"RF magnetron sputtering technique" 검색결과 121-140 / 185건

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  lcd 개론

  (통상적으로 RF 방전 이용)• Magnetron Sputtering 방법: DC Plasma 이용. ... Sputtering금속막 및 투명전극의 박막 증착에 사용• 원리: Ar 가스에 플라즈마 방전을 일으켜 이 때 생성되는 Ar+ 이온으로 target 금속(증착 물질)을 sputtering ... Target의 둘레와 뒷 쪽에 자석을 설치하여Magnetic Field 가 Secondary Electron 을 격리시켜 sputtering이 원할히 일어나도록 함.• Reactive

  리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.09.24

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  [박막 공정] 박막공정(스퍼터링, CVD)

  . ▶ sputtering의 발생 glow discharge에 의한 target 표면에서 초기 이온들의 운동량 전달에 의한 물질들의 자유로운 상태로 이탈, DC diode discharge에 ... 4 Versatility : the sputter process is essentially a kinetic process involving momentum exchange rather ... or thermal process and, therefore, virtually any material can be introduced onto a gas discharge or sputtered

  시험자료 | 5페이지 | 6,900원 | 등록일 2004.06.15 | 수정일 2014.06.30

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  반도체 입문교제(Metal)

  METAL 공정 RF coil 금속 입자 전자 secondary plasma Bias power supply Target Wafer M+ 다) CVD TiN High aspect ratio ... 전자가 target 부근에서만 운동하므로, 실제로 sputtering이 일어나는 target 표면 근처에서 Ar을 집중적으로 이온화시킬수 있다. ... 다음 sputter 방식으로 Ti이나 Co를 증착한후, RTP(Rapid Thermal Process) 열처리를 실시하면 Ti이나 Co가 Si과 접촉한 부위에서만 Silicide(TiSi2

  리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08

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  Sputter

  RF Sputtering DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. ... Magnetron Sputtering Magnetron Sputtering이란 target(cathode)의 뒷면에 영구자??? ... RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의 sputtering이 가능하며 주로 13.56 MHz의 고주파 저원을 사용한다. ?

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.24

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  박막 재료

  rise of films during plasma processing *One of the important common issues in both plasma etching and sputtering ... *Microwave and high density plasma reactors -To address the shortcomings of the foregoing RF etching ... decade or so, employ RF power that is inductively coupled, rather than capacitively coupled as in parallel-plate

  리포트 | 31페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.05.13

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  [박막공학]이온빔의 원리와 스퍼터링

  이온빔 보조 DC 반응이온 마그네트론 스퍼터링 장비 모식도 Plasma Target - Ion Beam source 그림11. ... 되며 이 선택적 sputtering이 박막의 집합조직 형성에 결정적인 역할을 하기 때문 Taeget Ion beam Ion beam Substrate 그림13.이온빔 스퍼터링 공정 ... 증착시 이온빔의 역활 그림12.보조이온빔의 역활 보조이온총에서의 이온빔 divergence(발산)가 적어야 되는 이유는 보조빔에 의해 증착된 박막의 선택적인 sputtering이 일어나게

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.27

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  ZnO박막과 ZnO에 Al을 농도를 달리한 박막의 PL측정과 분석

  , electrical, and optical properties of sputtered ZnO thin films | S.N. ... 참고문헌 전자재료물성 및 소자공학 | 박정호 외 | Mc Graw Hill PL(광발광, photoluminescence) 분광기 | 귀금속과 시계 연재 | 김영출 RF마그네트론 스퍼터 ... 실험 2.1 PL 분광법(Photoluminescence spectroscopy) PL 분광법은 레이저와 같은 단색광의 에너지를 이용하여 시편의 전자를 여기 시켰다가 전자가 안정화

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.04

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  DSSC

  cathodic electrodeposition, rf-magnetron sputtering, Chemical vapor dsposition 등이 있다. ... 실험 목적 dye-sensitized solar cell(DSSC) 태양전지의 원리와 Cell의 제작과정을 익힘으로써 태양전지를 완벽히 이해하고 TiO2의 Sputtering두께와 ... 두 가지가 섞여 있으면 빛의 scattering이 좋아져서 효율이 단일상으로 존재할 때 보다 우수하게 나타난다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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  CVD 와 PVD 코팅

  PVD의 종류 및 원리 1) Evaporation(2원 증착법, 플래쉬 증착법) - 진공중에 박막 물질을 가열, 증발시켜 그 증기를 증착 - 증발 과정이 열교환 과정으로 sputtering와 ... S N Ar+N2 Ti-Target Substrate Pump Heated Support Heating UB DC Bias DC Equipment UK  Magnetron Sputtering ... 교환빈도가 적어 연속화 작업이 용이 5) 반응성 가스를 혼합시켜 화합물의 증착이 가능 단점 1) Sputter 조건을 결정하는 인자를 독립적으로 변화시키는것이 어려움 2) 형성되는 막에 sputter

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.05

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  PVD와 CVD법

  보다 불리 적 합 { Magnetron target 뒤에 전자석 배열하고 발생된 전자를 자기장 내에 모아 Ar기체와 충돌시켜 sputter yield 상승 장 점 단 점 sputter ... 종 류 { Sputtering D C R F 직류전원을 이용 고주파 이용 Target 재질 전도체 절연, 유전체, 전도체 성막속도 높다 낮 다 Reactive sputtering RF ... Bias Sputtering - sputter etch : sputter 하기 전 기판에 (-)bias를 걸어 기판 표면의 불순물을 제거 - bias sputter : sputter

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.28

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  반도체 집적소자 제조 단위공정 ( 금속박막공정, 사진공정, 식각공정 )

  PVD에는 진공증착, 이온도금 및 sputtering이 있다.Sputtering은 DC sputtering, RF sputtering, Magnetron sputtering,물질의 ... CVD와 PVD의 방법인데, 우리는 PVD의 방법 중에서 sputtering을 사용한다. 이 기계는 학교 박막 실험실 내에 비치되어 있는 기계와 같다. ... 또한 이 장치는 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에는 적합하지 않은데, 특히 타겟 표면에 절연물을 형성함으로써 타겟의 오염을 유발시킬 수 있기 때문이다.

