"Post deposition annealing" 검색결과 1-20 / 26건

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  Influence of Post Deposition Electro-Annealing on the Properties of ITO Thin Film Deposited on a Polymer Substrate

  pure argon(Ar) and oxygen (O2) gas atmosphere, and then post deposition electro annealed for 20 minutes ... Therefore, the electro annealed films had better optoelectrical performances thanas deposited ITO films ... The electro annealed films demonstrated a larger figure of meritof 3.0×10-3Ω-1 than that of as deposited

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Post annealing effect of BaTiO3-based MIM capacitors for high capacitance 실험 레포트

  예비 레포트 - 실험날짜 : 2018년 11월 06일 - 실험주제 : Post annealing effect of BaTiO3-based MIM capacitors for high ... "Atomic layer deposition of SrTiO3 thin films with highly enhanced growth rate for ultrahigh density ... 후열처리 방법에는 furnace annealing과 급속열처리(RTA)가 있다. 550℃에서의 1시간 동안의 furnace annealing에서는 입자들의 성장이 완전하게 이루어지지

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  세라믹실험보고서(Nano Functional Oxide Electronics Laboratory)

  특히 La doping된 BaSnO3 thin film (LBSO)에서의 post annealing은 고온 질소 환경에서 electron mobility가 향상된다. ... 실험방법을 간략히 소개하자면, Pulsed Laser Deposition를 통하여 SrTiO3 기판위에 100 nm BaSnO3 thin film을 성장시키고, La로 doping한다 ... R도에서 annealing을 하는 것으로, thin film이 fabrication되는 동안 생성된 strain&stress를 제거해주는 역할을 한다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.12

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  질산산화법을 이용한 SiO2/Si 구조의 계면결함 제거

  annealing (PMA) at 250 oC for 10 min in 5 vol% hydrogen atmosphere. ... 5 nm-thick SiO2 layers formed by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) are densified to ... The physical and electrical properties are clearly investigated according to NAOS times and post-metallization

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.04.05 | 수정일 2023.04.06

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  반도체 제조공정

  장비 회로설계 및 마스크제작 전공정 패키징 후공정 검사 (Test) 웨이퍼 가공 (Fabrication) 웨이퍼 제조 P/R 도포 산화 노광 현상 이온주입 CVD 금속배선 CMP Annealing ... Wafer가 팽창되어 있는 상태에서 노광하면 OVERLAY 발생 Lithography 공정 흐름 노광 Stepper , Scaner P.E.B Cooling 현 상 Hard Bake Post ... 조절 어려움 얇은 두께 조절 용이 증착시간으로 조절 증착cycle로 조절 증착 온도 높음 낮음 불순물 함유 높음 낮음 후속공정 적합성 낮음 높음 ALD (Atomic Layer Deposition

  리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2018.08.29 | 수정일 2018.09.04

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  ECR plasma로 전처리된 Cu seed층 위에 전해도금 된 Cu 막에 대한 Annealing의 효과

  한국재료학회 한국재료학회지 이한승, 권덕렬, 박현아, 이종무

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Effect of Deposition and Annealing Temperature on Structural, Electrical and Optical Properties of Ag Doped ZnO Thin Films

  The Ag content in the film decreased asthe deposition and the post-annealing temperature increased due ... The effects of the deposition and annealing temperature on the structural, electrical and opticalproperties ... The film deposited at 150oC and annealed at 350oC exhibited the lowest value of Ivis/Iuv of 0.05.

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Effect of Annealing Temperature on the Properties of ITO/Au/ITO Films

  Post-deposition annealingof ITO/Au/ITO films led to considerably lower electrical resistivity and higher ... In the X-ray diffraction pattern, as-deposited ITO films did not show any diffraction peak, whereas as-deposited ... vacuum of 1×10-2 Pa at temperatures ranging from 150 to 450oC for 20 min to determinethe effect of the annealing

  논문 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  RF 마그네트론 스퍼터로 증착된 In2O3 박막의 질소분위기 열처리에 따른 특성변화

  In2O3 films were deposited by RF magnetron sputtering on a glass substrate and then the effect of post ... Thefilms annealed at 400oC showed a grain size of 28nm, which was larger than that of the as deposited ... The work-function obtained from annealed films at 400oC was 7.0eV.

