"Ti deposition" 검색결과 141-160 / 204건

• 

  PACVD

  개요 Plasma-assisted physical vapour deposition (PAPVD) 은 박막의 성질을 향상시키기 위하여 glow discharge를 이용하는 물리증착과정의 ... 그러나, cold HCD에서 전자는 내부가스의 이온화, 이차전자 방출로 생성되며 낮은 전류와 높은 전압을 특징으로 한다. 2) 아크 증발계 TiN의 증착에서 Ti 음극에 아크 방전법을

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04

  다운로드 장바구니
• 

  [소성] 분무성형법(Spray forming)

  -30) Si-X), VCR head, compressor rotor(mazda, Al-Si-X), 스퍼터링 타겟재료(Kobelco Research Inst., Al-Nb, Al-Ti ... 진행되므로 불활성 분위기의 휴지가 용이하고, 회전하는 월반의 속도에 따라 한정된 범위의 크기를 갖는 분말입자 및 BuIk재의 제조가 용이하기 때문에, 분위기 적으로 오염이 심각한 Ti합금과 ... Low Pressure Plasma Deposition은 고속불활성 가스 플라즈마(High velocity inert gas plasma)의 jet속으로 분말을 주입하여 액상을 만든

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.22

  다운로드 장바구니
• 

  [재료공학]나노기술을 이용한 극한 환경용 세라믹 섬유

  Lawrence Berkeley Lab에서 vapor-liquid-solid deposition(VLS)법으로 알루미나 나노로드를 제조하였다. ... 한편, Ti첨가에 의해서 형성된 Si-Ti-C-O 섬유를 열처리 공정을 통하여 미세구조를 조절하고 조절된 TiO2의 형성을 통하여 표면이 광촉매의 특성을 발현하는 기능성 섬유도 개발하였다 ... 또한 섬유 고온특성의 향상을 위해 전구체인 고분자 전구체에 Ti, Zr 혹은 Al 등과 같은 원소들을 부가적으로 첨가하여 내산화 특성과 고온특성을 향상시킨 섬유들이 개발되었다.

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.02.19

  다운로드 장바구니
• 

  표면처리인 도금법에 대하여

  기상 도금의 특징은 수용액 중에서는 전착할 수 없는 Al , Ti등을 포함해서 대부분의 금속 및 금속 화합물의 석출이 가능한 점이다. □ 광택 도금 (bright electro-plating ... 것으로서 Cu-Zn, Cu-Sn, Cu-Cd, Cu-Pb, Ni-Co, Ni-Zn, Ni-Cd 등의 합금 도금이 행해지고 있다. □ 화학기상(氣相) 도금 (chemical vapour deposition

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.05

  다운로드 장바구니
• 

  표면개질

  저기압방전은 실질적으로 동작가스압이 1～10 [Torr] 이 하로 1%이하의 낮은전리도를 갖는플라즈마를 발생시키고 전자 (온도Te)는 이온(Ti) 및 중성입자(Tn)의 온도보다 매우높으며 ... 표면개질의 종류 1) PVD(Physical Vapour Deposition, 물리진공증착) - PVD 는 증착물질을 증발하고 공작물 표면에 두꺼운 층을 만드 는 법이다. ... 이의 해결법은 증발원을 회전 시키 는 것이며 균일한 막을 형성하게 된다 2) 플라즈마 CVD(Plasma Chamical Vapor Deposition) - 이제까지 서술한 PVD는

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.01.29

  다운로드 장바구니
• 

  에너지고갈

  이것을 광상(鑛床, ore deposit)이라 부르며, 채취 활동이 행해지는 곳을 광산(mine)이라 부르고 있다. 미국의 광상학자 스키너(B. ... 그에 따르면 지각의 99%는 산소(O), 규소(Si), 알루미늄(Al), 철(Fe), 칼슘(Ca), 나트륨(Na), 칼륨(K), 마그네슘(Mg), 티탄(Ti) 등의 9종의 원소로 구성되며