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.06

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  PECVD / SPUTTER

  1PECVD / SPUTTER 2.실험방법 및 목적 -Deposition(증착) 공정중 sputtering 방식과 PECVD 방식을 알아보고 PECVD 공정과정 을 실제로 관찰해 본다 ... 왼 쪽 그림은 평판형 마그네트론 스퍼터링의 그림이다.평판 캐소드의 뒤쪽에 영구 자석을 둔다. 자기극은 N과S를 그림과 같이 배치한다. ... 또한 시간 ,압력 ,RF전력, 가스 과 같은 것을 조절하여 증착 공정을 바꾸어 줄수 있다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12

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  [금속재료공학]스퍼터링

  마그네트론 스퍼터링(magnetron spuron은 target밑에 놓으며 인가된 전원에 따라 RF·DC magne tron sputtering이라 한다. (3) 스퍼터링의 장? ... 실험 장비 RF/DC MAGNETRON SPUTTER 기기 , 기판(GLASS) , 초음파 세척기 , 4 point prove, Target 4. 관련 이론 (1) 스퍼터링이란? ... RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.15

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  evaporator의 원리 및 이론

  Laser DC RF Pulsed DC Magnetron Reactive Reactive Cathodic arc 3. ... E-beam Evaporation 증착방법에 따른 굴절률 (TiO2) - E-beam evaporation, ARE : 2.2~2.35 IAD : 2.35~2.5 IP, Ion beam sputter ... discharge 에서 Self-bias생성 이온과 전자의 이동도 차이에 의한 self-bias 생성 PRF: input RF power P : gas pressure 3.

  리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24

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  스퍼터링

  스퍼터링률 스퍼터링률(sputter yield)이란, 정이온 1개가 음극에 충돌할 때, 그것이 1개당 평균 몇 개의 원자 또는 분자를 음극에서 충돌하여 내보낼수 있을까를 나타내는 량이다 ... film Deposition Process PVD CVD Sputtering Ion Plating Thermal Evaporation Pack Thermal Sputtering DC RF ... 원리 스퍼터링 장치에서의 자력선 S N N S S N 전장 이온 자력선 아치 타겟트 자석 대향타겟 스퍼터링법 {nameOfApplication=Show}

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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  [공학기술]박막 공정,PVD,증착,진공증착,스퍼터링 보고서

  이러한 점을 보완하여 개발된 기술이 언밸런스 마그네트론 스퍼터링(Unbalanced magnetron sputtering, 이하 UBMS)이다. ... 고주파 스퍼터링(RF sputtering)37p 4.4.3. 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)38p 4.4.4. ... 스퍼터링- 음극스퍼터링(cathode sputtering)24p 4.4.1. 직류스퍼터링(DC sputtering)34p 4.4.2.

  리포트 | 70페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.08.16

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  [공학]Al thin film and PVD

  lost electron - ac voltage - “ rf sputtering ” - RF Sputtering Requirements (a) ~(e) Physical Vapor ... (electrode, target) : large dark-space voltage - strong sputtering (e) RF power 와 glow discharge의 연결 ... Circular planar magnetrons 1) issues : (trade off) film deposition rate and film thickness uniformity

  리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.02.05

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  반도체공정 (Etching & Doping)

  실제적으로 magnetic field을 electric field와 수직으로 인가하는 magnetron 방전을 주로 이용한다. → magnetron sputter ② 용량 결합형 RF ... RF 방전의 경우 전극이 plasma 내에 노출되지 않아도 방전이 가능하나 DC의 경우는 반드시 노출이 되어야 하므로 전극 물질의 sputtering, develop 등에 의해 오염될 ... Silicon lattice만으로 된 상태에서의 확산 계수를 의미 하며 다른 물질이나 에너지를 받아 고체의 표면에 입사할 때 일어나는 현상의 하나이고 입사 이온에 따라 고체 표면의 sputtering

  리포트 | 29페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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  박막 증착 방법, 종류

  스퍼터링의 종류에는 DC sputtering, RF sputtering, bias sputtering, magnetron sputtering 등이 있는데, 특히 magnetron sputtering은 ... PVD법을 크게 분류하면 ① 이온을 이용하지 않는 진공증착(evaporation), ② 이온을 이용하는 스퍼터링(sputtering), 이온플레이팅(ion plating), 이온주입 ... 표면경화를 목적으로 사용하는 예는 거의 없다. (2) 스퍼터링 높은 에너지를 갖는 입자가 target에 충돌하면 target로부터 원자 또는 분자가 튀어 나오는 현상을 스퍼터링(sputtering

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.14

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  [공학]디스플레이 재료및 공정

  스퍼터링의 종류에는 DC sputtering, RF sputtering, bias sputtering, magnetron sputtering 등이 있는데, 특히 magnetron sputtering은 ... 특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 온도는 입자의 운동 상태와 직접적으로 ... 현상을 스퍼터링(sputtering)이라고 부른다.

  리포트 | 33페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.02.22

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