"HVPE 장비" 검색결과 1-20 / 20건

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  반도체공정과제

  흡착 ③ 화학반응으로 웨이퍼 표면에 막을 증착하고, 반응부산물 생성 ④ 반응부산물 가스가 웨이퍼 표면으로부터 탈착하여 reactor의 gas stream으로 증발된 후 밖으로 배출 HVPE ... 장비의 구성 가장 흔한 형태의 단결정 실리콘 웨이퍼이고 태양전지와 집적회로 제작에 사용된다. ... 장비의 구성 많은 반도체 결정들을 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 성장시킬 수 있는 기술이다.

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.12.30

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  반도체 - 단결정 성장 방법

  HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 장치의 외관 장치의 구성 가변 온도 컨트롤이 있는 소스 영역 고온 증착구역 단체 증착용 기판 물질 홀더 HVPE 사례 로냑 ... 성장하고자 하는 물질에 따라 소오스, 배기계의 취사 선택이 이루어져야 하며 시스템자체도 물질에 따라 변형되고, 공정을in situ로 하기위해 공정장비도 부착이 되어가는 형태로 발다 ... 홀더, 기판 히터, MBE 시스템 케이블, CBr4 가스 유량 제어 시스템 MBE 사례 MBE에 의한 GaAs 및 AlxGa1-xAs 에피성장의 기초연구를 수행한 결과, - MBE장비는

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.01.28

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  84화합물 반도체 공정 [2조] 성장기술 (HVPE,LPE)

  LPE 의 장단점 장 점 단 점 간단하고 저렴한 장비 웨이퍼의 크기가 제한됨 유지 보수비가 저렴 계면의 불확실도가 큼 (수백nm) 결정의 에피층이 매우 우수함 두께 제어가 좋지 못해 ... HVPE 를 이용한 GaAs 성장 HVPE 를 이용한 Sapphire기판 위 GaN 성장 HVPE 의 장단점 1.기상 에피택시 성장이란? ... HVPE 를 이용한 GaAs 성장 Ga 영역의 온도가 GaAs 기판 보다 약 100℃ 높다.

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  증착결과 보고서

  CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등이 ... CVD도 PVD 못지 않은 품질을 구현할 때도 있지만 일반적으로 PVD가 장비만 완성되면 고품질의 증착면을 얻을 수 있다. ... PVD와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD는 고품질의 박막이나 나노구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하므로 장비가 고가이며 증착속도가 느리고 CVD는

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.06

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  Coating - PVD & CVD Deposition, Sputter, Evaporation

  . • PECVD, MOCVD, HVPE등이 포함. ◈ 증착 방법 사용 구별법 : 증착하고자 하는 물질이 화학적 반응이 잇는지 없는지에 중점을 두고 구분하면 됨. ... CVD도 PVD 못지 않은 품질을 구현할 때도 있지만 일반적으로 PVD가 장비만 완성되면 고품질의 증착면을 얻을 수 있습니다. 증착 1. ... 증착법(CVD Chemical Vapor Deposition) CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE

  리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.06.23

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  LED조명

  이용 화합물 반도체를 성장시켜 에피웨이퍼를 제조하는 단계로 현재 HVPE등 여러 가지 방법을 통하여 반도체를 성장시키는 기술이 있고 보다 성장효율을 좋게 하기 위한 방 법들이 많이 ... SiC기판에서 성장하여 제 작되지만 최근에는 Nichia, Cree, Toyota 등의 핵심 특허를 회피하기 위한 연구개발이 많이 진행되고 있다. 2) 에피웨이퍼 : 기판 위에 MOCVD 장비

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.02.03

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  GaN의 식각

  CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등이 ... Photolithography 공정은공정은 모든 공정 step이 각종 particle에 대해 매우 취약하고, 이로 인한 pattern 불량이 전체 panel의 불량을 유발하므로, 청정한 환경과 재료 및 장비의장비의 ... 실험장비 …………………………………………………… 2 2. 용어설명 ………………………………………………… 5 3. 실험방법 …………………………………………………… 9 Ⅲ.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.05.22

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  고효율, 저비용 청색 LED 제작설계

  이러하여 간단한 반응기 구조와 control unit에 의한 생산 장비의 단가가 낮추고 빠른 성장률에 의한 고속 성장 및 후막 성장도 가능하게 하였다. ... 혼합소스 HVPE방법에서는 반응관 내에 3족 원료 금속인 Ga과 In이 혼합된 (Ga+In) 소스와 기판을 배치한다. ... Epitaxial growth를 위해 액상성장방법(LPE)을 응용한 혼합소스(mixed source) HVPE 방법을 사용하였다.

