"RF magnetron sputtering technique" 검색결과 161-180 / 185건

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  [박막]Vibrational Properties of Amorphous CNx:H Films by FTIR

  AbstractHydrogenated amorphous carbon nitride (a-CNx:H) films were prepared by reactive RF magnetron ... sputtering system with DC bias at various deposition conditions. ... In hydrogenated CN samples, CHx and NHx groups give rise to stretching vibrations at 3000 and 3400 cm

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.11.20

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  박막의 증착 실험

  할 수 있게 하거나, magnetron 방식을 사용하여 해결할 수 있다 2 고주파 스퍼터링(RF sputtering) DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 ... RF sputtering은 금속 이외에 도비금속, 절연체, 산화물, 유전체등의 sputtering이 가능하며 주로 13.56MHz 의 고주파 전원을 사용한다. 3 반응성 스퍼터링(reactive ... 이러한 단점은 RF sputtering함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.09.29

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  박막증착

  성막속도가 낮다.( ... RF sputtering DC spug에서는 진공압력 gauge나 glow discharge용 filament의 수명을 짧게하고DC sputter동안 target 표면에 산화물 또는 ... 전자와 기체의 충돌을 촉진시킴으로써 낮은 Ar 압력하에 sputter할수있게 하거나, magnetron방식을 사용하여 해결할수 있다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.24 | 수정일 2017.07.17

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  [세라믹공학] RF Magnetron Sputtering 법에 의한 (Ba,Sr)TiO3 박막의 제조 및 전기적 특성평가

  RF Magnetron Sputtering 법에 의한 (Ba,Sr)TiO3 박막의 제조 및 전기적 특성평가 발표자 : 서론 DRAM(dynamic randon access memory ... power 120W Substrate temperature Normal temperature Ar : O2 30 : 5 Pre-sputtering time 5min Deposition ... 가스 유입 챔버내의 압력유지(2.0*10-2 Torr) 5.약30W의 r.f power에서 플라즈마 발생시키고 증착압력에 맞춘 후 r.f power을 120W까지 증가 6.Pre-sputtering을

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.16

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  [반도체 제조공정] 반도체 제조공정

  DC diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron 스퍼터링 장치가 반응성 스퍼터링장치로 이용될 수 있다. ... 이러한 공정을 반응성 스퍼터링(Reactive sputtering)이라고 한다. ... 스퍼터링 기술의 공업적 응용이 시작된 이래 플라즈마 밀도를 향상시키기 위한 많은 연구가 이루어졌으며, 대표적으로 결실을 거둔 것이 Thornton이 제안한 마그네트론(Magnetron

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.11

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  [박막공학과 성분분석] 성분분석법 및 박막증착법

  Magnetron sputtering Cathode에 : ... 단점 - 낮은 증착속도, 높은 기판온도(target으로부터의열방사, 2차전자), 에너지의 비효율성, 방전가스의 압력이 높고, 절연체의 sputtering이 불가능 {그림 RF sputtering ... 효과적으로 sputtering에 이용된다.

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.12.16

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  [박막공학]박막형성의 원리

  Simplified RF sputtering system [2]. ... 만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive - ion)이라면 cathodic sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다. ... Fig. 19에는 여러 불활성 가스를 이온으로 하여 이온 에너지에 따른 구리(Cu)의 sputter yield를 측정하였다.

  리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.27

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  Sputtering의 종류와 메카니즘

  크게 스퍼터링(sputtering) 과 증발법(evaporation) 으로 나눌수 있다. - sputter 장치 : 진공 장치에 불활성 기체를 주입하고 방전을 일으켜 금속, 유전체 ... etching으로 pre-cleaning이 가능하다. - O2, N2 등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다. ... 스퍼터링(sputtering) 고 에너지의 입자를 원하는 박막과 동질인 물질로 이루어진 기판에 충돌시켜 그곳으로부터 원자와 분자가 떨어져 나와 박막을 만드는 방법을 말한다.

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.09.11

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  [화학실험]비정질벌크 및 박막제조(pre레포트)

  스퍼터링(sputtering) :Sputte 원자형태로 방출시키며, 진공 증착의 경우보다 높은 10 40eV정도 에너지를 가진 증기상이 피처리물 쪽으로 이동하여 응축되게 함으로서 표면층을 ... 금속 표적재료의 경우 한 개의 아르곤 이온이 표적재료에 입사할 때 표 1에 보이는 것처럼 1 2원자가 증기 상으로 방출되어 증발효율이 낮은 편이나, 마그네트론을 이용하여 스퍼터링 효율 ... RF Sputtering RF스퍼터링은 DC장치와 같이 보이나, bias 전압을 피처리물에 걸어줌으로서 접착성이 우수하고 치밀한 조직을 얻을 수 있는 장점이 있는데, 주로 전자산업에

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.02.02

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  [공학기술]plasma

  이런 강유전성 박막은 주로 r.f. magnetron sputtering법에 의해 만들어지는데 이 방법은 대개 수-rphology등을 볼 수 있다. ... 사용된다. (2) 비정질 수소화 실리콘 silane(SiH4)을 이용하는데 보통 capacitively- coupled된 rf 플라즈마가 사용되며 반응기 압력은 약 0.05-2torr ... 재합성된 물질은 다시 spray ring을 사용하여 급냉 시키는데 spray ring로서 사용된 알칼리성의 spray는 product gas를 중성화 시키고 결정질 물질을 적시는 역할을

  리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.07.15

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  [반도체] 스퍼터링

  DC diode,RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron 스퍼터링 장치가 반응성 스퍼터링 장치로 이용될 수 있다. ... Simplified RF sputtering system 혹자는 R F를 사용하여 discharge를 하면 target이나 기판 모두가 스퍼터링 될 것으로 예상하기도 한다. ... 만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive -ion)이라면 cathodic sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다.