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.03.27

  다운로드 장바구니
• 

  [반도체 관련 장비] 스퍼터 원리와 DC,RF 스퍼터

  스퍼터 증착(Sputter deposition) (1) 스퍼터링의 정의 스퍼터링은 높은 에너지를 갖는 미립자들에 의한 충돌에 의해 타겟(target)이라고 불리워지는 물질의 표면으로부터 ... 이 증착 방법은 Al, Al 합금, Pt, Au, Ti:W, 그리고 W과 같은 금속 박막의 증착에 많이 사용되며 이 외에도 SiO2와 같은 비전도성 물질의 증착에도 사용할 수 있다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.06

  다운로드 장바구니
• 

  sol-gel법을 이용한 ZnO나노분말 제조

  일반적으로 알칼리 및 알칼리토금속이나 Al, Ti, Zr 등의 금속 알콜시드는 반응성이 크기 때문에 공기와의 접촉을 금지해야 한다. ... MOD (Metal Organic Deposition) - 최근 박막공정에서 MOD법이라고 하여 알콕사이드 졸-겔 반응의 기본 반응인 가수분해나 축합반응을 무시하고, 유기물의 열분해 ... MOD(Metallo Organic Deposition)법이 사용되는 이유는 복잡한 조성의 화합물인 경우 가수분해 및 축합반응의 조절이 어려워 물의 첨가 없이 단순한 금속 유기물들의

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.25

  다운로드 장바구니
• 

  국내 MMF 제도변천 및 상품 활용

  MMDA(Money Market Deposit Account)는 MMDA는 97년 제4단계 금리자유화를 계기로 생겨난 예금상품이다. ... MMF 편입증권은 만기까지의 평균잔존기간이 당초 120일 이내에서 91년 개정을 통해 90일 이하로 단축하였으며, 적격증권은 제1분류(first tier)와 제2분류(second ti지급준비금의 ... 증권사에서 판매하고 있는 상품인 MMF(Money Market Fund)와 유사하게 은행에서 판매하고 있는 MMDA(Money Market Deposit Account)와, 종합금융회사의

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.10.20

  다운로드 장바구니
• 

  반도체공정(CVD)

  CVD metal ; W, Ta, Ti, Mo 등 (Al, Cu 는 연구단계) 6. ... 공정 * thermal oxidation * CVD * PVD 4. phase * amorphous CVD ( Chemical Vapor Deposition ) ; gas phase ... Silicon Nitride deposition oxide mask final passivation layer (moisture, Na+ 의 장벽) 3SiH4(g) + 4NH3(g)

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.13

  다운로드 장바구니
• 

  <화강암> 고려대학교 화강암 동정, 구성 광물, 화강암질 토양의 특징, 화강암 지역의 수질

  암석(화강암, 화강섬록암 등)의 결정성 심성암 및 이와 동질의 편마암이 풍화되어 그 곳에 잔류하는 잔적토(residual soil) 및 이로부터 발생된 붕적토(colluvial deposit ... 본 암석의 세계>, 교육과학사, 2000년. p.17, 19~21 ) 화학식이 아주 복잡하고 다양하여 한 화학식으로 나타낼 수 없으나 대체로 Ca2Na(Mg,Fe)4(Al,Fe,Ti

  리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.06.01

  다운로드 장바구니
• 

  졸겔법(sol-gel)

  Z게 반응하여 알콕사이드를 형성 식 (1-2)는 금속이 TI인 경우의 반응식으로 산화물이 알콜과 반응하여 금속 알콕사이드를 생성 Ba금속을 에틸알콜 중에 넣으면 Ba(OC2H5)4가 ... 같은 것들을 첨가하기도 함 ..PAGE:11 금속 알콕 사이드 합성 M + nROH → M(OR)n + (n/2ㆍH2) (1-1) M2O + 2ROH → 2MOR + H2O (M=TI의 ... )법 MOD(Metallo Organic Deposition)법이란 복잡한 조성의 화합물인 경우 가수분해 및 축합반응의 조절이 어려워 물의 첨가 없이 단순한 금속 유기물들의 혼합 용액의

