Lithography 공정의 이해

소개글

Lithography 공정의 원리와 및 순서를 이해하고 각 조건에 의해 현상된 패턴을 확인 후 최적의 soft bake 온도와 expose, develop 시간을 알아본다.

목차

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본문내용

물리적 특성
-solid content : 20~40%
-Viscosity
a. 유동성의 측정
b. solid content 와의 연계
c. spinning 동안에 두께의 결정
-surface tension
·보관과 control
-빛과 열적 민감성
a. self-polymeriztion 또는 photosolubiliztion
b. Yellow room 빛, 갈색병
c. 냉장 보관
d. 유통기한

5. Surface preparation / Spin Coat
① surface preparation
-Particle 제거
a. 높은 압력의 질소로 blow-off
b. wet chemical cleaning
c. Rotating brush scrubber
d. 높은 압력의 물 stream
-Dehydration baking
a. 대부분의 wafers-in are in hydrophilic (hydrated : water molcules attatched) surface condition
b. heating을 통해 wafer 표면의 수분을 제거
c. 150~200°C heating 증발 수증기
-Priming
a. primer : PR 접착력은 wafer 표면에 화학적으로 물분자를 묶어둠으로써 촉진시킬수있다.
b. HMDS (hexamethyldislazane)
② Spin-coating
-wafer 표면에 thin(0.5~1.5㎛), unform(0.01㎛~1%), defect-free PR film coating
-edge-bead를 줄여준다.(PR은 edge에 쌓인다.)

참고 자료

없음