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.08

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  [전자공학] 박막형성법과 박막특성

  스퍼터 법의 종류 ..PAGE:8 RF sputtering DC sputtering 에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering되지 않는다. ... RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의 sputtering이 가능하며 주로 13.56MHz의 고주파 전원을 사용한다. ... 스퍼터 법의 종류 ..PAGE:7 Magnetron sputtering 강한 자기장을 이용하여 플라즈마의 대부분을 target 표면 근처에 묶게 된다. - 방출된2차 전자의 궤도를

  리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18

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  [박막공학] Sputtering

  종류에는 Thermal and E-Beam Evaporation, DC-diode Sputtering, RF Sputtering, Trided Sputtering, Magnetron ... DC triode sputtering deposition system Fig. 11. ... 스퍼터되는 속도는 target에 충돌하는 이온(중성 원자)의 개수 및 에너지와 sputter yield에 의하여 결정된다.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.22

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  [전자재료]PVD&CVD에 대하여

  and sputter. ... 증기 생성 방법의 차이에 따라 두가지 방법으로 분류됨 금속의 증기를 사용하는 evaporation 방법 물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 sputtering 방법 PVD란 기판 위에 ... 한편, Induction Heated Source에 의한 방식도 있는데, 이 방법은 RF or magnet field를 이용해 electon의 displacement로 인하여 발열시키는

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.08.07

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  [증착법] 증착법

  (단점) - 성막속도가 낮다(10Å/sec 이하) → Magnetron sputtering으로 증가시킬 수 있다. - High energy deposition 이므로 박막의 불균일과 ... 심해져서 증착속도가 감소하는 효과가 동시에 나타남. - RF sputtering시 기판온도 상승의 원인은 주로 target에서 발생한 이차전자 →이온이 target과 충돌시 발생된 ... 인해 target으로 향하는 이온전류밀도의 증가에 의해 증착속도가 증가하는 효과 및 sputtering된 입자들과 방전가스와의 scattering 이 알곤 압력의 증가에 따라서 더

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.07

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  [금속재료]기계금속 재료 표기설명 및 열처리 리포트

  증착(Deposition) 1) Sputtering : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 ... micron) 두께로 특정 기판 상에 올리는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), sputtering ... 기판의 경도에 따라 2” spindle과 4” spindle을 선택하여 사용한다.

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.06.13

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  [반도체공정] 스퍼터링

  sputter 장비를 이용해서(400V, 350mA) Ar gas(75sccn)를 주입해서 플라즈마 상태에서 Al을 시편에 증착시킴 PR Application PR액을 스포이드를 ... 가 타겟에 강하게 충돌하여 momentum transfer에 의한 타겟물질이 기판위에 증착되는 원리를 이용한 물리적 증착방법의 하나 스퍼터링 방법 다이오드 DC 스퍼터링 다이오드 RF ... 크기(50X50mm2)로 절단 Cleaning Dehydration Cutting된 시편을 초음파 세척 → IPA 세척 → D.I water 세척 Sputtering 건조된 시편을 Magnetron

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.22

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  [재료공학]Ion Plating ( 이온플레이팅 )

  (저항가열, e-beam, 유도가 열, sputter, magnetron 등) 7) 오염물, 유독성 용액을 사용하지 않고 해로운 부산물을 만들지 않는다. 8) 순수한 물질을 source로 ... (보통 RF bias를 사용함) 6) 다양한 증발원을 사용하기 때문에 증착율를 제어할 수 있다. ... 그러므로 negative glow는 양쪽의 sheath사이에 해당하는 부분이다. negative glow에서는 세 종류의 전자가 존재한다. - 일차전자 : cathode sheath에서

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.06

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  [재료공학] Ag(Mg)/Si 의 증착 및 열처리

  Sputtering은 그 능력을 향상시키기 위해 많은 응용이 이루어져 있는데, 가장 일반적인 것으로 DC plasma sputtering, RF plasma sputtering, magnetron ... sputtering등이 있다. ... 이러한 상태에서 직접 sputtering을 하거나 glow dischange를 만들어 sputtering이 이루어지게 된다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.13

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  [전자, 전파] Filter (BPF, BSF)

  FBAR Filter는 실리콘 기판 위의 양 전극사이에 압전체인 ZnO나, AlN를 RF magnetron sputtering 으로 증착, 압전현상을 발생시켜, 일정한 주파수 대역에서 ... RF 필터의 장단점 Ref)㈜ 에이엔티 홈페이지 년도 ..PAGE:25 ..PAGE:26 ... 대역통과 필터 설계(예제- 이상적인 소자 사용시) ADS 이용한 시뮬레이션 회로 구성 S(2,1)의 결과 ..PAGE:14 3.

  리포트 | 26페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.10

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