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.04.17

  다운로드 장바구니
• 

  신소재 - 복합재료

  기지는 Al 외에 Mg , Ti등이 있다. 특히 Mg는 용융 Mg라도 반응이 거의 없기 때문에 용융합침법이 사용된다. ... ◆CVD 섬유와의 복합재료 CVD(Chemical vapor deposition)로 만들어진 섬유는 B 와 SiC 의 섬유가 있으며 , 직경이 100μｍ이상으로 두꺼운 것이 특징이다

  리포트 | 87페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.05

  다운로드 장바구니
• 

  [공학기술]반도체증착기술

  , 또는 임의의 에너지에 의하여 열분해를 일으켜(Si 기판과 공급된 O2와 반응하여 산화막을 형성 시키는 Diffusion 과는 달리) 기판의 성질을 변화 시키지 않고 solid Deposition를 ... (1) PVD 공정의 개요 PVD(물리 기상 증착) 공정의 정의는 생성하고자 하는 박막과 동일한 재료(Al, Ti, TiW, W, TiN, Pt 등)의 입자를 진공 중에서 여러 물리적인

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.07.19

  다운로드 장바구니
• 

  [반도체]진공증착

  셋째는 진공 특성Physical vapor Deposition(PVD)이라고 영어로 스는 물리증착과 2)Chemical Vapor Deposition(CVD)라고 부르는 화학증착 두가지가 ... 예를 들면 Si 증착의 경우에는 SiCl4(사염화규소)를, Ti증착의 경우에는 TiCl4(사염화티탄)를 반응 가스로 사용한다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.26

  다운로드 장바구니
• 

  플라즈마(plasma) 표면처리

  맺음말 *PACVD = Plasma-Assisted Chemical Vapour Deposition *고주파 플라즈마 화학적 기상 증착법을 이용, 고순도의 탄소 코팅 제조 *PACVD ... 리물과 반응이 용이하게 함으로써 피처리물 내부로 침투시키는 기술 - 가스의 종류에 따라 질화, 침탄, 불화, 산화 등으로 구분 - 종래의 확산표면처리 기술로는 처리가 불가능한 Al, Ti등

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.16

  다운로드 장바구니
• 

  No.30 항공기 재료 - 복합 재료

  - 주요공업재료의 성질 비교 재료 밀도(g/cc) 인장강도(ksi) 비인장강도 인장률(Msi) 비인장률 강 7.8 145 19 29 3.5 Ti 4.5 134 30 16 3.5 Al ... 알루미늄합금 등 FRM에서는 널리 이용되는 방법이다. - 기상법 CVD(Chemical Vapor Deposition)나 CVI(Chemical Vapor Infiltration)

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.11.28

  다운로드 장바구니
• 

  [OLED]오믹컨텍트, T-T annihilation, work function

  효율을 증가시킬 수 있게 된다. 3.3 Metal의 Work Function Metal Work Function (eV) Ba 2.39 Cs 2.75 As 5.2 Mg 3.46 Ti ... 생기지 않는다. 1.4 Ohmic Contact에 요건 ①Low contact resistance to both N+ and P+ regions ②Ease of formation (deposition

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.15

  다운로드 장바구니
• 

  [공학기술]ion plating(이온도금)

  도금의 주된 용도는 강(steel)과 공구 및 기타 마모 방지가 필요한 금속재료들을 코팅하는데 사용되는데, 이를 위해서는 질소, 산소, 메탄이 혼합되어 있는 아르곤 플라즈마 속을 Ti ... supply, (9) crucible, (10) floating screen, (11) reactive gas inlet, (12) vacuum pump. (2) Cathodic Arc Deposition

  리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.08

  다운로드 장바구니
• 

  [반도체공학] ION IMPLANTATION & RAPID THERMAL PROCESS

  그래서, 표면을 무거운 DOPANT(75As)로 IMPLANT하여 비정질층(AMORPHOUS LAYER)를 형성시켜 Ti/TiN DEPOSITION후, Ti SILICIDE ANNEALING시 ... IMPLANT 2.4.1 PAI (PRE-AMORPHIZATION IMPLANT) Pre-Amorphization Implant는 TiSi2형성을 위해 고안된 것인데, CONTACT 부위의 Ti

  리포트 | 33페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.02.21

  다운로드 장바구니