속간화코팅 방법에는 aluminide 코팅, 저산소 분압하의 TiAl 표면처리, ion beam enhanced deposition (IBED) 법에 의한 Si3N4 코팅 ... 여기서, a와 b상은 각각 조밀육방구조와 체심입방구조 (BCC)의 Ti-Al합금을 나타낸다. Ti3Al은 본래 상온연성이 결핍된 금속간화합물이지만 Nb을 10at. ... Turbo chargers Fan blades Disk blades Ti3Al은 조밀육방구조(HCP)를 기본으로 하는 규칙구조를 갖는 금속간화합물로서, Ti-Al 2원계에서는 a2상이라

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.09.22

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  [재료] 세라믹스 성형법

  주로 사용하는 밀봉재료에는 Pt, Ni, Fe, Ti, W 등의 금속재료와 유리와 같은 세라믹스가 잇다. ... 기상증착법(vapor deposition) 본질적으로 무기공의 세라믹 피복을 기질의 표면에 침적시키는 각종의 기법에 대해서, 포괄적으로(vapour deposition)이라는 용어가

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.07.21

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  [재료 금속 박막 증착] PVD CVD(박막)

  상대적으로 deposition rate가 높다. 넓은 면적에 deposition이 가능하다. Substrate heating이 적다. ... 그림 5에서 Si, Ti, Zr등이 입사할 때 sputtering yield가 크게 감소하는 것을 볼 수 있는데, 이것은 입사된 입자들이 Target과 반응을 해서 compound를 ... ) CVD(chemical vapor deposition) 화학증착 또는 그대로 기상도금이라고도 한다.

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.09.12

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  [공학]반도체 박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

  또한 공구의 내마모 코팅, 장식용 코팅, 반도체 소자의 제조시 접점에서 확산장벽으로 이용되는 TiN은 Ti의 반응성 이온 플레이팅이나 스퍼터링, PECVD 방법등을 통해 건식법으로 ... 화학기상증착 (CVD; Chemical Vapor Deposition)공정 - GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착하여 절연막이나 전도성 막을 형성시키는 공정.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.15

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  플라즈마

  저기압 방전은 실질적으로 동작 가스압이 1 ~ 10 [Torr] 이하로 1% 이하의 낮은 전리도를 갖는 플라즈마를 발생시키고, 전자온도(Te)는 이온(Ti) 및 중성입자(Tn)의 온도보다 ... 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(Plasma Etch) 및 증착(PECVD: Plasma Enhanced -Chemical Vapor Deposition

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.02

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  PVD, CVD 그리고 Nucleation

  C V D(chemical vapor deposition) 1. CVD의 개요 1.1. ... PVD 공정의 개요 PVD(물리 기상 증착) 공정의 정의는 생성하고자 하는 박막과 동일한 재료(Al, Ti, TiW, W, TiN, Pt 등)의 입자를 진공 중에서 여러 물리적인 방법에 ... 또는 임의의 에너지에 의하여 열분해를 일으켜(Si 기판과 공급된 O2와 반응하 여 산화막을 형성 시키는 Diffusion 과는 달리) 기판의 성질을 변화 시키지 않고 solid Deposition를

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.23

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  [세라믹공학] RF Magnetron Sputtering 법에 의한 (Ba,Sr)TiO3 박막의 제조 및 전기적 특성평가

  ⇒ 물리적 한계 기술과 공정상의 어려움 3.고유전율 재료의 도입 서론 고유전율 재료 BT(BaTiO3), ST(SrTiO3), BST((Ba,Sr)TiO3), PZT(Pb(Zr,Ti ... torr Rf power 120W Substrate temperature Normal temperature Ar : O2 30 : 5 Pre-sputtering time 5min Deposition

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.16

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  박막의 증착 실험

  PVD(physical vapor deposition) 물리적 기상도다. ... 이때 주위의 Ti의 증착막의 원자에 굉장한 에너지를 주게 되므로 Ti 원자 배열이 변형되며 따라서 가공경화막과 같이 강한 표면이 된다. ... 즉 10000eV의 아르곤 이온은 Ti의 증착막 중의 표면으로부터 대략 1.5mm깊이로 파묻히게 주입된다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.09.29

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  [박막] 박막(thin film)

  이때 주위의 Ti의 증착막의 원자에 굉장한 에너지를 주게 되므로 Ti 원자 배열이 변형되며 따라서 가공경화막과 같이 강한 표면이 된다. ... 박막증착은 물리적 제조방법에 따라 CVD(chemical vapor deposition)와 PVD(physical vapor deposition)로 크게 분류할 수 있다. ... CVD (Chemical Vapor Deposition) 1) CVD의 원리 박막은 여러가지 방법으로 제조될 수 있는데, 그 중에서도 CVD (Chamical Vapor Deposition