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  3차원 소자 집적을 위한 Cu-Cu 접합의 계면접착에너지에 미치는 후속 열처리의 영향

  Post-bonding annealing at a temperature that was less than 300˚C had only a slight effect on the bonding ... 1.5 μm-thick copper films deposited on silicon wafers were successfully bonded at 415˚C/25 kN for 40 ... minutes in a thermo-compression bonding method that did not involve a pre-cleaning or pre-annealing

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Properties of Aluminum Doped Zinc Oxide Thin Film Prepared by Sol-gel Process

  The annealing temperatures for the pre-heat treatment and post-heat treatment was 250˚C and 400-600˚C ... Transparent conducting aluminum-doped ZnO thin films were deposited using a sol-gel process. ... In this study, the important deposition parameters were investigated thoroughly to determine the appropriate

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  펄스 레이저 증착법으로 제작한 Cu2ZnSnS4 박막의 구조 특성 변화에 대한 증착 시간 효과

  deposition (PLD) at substrate temperature of 300˚C without post annealing process. ... In this study, we show the effect of deposition time on the structural properties of CZTS thin film deposited ... Sn content gradually increases as deposition time increases.

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  [KAIST] PCR

  Primer의 결합(Annealing) 각각 두 가닥으로 분리된 DNA molecule에 primer가 붙는 과정이다. ... HAS는 membrane embedded protein으로 3가지 분리된 gene을 coding하는 isozyme이며 transcription 또는 post transcription ... Extracellular matrix에서 hyaluronan deposit은 motility, adhesion, division, morphogenesis, wound healing

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.13 | 수정일 2014.07.16

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  Transparent Phosphorus Doped ZnO Ohmic Contact to GaN Based LED

  doped ZnO transparentohmic contact layer was prepared by radio frequency magnetron sputtering with post-deposition ... annealing. ... specific contact resistance of the phosphorusdoped ZnO on p-GaN was determined to be 7.82×10-3Ω·cm2 after annealing

  논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  RF 마그네트론 코스퍼터링을 이용한 Si3N4 매트릭스 내부의 실리콘 양자점 제조연구

  This study revealed that post annealing at 1100˚C for at least one hour is necessary to precipitate the ... Films consisting of a silicon quantum dot superlattice were fabricated by alternating deposition of ... This peak was attributed to annealing induced reordering in the films that led to increased Si-N4 bonding

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Highly Transparent Indium Oxide Doped ZnO Spreading Layer for GaN Based Light Emitting Diodes

  based contact layers of IZO, Ni/IZO, and NiO/IZO were prepared by e-beamevaporation, followed by a post-deposition ... annealing.

  논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  OLED 실험 보고서

  (위와 동일한 이유) ⑤진공포장 :Fab으로 이동하는 동안 수분과의 접촉을 차단하기 위함. 4)Metal(LiQ/Al) deposition증착 ①glass를 glove box를 거쳐서 ... Al electrode는 충분히 높은 온도에서 annealing을 할 경우 계면에서 chemical bond가 생겨 안정하다고 알려져 있는데, 이때 발광 고분자의 Tg이상에서 열처리를 ... :post metal 로 AI4083(10.7cd/A at 7ev), AIPF41(12.9cd/A at 5eV)보다 훨씬 높다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.04.18

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  듀플랙스(Duplex stainless) 용접.

  in the as-welded condition, but major repairs to castings are generally specified in solution annealed ... Post Weld Heat Treatment (PWHT) Most duplex and superduplex fabrication work in wrought material is left ... All tacks should be deposited following an approved weld procedure.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.09.18

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  반도체 공정의 이해

  Cleaner에서 이물질을 제거 Main Polisher Post Cleaner 7.공정개요: CMP 이온주입 ETCH PHOTO DIFF CVD 1.산화 공정 2.ANNEAL 공정 ... Gas B → 생성막 +부산물 Si Wafer 생성막(A+B) A B B B A A A B 반응Gas B 반응Gas A LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition ... 확산를 위한 Anneal 불순물 → Si wafer : Si(Wafer) + H2O → SiO2 Si Wafer SiO2 H2O HEAT 성장 PUMPING 및 배기 LINE (반응공간의

  리포트 | 27페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.02.25

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  반도체공정 (Si)

  (3) Poly Silicon의 특성 - Poly-si의 구조는 dopant, impurity, deposition 온도, post-deposition heat cycle에 강하게 ... 중의 doping - 이때의 저항률은 doping된 poly-si의 deposition 온도, dopant 농도, annealing 온도등의 강한 함수이다. ... 높게 implant된 poly-si은 diffusion에 의한 poly-si보다 큰 저항률을 보인다. ~900℃에서 30분 정도의 annealing 처리가 행해진다. ③ Deposition

  리포트 | 14페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.01.27

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