  리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.10.04

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  deposition 방법

  기체로 날라간다는 의미군.. ) Deposition 증착시키려는 물질을 기체상태로 만들어서 날려보내는 것이므로 진공 요구 (-->장비 고가, 속도 느림) 즉, 중간에 다른 기체 분자들과 ... 증착법(CVD Chemical Vapor Deposition) CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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  열증착

  CVD도 PVD 못지 않은 품질을 구현할 때도 있지만 일반적으로 PVD가 장비만 완성되면 고품질의 증착면을 얻을 수 있다. ... 이 방법들이 공통적으로 PVD에한다. 2) CVD CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride ... 3) PVD 와 CVD의 사용분야 PVD와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD는 고품질의 박막이나 나노구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하므로 장비가

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.02.08

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  화합물 반도체

  질화물 반도체의 주된 epitaxial 성장법으로는 ①Hydride 氣相成長法 (HVPE법: hydride vapor phase chemical vapor deposition)이 있다 ... 그리고 원료 물질의 손실이 적고 제작 및 유지비용이 적게 든다는 장점이 있는 반면에 성장장비 내에서는 측정을 할 수 없다는 단점을 가지고 있다.? ... 종류 ※ III-V 족 화합물 반도체 (GaAs, GaN) ※ II-VI 족 화합물 반도체 (ZnO, ZnSe, CdS) ◎ 화합물 반도체의 제조 공정 ◎ 화합물 반도체의 제조 장비

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.11

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  진공과 진공펌프에 대해서~

  CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등이 ... CVD도 PVD 못지 않은 품질을 구현할 때도 있지만 일반적으로 PVD가 장비만 완성되면 고품질의 증착면을 얻을 수 있다. ... 특히 CTC (Cluster Tool Control) System에서는 중앙의 웨이퍼 이송 장비와 프로세스 모듈사이를 차단하여 각 공정을 독립적으로 수행할 수 있도록 하는 역할을 한다

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.17

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  epitaxy

  AsCl3)이 사용되는 경우와 수소화합물(예: AsH3)이 사용되는 경우로 구분되는데, 그 V족 원료의 종류에 따라 각각을 chloride VPE(CVPE)와 hydride VPE(HVPE ... 수직로 내에서 기판을 용액 속에 넣음으로 기판과 용액과의 접촉이 일어나게 함 - 미끄러짐법(Sliding) 용액 아래로 기판을 미끄러져 이동되게 함으로써 접촉이 일어나게 함 - 장비 ... 위에 성장시키는 방법 - 원하는 불순물 농도를 갖는 에피층을 연속적으로 여러 층을 성장 - 분순물간의 상호 침투현상을 최소화 - 생성물이 단결정이라는 점 말고는 CVD법과 동일 - 장비

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.09

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  pvd와 cvd

  장비가 비싸고 증착 속도가 느려 CVD 보다 비경제적임. ... CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등이 ... CVD도 PVD 못지 않은 품질을 구현할 때도 있지만 일반적으로 PVD가 장비만 완성되면 고품질의 증착면을 얻을 수 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.28

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  [공학]CVD

  CVD CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy ... CVD도 PVD 못지 않은 품질을 구현할 때도 있지만 일반적으로 PVD가 장비만 완성되면 고품질의 증착면을 얻을 수 있다. ... PVD와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD는 고품질의 박막이나 나노구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하므로 장비가 고가이며 증착속도가 느리고 CVD는

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.17

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  기상증착법, 물리증착PVD와 화학증착CVD에 관하여

  CVD도 PVD못지 않은 품질을 구현할 때도 있지만 일반적으로 PVD가 장비만 완성되면 고품질의 증착면을 얻을 수 있다. ... 원료물질들이 PVD처럼 들러붙는다기 보다는 화학반응을 일으켜서 고체 상태로 변화한다. 2종류에는 MOCVD(MetaloOrganic Chemical Vapor Deposition), HVPE ... PVD)과 화학증착(CVD) 비교 -PVD와 CVD모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD는 고품질의 박막이나 나노 구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하므로 장비가

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.25

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  pvd,cvd

  CVD도 PVD 못지 않은 품질을 구현할 때도 있지만 일반적으로 PVD가 장비만 완성되면 고품질의 증착면을 얻을 수 있다. ... CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등이 ... PVD와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD는 고품질의 박막이나 나노구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하므로 장비가 고가이며 증착속도가 느리고 CVD는

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.09

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  [금속공학]건식증착법

  CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등이 ... Evaporation 방법은 오래된 film deposition 방법으로서 공정이 단순하고 증착 속도가 빠르며 장비의 가격이 저렴한 장점이 있는 반면 film quality가 나쁜

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.30

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  금속의 표면저항

  CVD도 PVD 못지 않은 품질을 구현할 때도 있지만 일반적으로 PVD가 장비만 완성되면 고품질의 증착면을 얻을 수 있다. ... CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등이 ... PVD와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD는 고품질의 박막이나 나노구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하므로 장비가 고가이며 증착속도가 느리고 CVD는

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.16

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  [박막증착]박막증착

  CVD도 PVD 못지 않은 품질을 구현할 때도 있지만 일반적으로 PVD가 장비만 완성되면 고품질의 증착면을 얻을 수 있다. ... Deposition) CVD(Chemical Vapor Deposition) 에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE ... PVD와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD는 고품질의 박막이나 나노구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하므로 장비가 고가이며 증착속도가 느리고 CVD는

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.04.20

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