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.27

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  [재료공학실험] CVD와 PVD

  C V D(chemical vapor deposition) 1. CVD의 개요 1.1. ... ~ Al_2 O_3 ``(s) ~+~ 6HCl ``(g) 7) zone2는 비균질반응 영역으로 미세구조의 변화, 증착된 물질의 물리적 성질 변화 등의 박막과 동일한 재료(Al, Ti ... , 또는 임의의 에너지에 의하여 열분해를 일으켜(Si 기판과 공급된 O2와 반응하여 산화막을 형성 시키는 Diffusion 과는 달리) 기판의 성질을 변화 시키지 않고 solid Deposition를

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.17

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  [반도체] 반도체 제조공정

  planar process의 발명 1960년 MOS의 발명 1963년 CMOS , 처음으로 single crystal silicon-on-sapphire (SOS). 1966년 TI ... 금속 배선 (Metal Deposition) 웨이퍼 표면에 형성된 각 회로를 알루미늄선으로 연결시키는 공정이며, 최근에는 알루미늄 대신에 구리선을 사용하는 배선방법이 개발 14.

  리포트 | 33페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.28

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  [절삭공구] 절삭공구 재료의 종류와 특성

  )과 반응가스를 고온(900~1000°C)에서 화학반응시켜 피복하는 화학적 증착방법(chemical vapor deposition)으로 구분된다. ... 62 이상 (4) 소결 탄화물 경질합금(초경합금, sintered hard metal) 소결 탄화물 경질합금의 성분과 용도 종별 기호 화학성분(%) 경도 RA 벤딩강도 용도 W Ti ... Co C S종 (강제 절삭용0이상 130이상 140이상 드로잉 다이 내마모 기계부분품 내마모 기계부분품 소결 경질합금은 W, TI, Ta, Mo, Zr의 경질합금 탄화물 분말을 Co

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.05

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  [재료공학] CVD, PVD에 관하여...

  , 이온 프레팅 등의 물리적 증착법(PVD: Physical Vapor Deposition)과 구별해서 제안된 명칭이다. ... 기상코팅의 하나인 방법으로의 CVD는 Chemical Vapor Deposition의 약자로 기상에서 고상을 석출하는 과정으로 화학적 증착법이라고 불리는 방법이며, 진공증착, 스파터링 ... 그 반응은 환원형은 캐리어가스와 환원성을 겸한 H가스를 이용해서, Ti를 기판표면에 석출시킨다.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.10.02

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  [박막공학] Sputtering

  화학적인 방법으로 대표적인 것이 CVD(Chemical Vapor Deposition)이다. ... DC triode sputtering deposition system Fig. 11. ... ) S u l f i d e s ( H 2 S ) : CdS, CuS, ZnS v) O x y c a r b i d e s a n d o x y n i t r i d e s of Ti

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.22

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  [환경] voc's 산화용 저압차 반응기

  반응기 본체로는 쉽게 부식되지 않는 stainless steel(이하 SUS)을 이용하였고, 그 위에 촉매의 support 인 TiO2의, Ti를 electrophoretic deposition ... Ti로 코팅된 wire mesh sample에 대한 열처리 결과 Ti powder를 코팅시킨 후 열처리를 과정을 통하여 우리는 wire mesh에 붙어 있는 Ti의 부착력과 강도를 ... 이 실험에서는 촉매 Pt를 입히기 전에 Ti를 stainless steel에 코팅한 후 Ti층과 Fe층의 계면에서 Fe-Ti의 alloy를 형성시켜 두 층간의 접착력을 강화시키는 과정으로서도

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.09.24

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  [재료공학]AAO (Anodic Aluminum Oxide)에 대하여

  금속 nanowire의 경우 전기도금(electro-deposition)를 이용하며 nanowire가 합성되어진다. ... One step anodizing process 전해연마 1차 양극산화 에칭 구멍넓힘 (2)Two step anodizing process Sapphire / GaN / SiO2 / Ti

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.02.26

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  [화학실험]비정질벌크 및 박막제조(pre레포트)

  화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) :화학기상증착은 반응기체의 유입 하에서 가열된 substrate 표면에 화학반응에 의해 고체 박막이 형성되는 ... Cu Fe Ge Mo Nb Ni Sputter yield 3.4 1.2 2.8 0.2 1.3 2.3 1.3 1.2 0.9 0.65 1.5 표적 Pd Pt Re Rh Si Ta Th Ti

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.02.02

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